ing bond)，在娃基板上形成氧化物膜。将具有形成于其上的扩散层的硅基板在氧气气氛下在800至1000°C下处理0.5至2小时，以形成作为钝化膜的硅氧化物膜。硅氧化物膜优选具有3至30nm的膜厚。
[0056]接下来，在各背面和正面上形成防反射膜。通过等离子体CVD法在基板的各背面和正面上沉积作为介电膜的氮化硅膜。氮化硅膜优选具有70至lOOnm的膜厚。关于反应气体，在许多情况下使用混合状态的硅烷(SiH4)和氨(NH3)。也可使用氮来代替NH3。为了调整过程压力、稀释反应气体并促进当使用多晶硅作为基板时基板的体钝化(bulkpassivat1n)效果，可将氢与反应气体混合。除了根据等离子体的方法以外，可使用热CVD或光CVD等作为激发CVD用反应气体的方法。防反射膜的可选实例包括硅氧化物、二氧化钛膜、氧化锌膜、氧化锡膜、氧化钽膜、氧化铌膜、氟化镁膜和氧化铝膜。形成方法的实例除上述以外还包括涂布法和真空蒸镀法。从经济的观点，氮化硅膜适合由等离子体CVD法形成。
[0057]然后，形成电极。例如，使用丝网印刷装置等，将主要包含银的糊剂(paste)以预定的图案印刷在基板的背面上的P型扩散层和η型扩散层上，接着干燥。
[0058]图8示出本发明的背接触型太阳能电池的背面电极图案的实例。如图8所示，在背面电极图案中，对应于栅线801的多条线基本上平行地设置。1至4个栅线不连续部位802存在于沿长度方向的同一线上，并且小母线803与栅线不连续部位802相邻。栅线不连续部位802对于每条线上呈基本上直线地排列。优选栅线801具有50至500 μ m的线宽804，并且小母线803具有200至2000 μ m的线宽805和200至5000 μ m的长度806。栅线801之间的距离807优选300至5000 μ m。
[0059]糊剂包含用于增加硅基板与电极之间的接着强度的组分。该组分称作玻璃粉(glass frit) ο由于ρ型扩散层所需的玻璃粉的种类和量不同于η型扩散层所需的那些，所以糊剂可分别地印刷在Ρ型电极和η型电极上。在这种情况下，例如，必须分别制备当在第一次印刷期间印刷Ρ型电极时的图案和当在第二次印刷期间印刷η型电极时的图案。由于小母线部分几乎不需要玻璃粉组分，所以糊剂可分别印刷在小母线部分和栅线部分。
[0060]这些印刷之后，在烧结炉(firing furnace)中，在500至900°C下进行烧结1至30分钟，并使银粉贯通(passed through)氮化娃膜(烧结通过(fire through))，以提供电极与硅之间的电连接。
[0061]如上所述，已使用实施方案描述本发明，但是本发明的技术范围不限于实施方案中描述的范围。对于本领域技术人员可将各种改变或改进添加至实施方案是明显的。从权利要求的描述明显的是本发明的技术范围可包括添加改变或改进的形式。例如，实施例中使用P型基板，但是可使用η型基板。
[0062]附图标iP,说曰月
[0063]101、201、305、401、501:硅基板
[0064]102、202、301、402、801:栅线
[0065]103、203、302、403:母线
[0066]204:条线
[0067]205、303:电流
[0068]304:栅线正下方的扩散层
[0069]502:第一导电型扩散区域
[0070]503:第二导电型扩散区域
[0071]504、607:第一导电型集电电极
[0072]505、608:第二导电型集电电极
[0073]506,606:第一导电型集电电极的不连续部位
[0074]507,603:第二导电型集电电极的不连续部位
[0075]508^803:小母线
[0076]509、805:小母线的线宽
[0077]510,804:栅线的线宽
[0078]511、806:小母线的长度
[0079]512:第一导电型扩散区域的宽度
[0080]513:第二导电型扩散区域的宽度
[0081]514:第一导电型电极与第二导电型电极之间的距离
[0082]601:第一导电型条线
[0083]602:第一导电型小母线
[0084]604:第二导电型条线
[0085]605:第二导电型小母线
[0086]701:p型硅基板
[0087]702:n型扩散区域
[0088]703:p型扩散区域
[0089]704:n型扩散区域的宽度
[0090]705:p型扩散区域的宽度
[0091]706:n型扩散区域与ρ型扩散区域之间的间隔
[0092]707:基板端部与最接近基板端部的扩散层端部之间的间隔
[0093]802:栅线的不连续部位
[0094]807:栅线之间的距离
【主权项】
1.一种太阳能电池，其包括: 半导体基板； 在位于所述半导体基板受光面侧的相对侧上的背面侧上形成的第一导电型区域； 在所述半导体基板的所述背面侧上形成的第二导电型区域； 在所述第一导电型区域上基本上线性地形成的第一导电型集电电极；和 在所述第二导电型区域上基本上线性地形成的第二导电型集电电极，其中 所述第一导电型区域和所述第二导电型区域交替排列， 所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极各自具有不连续部位，和各导电型的所述不连续部位在所述第一导电型区域和所述第二导电型区域交替排列的排列方向上呈基本上直线地排列。2.根据权利要求1所述的太阳能电池，其中与各所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极的各自的所述不连续部位相邻的部分形成比各所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极的其它部分厚的小母线。3.根据权利要求2所述的太阳能电池，其中 各所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极的所述小母线具有200至2000 μπι的线宽，和 各所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极的除所述小母线以外的部分具有50至500 μ m的线宽。4.根据权利要求2或3所述的太阳能电池，其中所述小母线设置在所述半导体基板中与各所述第一导电型集电电极和所述第二导电型集电电极的长度方向的端部不相邻的位置。5.根据权利要求2-4任一项所述的太阳能电池，其中所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极之一的所述不连续部位与所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极的另一个的所述小母线沿排列方向相邻。6.根据权利要求1-5任一项所述的太阳能电池，其中沿各所述第一导电型集电电极和第二导电型集电电极的长度方向，所述不连续部位的数量为1至4。
【专利摘要】本发明提供一种背接触型太阳能电池，其显示出小的功率损失、通过其可自由定位母线并且具有简单的生产工序。本发明提供：半导体基板；在半导体基板的背面侧上形成的第一导电型区域，所述背面侧在半导体基板受光面侧的相对侧上；在半导体基板的背面侧上形成的第二导电型区域；在第一导电型区域上直线状地形成的第一导电型集电电极；和在第二导电型区域上直线状地形成的第二导电型集电电极。第一导电型区域和第二导电型区域交替排列。第一导电型集电电极和第二导电型集电电极设置有不连续部位。在第一导电型区域和第二导电型区域交替排列的排列方向上，各导电型的不连续部位设置为呈基本上直线地排列。
【IPC分类】H01L31/0224
【公开号】CN105324849
【申请号】CN201480032519
【发明人】森力, 渡部武纪, 大塚宽之
【申请人】信越化学工业株式会社
【公开日】2016年2月10日
【申请日】2014年5月8日
【公告号】EP3007233A1, US20160118515, WO2014196307A1