半绝缘双面抛光微波晶片的制作方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片。
【背景技术】
[0002]传统单晶硅材质的微波片，经研磨后，其表面磨伤严重，深度有10 μ m左右，这样的单晶硅不能直接用来制作器件使用；目前市场上的均是单面抛光，这种单面抛光的微波片电性能不一致，影响产品性能。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是:克服现有技术的不足，提供一种半绝缘双面抛光微
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[0004]本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。
[0005]进一步的，所述的上抛光层和下抛光层的厚度< 1.2 μπι。
[0006]进一步的，所述抛光微波片的厚度为450-550 μ m。
[0007]本发明的有益效果是:砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。
[0008]因为这些特性，砷化镓电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。
【附图说明】
[0009]下面结合附图对本发明进一步说明。
[0010]图1是本发明半绝缘微波片的示意图；
[0011 ] 其中，1、晶片本体，2、上抛光层，3、下抛光层。
【具体实施方式】
[0012]现在结合附图对本发明作进一步的说明。这些附图均为简化的示意图仅以示意方式说明本发明的基本结构，因此其仅显示与本发明有关的构成。
[0013]如图1所示，一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体1，晶片本体I的正面设置有上抛光层2，晶片本体I的背面设置有下抛光层3，晶片本体I的材质为砷化镓。
[0014]上抛光层2和下抛光层3的厚度< 1.2 μπι。抛光微波片的厚度为450-550 μm。
[0015]砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场入口 O
[0016]因为这些特性，砷化镓电路可以运用在移动电话、卫星通讯、微波点对点连线、雷达系统等地方。
[0017]以上述依据本发明的理想实施例为启示，通过上述的说明内容，相关工作人员完全可以在不偏离本项发明技术思想的范围内，进行多样的变更以及修改。本项发明的技术性范围并不局限于说明书上的内容，必须要根据权利要求范围来确定其技术性范围。
【主权项】
1.一种半绝缘双面抛光微波晶片，其特征是，包括晶片本体(I)，所述晶片本体(I)的正面设置有上抛光层(2)，所述晶片本体(I)的背面设置有下抛光层(3)，所述晶片本体(I)的材质为砷化镓。2.根据权利要求1所述的半绝缘双面抛光微波晶片，其特征是，所述的上抛光层(2)和下抛光层⑶的厚度< 1.2μηι。3.根据权利要求1所述的半绝缘双面抛光微波晶片，其特征是，所述抛光微波片的厚度为 450-550 μπι。
【专利摘要】本发明涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。
【IPC分类】H01L29/20
【公开号】CN105226084
【申请号】CN201510622326
【发明人】戚林
【申请人】江苏中科晶元信息材料有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年9月25日