图案层600从一条数据线DL的一侧延伸至另一侧。具体来说，接触图案层600覆盖本实施例的像素结构中的至少一条数据线DL的部分区域。更进一步来说，接触图案层600覆盖前述至少一条数据线DL两侧的漏极D的部分区域。亦即，接触图案层600覆盖至少两相邻开关元件TFT的部分区域，如图6A所示。接触图案层600的材质可以是有机绝缘材料，但本发明不限于此。请同时参照图7A以及图7B，紧接着形成第一图案化透明导电层710。第一图案化透明导电层710配置于接触图案层600以及开关元件TFT上，其中第一图案化透明导电层710局部覆盖接触图案层600且延伸至局部覆盖对应的开关元件TFT上，以与对应的开关元件TFT直接接触并电连接。换言之，第一图案化透明导电层710与开关元件TFT的漏极D直接接触且电连接，并延伸至接触图案层600的上方以覆盖接触图案层600的局部。因此，第一图案化透明导电层710由较低的地形藉由爬坡的方式延伸至较高的地形。另一方面，第一图案化透明导电层710的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、其他合适的氧化物或者是上述至少二者的堆叠层。
[0047]在完成第一图案化透明导电层710之后，请同时参照图8A以及图8B，在接触图案层600的周边形成彩色滤光图案层CF，且彩色滤光图案层CF包括第一彩色滤光图案CFl以及第二彩色滤光图案CF2。换言之，第一彩色滤光图案CFl以及第二彩色滤光图案CF2对应每一子像素设置，且第一彩色滤光图案CFl以及第二彩色滤光图案CF2分别具有缺口 0ΡΝ，而接触图案层600则是对应设置于缺口 OPN中。值得注意的是，在本实施例中，两相邻的子像素共用一个接触图案层600，故单一接触图案层600会配置于第一彩色滤光图案CFl的缺口 OPN以及第二彩色滤光图案CF2的缺口 OPN所形成的空间内。另一方面，在本实施例中，彩色滤光图案层CF会覆盖数据线DL，以确保数据线DL与后续工艺中其他膜层的绝缘性。
[0048]承上述，第一彩色滤光图案CFl以及第二彩色滤光图案CF2可以是选自红色、绿色或是蓝色的彩色滤光图案，本发明不限于此。另一方面，第一彩色滤光图案CFl以及第二彩色滤光图案CF2的颜色可以是相同或者是不同，本发明不限于此。除此之外，本实施例的彩色滤光图案层CF以及开关元件TFT是设置在相同的基板100上，以构成彩色滤光层于像素阵列上(color filter on array，COA)的结构。
[0049]请同时参照图9A以及图9B，在彩色滤光图案层CF以及接触图案层600上形成第二图案化透明导电层720。第二图案化透明导电层720具有多个第一接触窗C2，且第一接触窗C2暴露出第一图案化透明导电层710以及接触图案层600的部分区域。换言之，第二图案化透明导电层720全面性地覆盖像素结构，而只暴露出第一图案化透明导电层710以及接触图案层600的部分区域，以与第一图案化透明导电层710形成一横向电场(未绘示)。第二图案化透明导电层720的材料可以与第一图案化透明导电层710相同或不同，本发明不特别作限定。
[0050]接着，请同时参照图1OA以及图10B，在完成第二图案化透明导电层720后，还包括形成保护层800的步骤。换言之，保护层800覆盖第二图案化透明导电层720、接触图案层600以及彩色滤光图案层CF，以达到保护这些元件的效果。保护层800的材料包含无机材料(例如:氧化娃、氮化娃、氮氧化娃、其他合适的材料或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料、或其他合适的材料或上述的组合。除此之外，保护层800更具有多个第二接触窗C3。类似于第一接触窗C2，第二接触窗C3也暴露第一图案化透明导电层710以及接触图案层600的部分区域。
[0051]请同时参照图1lA以及图11B，在保护层800上形成第三图案化透明导电层730。第三图案化透明导电层730的材料可以与第一图案化透明导电层710以及第二图案化透明导电层720相同或不同，且第三图案化透明导电层730透过贯穿保护层800的第二接触窗C3与第一图案化透明导电层710直接接触且电连接。如前述，由于开关元件TFT的漏极D与第一图案化透明导电层710电连接，故第三图案化透明导电层730实质上是藉由第一图案化透明导电层710与开关元件TFT的漏极D电连接。
[0052]在此步骤中，本实施例的像素结构P已大致完成，且像素结构P包含相邻的两个子像素P1、P2。在本实施例中，相邻的两个子像素P1、P2共用同一个接触图案层600，以使得子像素P1、P2的开关元件TFT中的源极D能够顺着接触图案层600向较高的地形延伸，并使得第三图案化透明导电层730能够藉由延伸的第一图案化透明导电层710与开关元件TFT中的源极D电连接。因此，连接像素电极700与源极D的接触窗能够不受工艺极限的限制，进而降低工艺难度。
