装；
[0045] 且所述步骤(6)中的沉积双层氮化硅薄膜又包括以下具体步骤：
[0046] ①、将步骤（5)清洗后的硅片装入石墨舟，放入镀膜设备；
[0047] ②、设定沉积第一层氮化硅薄膜所需的氨气流量为5-6slm，硅烷流量为 1300-1500SCCm，沉积时间为120-140S，然后进行第一层氮化硅薄膜沉积；
[0048] ③、设定沉积第二层氮化硅薄膜所需的氨气流量为5. 5-6. 5slm，硅烷流量为 800-lOOOsccm，沉积时间为500-600S，然后进行第二层氮化硅薄膜沉积；
[0049] ④、将两层氮化硅薄膜沉积完成的硅片进行步骤（7)的丝网印刷上下电极。
[0050] 所述步骤（9)中采用的封装膜为Ρ0Ε材料制成，所述Ρ0Ε为聚烯烃弹性体，且其中 共聚单体的含量为20-30wt %。Ρ0Ε封装膜的光学透光率在450-1200nm区域大于90 %，相 比EVA封装膜，Ρ0Ε封装膜的耐水性能更优越，经过测试表明，Ρ0Ε封装膜的水蒸气透过率是 EVA封装膜的10%，使电池能在潮湿环境下寿命更长；在黏接力，试验结果表面，在140°C层 压条件下Ρ0Ε封装膜的黏接力是EVA封装膜的2倍，在160°C的层压条件下，Ρ0Ε封装膜的 黏接力是EVA封装膜的4倍。在湿热试验中，Ρ0Ε封装膜在组件效率降低时能起到额外保护 的作用，而EVA封装膜会造成组件和封装膜的衰减；在耐热试验中，Ρ0Ε封装膜经历10000h 的氙弧灯后黄变指数变化不明显，Ρ0Ε封装膜除了耐水性和光照稳定性比EVA封装膜好之 外，还具有更高的体积电阻率和更低的漏电流，这有利于延长光伏组件的使用寿命，在加工 成本方面，POE封装膜的加工成本也远低于EVA封装膜，因为POE封装膜层压循环时间比 EVA封装膜缩短lOmin，效率提高了 30%，而且P0E封装膜的在制备过程中不会形成醋酸，避 免了液体水解对层压设备造成的损坏并且从根本上消除了起泡现象。
[0051] 且所述Ρ0Ε材料的重量组分为：
[0052] POE :80-100 份；
[0053] 增粘剂：0. 3-0. 5份；所述增粘剂为r-缩水甘油醚氧丙基三甲氧基硅烷；
[0054] 胶联固化剂：0. 3-1. 5份；所述胶联固化剂为叔丁基过氧化2-乙基己基碳酸酯；
[0055] 抗氧剂：0. 2-0. 4份；所述抗氧剂为β - (3, 5-二叔丁基-4-羟基苯基）丙酸；
[0056] 紫外光稳定剂：0. 1-0. 15份；所述紫外光稳定剂为双（1，2, 2, 6, 6-五甲基-4-哌 啶基）癸二酸酯和双（2, 2, 6, 6-四甲基-4-哌啶）癸二酸酯中的一种；
[0057] 紫外光吸收剂：0. 1-0. 15份。所述紫外光吸收剂为Ν-(乙氧基羧基苯基-甲 基-PT-苯基甲醚；
[0058] Ρ0Ε材料制成的封装膜厚度为0· 3-0. 5mm。
[0059] 所述步骤（9)中的玻璃是超白低铁钢化玻璃，且所述超白低铁钢化玻璃接触空气 的一面设有透光膜。
[0060] 所述步骤②中氨气流量为5. 3slm，硅烷流量为1400sccm，沉积时间为130s ;
[0061] 所述步骤③中氨气流量为6slm，硅烷流量为900sccm，沉积时间为530s。
[0062] 其中步骤(6)中的沉积双层氮化硅薄膜有两种【具体实施方式】：
[0063] 具体实施例一：
[0064] (1)将待镀膜的边长156*156mm的多晶硅片装满石墨舟，放入镀膜设备中。
[0065] ⑵设定沉积第一层氮化娃薄膜所需的氨气流量为5. 3slm，氮气流量为 1400sccm，沉积时间为130s。
[0066] (3)设定沉积第二层氮化娃薄膜所需的氨气流量为6slm，氮气流量为900sccm，沉 积时间为530s。
[0067] (4)运行工艺，等待氮化硅薄膜的沉积。
[0068] (5)等镀膜后的硅片冷却，取出硅片，测试氮化硅薄膜折射率为2. 14,厚度为 85nm，进入下道工序制作成电池。
