述流导调节部供给所述吹扫气体的工序，
[0216]在供给所述第二气体的工序中，具有以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给所述吹扫气体的工序，
[0217]在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的工序中，具有以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体的工序。
[0218]〈附注22>
[0219]根据附注21所述的半导体器件的制造方法，优选地，以所述第三流量比所述第四流量多、所述第四流量比所述第五流量和所述第六流量多的方式构成。
[0220]< 附注 23>
[0221]根据本发明的又一方案，提供一种程序，使计算机执行如下步骤:使衬底收纳到处理室内的步骤；
[0222]使所述衬底载置到所述衬底支承部上的步骤；
[0223]使第一气体向所述衬底供给的步骤；
[0224]使第二气体向所述衬底供给的步骤；以及
[0225]具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的步骤。
[0226]< 附注 24>
[0227]根据本发明的又一方案，提供一种记录介质，记录有使计算机执行如下步骤的程序，即，使衬底收纳到处理室内的步骤；
[0228]使所述衬底载置到所述衬底支承部上的步骤；
[0229]使第一气体向所述衬底供给的步骤；
[0230]使第二气体向所述衬底供给的步骤；以及
[0231]具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或所述第二气体中任一方的排气流导的步骤。
[0232]< 附注 25>
[0233]根据本发明的又一方案，提供一种气体整流部，设置在具备处理室的衬底处理装置上，所述处理室中设有支承衬底的衬底支承部，所述气体整流部包括:
[0234]开口，供向所述衬底供给的第一气体和第二气体通过；和
[0235]均压部流导调节部，设有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体。
[0236]< 附注 26>
[0237]根据附注25所述的气体整流部，优选地，所述气体均压部具有两个以上的气体均压空间。
[0238]< 附注 27>
[0239]根据附注25或附注26所述的气体整流部，优选地，所述流导调节部设置在所述气体整流部的外周端。
[0240]< 附注 28>
[0241 ] 根据附注25至附注27中任一项所述的气体整流部，优选地，所述气体均压部至少具有第一气体均压空间和第二气体均压空间，向所述第一气体均压空间和所述第二气体均压空间供给不同流量的吹扫气体。
[0242]< 附注 29>
[0243]根据附注25至附注28中任一项所述的气体整流部，优选地，通过设于所述气体整流部的上表面的气体整流部支承部而安装在所述处理室的盖上。
[0244]< 附注 30>
[0245]根据附注25至附注28中任一项所述的气体整流部，优选地，通过设于所述气体整流部侧方的气体整流部固定器具而能够调节下表面与所述衬底支承部上表面的距离。
[0246]< 附注 31>
[0247]根据附注25至附注28中任一项所述的气体整流部，优选地，在所述气体整流部的下表面设置有第二流导调节机构。
【主权项】
1.一种衬底处理装置，其特征在于，包括: 处理室，包含收纳衬底的处理空间； 衬底支承部，设于所述处理室，具有载置所述衬底的衬底载置台； 第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体； 第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体； 气体导入口，设于所述处理室，从所述第一气体供给部或所述第二气体供给部导入气体； 整流部，设于所述气体导入口与所述处理空间之间，具有供从所述气体导入口供给的气体穿过的开口； 气体流路，与所述开口连通，在所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向构成； 气体均压部，至少具有2个以上的气体均压空间； 吹扫气体供给部，以使吹扫气体的供给量不同的方式分别对所述气体均压空间进行供给；以及 流导调节部，设有所述气体均压部，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，所述流导调节部对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。2.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，所述流导调节部设于所述气体整流部的外周端。3.根据权利要求2所述的衬底处理装置，其特征在于，设置有控制部，其通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即， 在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以所述第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以所述第二流量向所述流导调节部供给吹扫气体。4.根据权利要求3所述的衬底处理装置，其特征在于， 进一步形成如下结构:所述控制部以使所述第一流量大于所述第二流量的方式进行控制。5.根据权利要求4所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步形成如下结构:所述控制部通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即， 在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。6.根据权利要求5所述的衬底处理装置，其特征在于， 进一步形成如下结构:所述控制部以使所述第三流量大于所述第四流量、所述第四流量大于所述第五流量和所述第六流量的方式进行控制。7.根据权利要求6所述的衬底处理装置，其特征在于， 在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。8.