[0053]综上所述，本发明为相邻的两个子像素共用接触图案层，并利用不同的图案化透明导电层作为漏极的延伸部往上层延伸，能够使得最上层的图案化透明导电层经由在其之下的图案化透明导电层与漏极电连接。藉此，像素结构中的接触窗的工艺能够不受到像素结构大小以及工艺极限的限制，并使得最上层的图案化透明导电层能够确实与漏极电连接，提供较佳的显示品质。
[0054]虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术领域的一般技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视权利要求所界定的范围为准。
【主权项】
1.一种像素结构，适于配置于一基板上，其特征在于，所述像素结构包括: 多个扫描线及多个数据线，互相交错设置于所述基板上； 多个子像素，包括: 多个开关元件，各所述开关元件分别与其中一条扫描线及其中一条数据线电连接； 一接触图案层； 多个彩色滤光图案层，所述接触图案层与所述彩色滤光图案层配置于所述基板与所述开关元件上，其中所述接触图案层覆盖至少两个相邻开关元件的部分区域，至少两个彩色滤光图案层分别具有一缺口，且所述接触图案层对应设置于所述缺口中；以及 多个像素电极，配置于所述彩色滤光图案层、所述触图案层与所述开关元件上，其中至少一像素电极部分设置于彩色滤光图案层与对应的所述开关元件之间且电连接。2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，各所述开关元件包括一与所述扫描线电连接的栅极、一与对应数据线电连接的源极以及一与对应像素电极电连接的漏极。3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，各所述开关元件包括一多晶硅晶体管，而各所述开关元件中的源极与漏极形成于所述多晶硅晶体管的一多晶硅层中。4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素电极包括: 一第一图案化透明导电层，配置于所述接触图案层及所述开关元件上，其中各所述第一图案化透明导电层局部覆盖所述接触图案层且延伸至局部覆盖对应的开关元件上，以与对应的开关元件直接接触并电连接； 一第二图案化透明导电层，配置于所述彩色滤光图案层与所述接触图案层上，且所述第二图案化透明导电层具有多个第一接触窗以暴露出各所述第一图案化透明导电层的部分区域；以及 一第三图案化透明导电层，配置于所述第二图案化透明导电层上，其中所述第三图案化透明导电层藉由所述第一接触窗与所述第一图案化透明导电层直接接触并电连接。5.如权利要求4所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括一保护层，其中所述保护层覆盖所述第二图案化透明导电层、所述接触图案层以及所述彩色滤光图案层，且所述保护层具有多个第二接触窗以暴露出各所述第一图案化透明导电层的部分区域。6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，各所述第一图案化透明导电层透过各所述第一接触窗以及各所述第二接触窗与对应的第三图案化透明导电层电连接。7.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述接触图案层从其中一条数据线的一侧延伸至另一侧，以覆盖所述条数据线的部分区域。8.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构还包括一遮光层，其中所述遮光层分布于所述开关元件与所述基板之间。9.如权利要求8所述的像素结构，其特征在于，所述遮光层还分布于所述扫描线与所述基板之间以及所述数据线与所述基板之间。
【专利摘要】本发明提供了一种像素结构，其包括多个扫描线、多个数据线以及多个子像素。扫描线及数据线互相交错设置于基板上。子像素包括开关元件、接触图案层、彩色滤光图案层以及像素电极。开关元件分别与一条扫描线及一条数据线电连接。接触图案层与彩色滤光图案层配置于基板与开关元件上，接触图案层覆盖至少两个相邻开关元件的部分区域，至少两个彩色滤光图案层分别具有一缺口，且接触图案层对应设置于缺口中。像素电极配置于彩色滤光图案层、接触图案层与开关元件上，至少一像素电极部分设置于彩色滤光图案层与对应的开关元件之间且电连接。
【IPC分类】H01L27/146
【公开号】CN105336755
【申请号】CN201510710446
【发明人】蔡艾茹, 李长纮, 李明贤, 李宸慷
【申请人】友达光电股份有限公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2015年10月28日