[0069] (6)将电池分档后封装成组件，进行抗PID效果测试。测试结果如下：
[0071] 功率衰减为1. 37%，小于5%，达到抗PID效果。
[0072] 具体实施例二：
[0073] (1)将待镀膜的边长156*156mm的多晶硅片装满石墨舟，放入镀膜设备中。
[0074] ⑵设定沉积第一层氮化娃薄膜所需的氨气流量为5. lslm，氮气流量为 1480sccm，沉积时间为140s。
[0075] (3)设定沉积第二层氮化娃薄膜所需的氨气流量为6. 2slm，氮气流量为900sccm， 沉积时间为520s。
[0076] (4)运行工艺，等待氮化硅薄膜的沉积。
[0077] (5)等镀膜后的硅片冷却，取出硅片，测试氮化硅薄膜折射率为2. 14,厚度为 85nm，进入下道工序制作成电池。
[0078] (6)将电池分档后封装成组件，进行抗PID效果测试。测试结果如下：
[0080] 功率衰减为1.41 %，小于5%，达到抗PID效果。
【主权项】
1. 一种抗PID的太阳能电池制备方法，其特征在于，它包括以下步骤： (1) 、硅片切割； (2) 、去除损伤层； ⑶、制域； (4) 、扩散制结； (5) 、边缘刻蚀以及清洗； (6) 、沉积双层氮化硅薄膜； (7) 、丝网印刷上下电极； (8) 、共烧形成金属接触； (9) 、采用封装膜以及玻璃进行封装； 且所述步骤(6)中的沉积双层氮化硅薄膜又包括以下具体步骤： ① 、将步骤（5)清洗后的硅片装入石墨舟，放入镀膜设备； ② 、设定沉积第一层氮化硅薄膜所需的氨气流量为5-6slm，硅烷流量为 1300-1500SCCm，沉积时间为120-140S，然后进行第一层氮化硅薄膜沉积； ③ 、设定沉积第二层氮化硅薄膜所需的氨气流量为5. 5-6. 5slm，硅烷流量为 800-lOOOsccm，沉积时间为500-600S，然后进行第二层氮化硅薄膜沉积； ④ 、将两层氮化硅薄膜沉积完成的硅片进行步骤（7)的丝网印刷上下电极。2. 根据权利要求1所述的一种抗PID的太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤 (9)中采用的封装膜为POE材料制成，且所述POE材料的重量组分为： POE:80-100 份； 增粘剂：〇. 3-0. 5份； 胶联固化剂：〇. 3-1. 5份； 抗氧剂：〇. 2-0. 4份； 紫外光稳定剂：〇. 1-0. 15份； 紫外光吸收剂：〇. 1-0. 15份。3. 根据权利要求2所述的一种抗PID的太阳能电池制备方法，其特征在于：POE材料制 成的封装膜厚度为0. 3-0. 5mm。4. 根据权利要求1所述的一种抗PID的太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤 (9)中的玻璃是超白低铁钢化玻璃，且所述超白低铁钢化玻璃接触空气的一面设有透光膜。5. 根据权利要求1所述的一种抗PID的太阳能电池制备方法，其特征在于：所述步骤 ②中氨气流量为5. 3slm，硅烷流量为1400sccm，沉积时间为130s; 所述步骤③中氨气流量为6slm，硅烷流量为900sccm，沉积时间为530s。
【专利摘要】本发明涉及晶体硅太阳能电池技术领域，尤其涉及一种抗PID的太阳能电池制备方法，主要是针对双层氮化硅沉积工艺进行优化，采用这种方法制备的太阳能电池抗PID效果较好，且成本较低。
【IPC分类】H01L31/18
【公开号】CN105261672
【申请号】CN201510590990
【发明人】刘伟, 陈筑, 余涛, 刘晓巍, 俞军
【申请人】宁波尤利卡太阳能科技发展有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2015年9月17日