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于，设置有控制部，其通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即， 在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以所述第一流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以所述第二流量向所述流导调节部供给吹扫气体。9.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于， 进一步形成如下结构:所述控制部以使所述第一流量大于所述第二流量的方式进行控制。10.根据权利要求9所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步形成如下结构:所述控制部通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即， 在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。11.根据权利要求10所述的衬底处理装置，其特征在于， 进一步形成如下结构:所述控制部以使所述第三流量大于所述第四流量、所述第四流量大于所述第五流量和所述第六流量的方式进行控制。12.根据权利要求11所述的衬底处理装置，其特征在于， 在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。13.根据权利要求8所述的衬底处理装置，其特征在于，进一步形成如下结构:所述控制部通过如下方式控制所述第一气体供给部、所述第二气体供给部和所述流导调节部，即， 在向所述衬底供给所述第一气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在向所述衬底供给所述第二气体的情况下，以第三流量和第四流量向所述流导调节部供给吹扫气体， 在不向所述衬底供给所述第一气体和所述第二气体的情况下，以第五流量和第六流量向所述流导调节部供给吹扫气体。14.根据权利要求13所述的衬底处理装置，其特征在于， 进一步形成如下结构:所述控制部以使所述第三流量大于所述第四流量、所述第四流量大于所述第五流量和所述第六流量的方式进行控制。15.根据权利要求14所述的衬底处理装置，其特征在于， 在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。16.根据权利要求1所述的衬底处理装置，其特征在于， 在所述气体整流部的下表面设有第二流导调节机构。17.—种气体整流部，在衬底处理装置中使用，设于气体导入孔与处理空间之间，所述衬底处理装置包括:处理室，包括收纳衬底的处理空间；衬底支承部，设于所述处理室，具有载置所述衬底的衬底载置台；和导入孔，将气体导入所述处理空间， 所述气体整流部被构成为与设于所述处理室的开口连通，且在所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向形成气体流路， 所述气体整流部包括: 气体均压部，至少具有2个以上的与吹扫气体供给部连接的气体均压空间，从所述吹扫气体供给部向各个所述气体均压空间供给不同流量的吹扫气体；以及 流导调节部，具有所述气体均压部，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，所述流导调节部对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方的所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。18.根据权利要求17所述的气体整流部，其特征在于，通过设于所述气体整流部的上表面的气体整流部支承部而安装在所述处理室的盖上。19.根据权利要求18所述的气体整流部，其特征在于，通过设于所述气体整流部侧方的气体整流部固定器具而能够调节所述气体整流部的下表面与所述衬底支承部的上表面的距离。20.根据权利要求19所述的气体整流部，其特征在于，在所述气体整流部的下表面设置有第二流导调节机构。21.—种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括如下工序: 将衬底收纳到包含处理空间的处理室的工序； 将所述衬底载置到设于所述处理室的衬底支承部的衬底载置台上的工序；以及经由设于所述处理室的气体导入口、和设于所述气体导入口与所述处理空间之间的、具有供从所述气体导入口供给的气体穿过的开口的整流部，向所述衬底供给第一气体和第二气体的任一种或供给第一气体和第二气体二者，并且， 在与所述开口连通、并于所述整流部与所述衬底载置台的外周之间沿圆周方向构成的气体流路中，在与所述衬底载置台的外周端的一部分对应的气体流路的高度比与所述外周端的其他部分对应的气体流路的高度高的情况下，在设置于流导调节部且至少具有两个以上的气体均压空间的气体均压部内，对经由一方的所述气体均压空间向所述外周端的一部分供给的吹扫气体的供给量进行调节，以使其大于经由另一方的所述气体均压空间向所述外周端的其他部分供给的吹扫气体的供给量。
【专利摘要】本发明涉及一种使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高、并使制造生产能力提高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。所述衬底处理装置包括：处理室，收纳衬底；衬底支承部，载置所述衬底；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及流导调节部，具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。
【IPC分类】C23C16/52, H01L21/02, H01L21/205, H01L21/67, C23C16/44
【公开号】CN105261553
【申请号】CN201510397751
【发明人】野内英博
【申请人】株式会社日立国际电气
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年7月8日
【公告号】US20160010210