个的传输线电路中的可变串联阻抗。
[0037] 图7中所示的沉积系统700与图2中所示的沉积系统200类似，不同之处在于在闭 环天线阵列115A、115B中的每一个上的一对调谐设备705。调谐设备705中的每一个可与 图5和图6中所述的第一调谐设备505和第二调谐设备605类似。在闭环天线阵列115A、 115B中的每一个上的运对调谐设备705提供在每一个闭环上的等离子体管140A与140B之 间的功率平衡方面，并且还共同用作用于调节对相应的施加器115A和115B的功率禪合的 调谐器。
[0038] 图8中所示的沉积系统800与图4中所示沉积系统400类似，不同之处在于设置 在闭环天线阵列115A、115B中的每一个上的一对调谐设备705。调谐设备705中的每一个 可与图5中所述的第一调谐设备505或图6中所述的第二调谐设备相同。在闭环天线阵 列115A、115B中的每一个上的运一对调谐设备705提供了在每一个闭环上的等离子体管 140A、140B之间的功率平衡方面，W及提供调节对相应的施加器的功率禪合。隔离器152使 每一个闭环天线阵列115A、115B为非谐振的负载。
[0039] 图9是沉积系统100、200、400、500、600、700和800的实施例可在其中利用的竖 直的直列式CVD系统900的示意表示。系统900的尺寸可设定为处理具有高达或大于约 90000cm2的表面积的基板，并且每小时能够处理多于90个基板。系统900可配置成当基板 正相对于沉积系统1〇〇、200、400、500、600、700和800移动（即，动态的）时在基板上沉积 材料。或者，系统900可配置成当基板相对于沉积系统100、200、400、500、600、700和800 静止（即，静态的）时在基板上沉积材料。
[0040] 系统900优选地包括两条单独的处理线905A、905B，运两条单独的处理线905A、 905B由公共的系统控制平台910禪接在一起W形成成对的工艺线配置/布局。系统900的 每一条处理线905A、905B还配置成同时处理两个基板。公共的电源、公共和/或共享的累送 和排放部件W及公共的气体面板均可用于成对的处理线905A、905B。每一条处理线905A、 905B每小时可处理多于45个基板，W实现总共每小时大于90个基板的系统。还构想了该 系统可使用单条工艺线或多于两条的工艺线来配置。虽然系统900配置成竖直地处理基 板，但是系统也可配置成在非竖直的平面中（诸如，水平地）处理基板。
[0041] 竖直基板处理的成对的处理线905A、905B具有若干益处。由于腔室是竖直地布置 的，因此，系统900的覆盖面积大约与单个常规的水平处理线相同。因此，在大约相同的覆 盖面积内，存在两条处理线905A、905B，运有益于制造商节省制造厂房内的占用面积。为有 助于理解术语"竖直"的含义，考虑平板显示器。平板显示器（诸如，计算机监视器）具有 长度、宽度和厚度。当平板显示器是竖直的时，长度或宽度从地平面垂直地延伸，而厚度平 行于地平面。相反，当平板显示器是水平的时候，长度和宽度两者平行于地平面，而厚度垂 直于地平面。
[0042] 每一条处理线905A、905B包括基板堆叠模块915A、915B，从该基板堆叠模块915A、 915B中检索新的基板（即，尚未在系统900内处理的基板）并储存处理过的基板。大气压 机械臂920A、920B从基板堆叠模块915A、915B中检索基板，并将基板放入双重基板装载站 925A、925B。应当理解，虽然基板堆叠模块915A、915B示出为使基板沿水平取向堆叠，但是 与基板被保持在双重基板装载站925A、925B中的方式类似，能W竖直取向来维持设置在基 板堆叠模块915A、915B中的基板。随后，新的基板被移入双重基板负载锁定腔室模块930A、 930B，并且随后被移至双重基板处理腔室模块935A、935B。双重基板处理腔室模块935A、 935B中的每一个可W包括如本文所述的沉积系统100、200、400、500、600、700和800的实施 例。在每一个处理腔室模块935A、935B中利用的每一个沉积系统100、200、400、500、600、 700或800可定位在两个基板之间，使得两个基板可W利用单个沉积系统100、200、400、 500、600、700或800，在每一个处理腔室模块935A、935B中来处理。随后，现在经处理的基板 通过双重基板负载锁定腔室模块930A、930B中的一个返回到双重基板装载站925A、925B中 的一个，在双重基板装载站925A、925B处，基板由大气压机械臂920A、920B中的一个检索， 并被送回至基板堆叠模块915A、915B中的一个。
[0043] 如本文中所述的具有闭环天线阵列115A、115B的沉积系统100、200、400、500、 600、700和800降低了拥有成本，因为天线硬件（射频发生器、隔离器和调谐器）的数量显 著地减少。例如，从常规意义上而言，两个电源（射频发生器）将会用来操作每一个等离子 体管140A和140B(即，每一个管140A、140B的每一端设有一个），但是仅单个电源用来操作 每一个闭环天线阵列115A和115B(包括等离子体管140A和140B两者），运使电源的数量 减少4倍。因此，电源和相关硬件零件的成本显著地降低，从而降低了拥有成本。另外，通 过利用竖直式CVD系统，可同时处理多个基板。同时处理多个基板降低了制造成本，运可增 加制造商的利润。
[0044] 尽管上述内容针对本文中所公开的本发明的实施例，但可设计本发明的其他和进 一步的实施例而不背离本发明的基本范围，并且本发明的范围由所附权利要求书来确定。
【主权项】
1. 一种沉积系统，所述沉积系统包括： 第一电磁波施加器，所述第一电磁波施加器包括第一闭环天线阵列，所述第一闭环天 线阵列耦接至第一专用射频发生器；以及 第二电磁波施加器，所述第二电磁波施加器包括第二闭环天线阵列，所述第二天线闭 环阵列邻近所述第一闭环天线阵列而设置，并耦接至第二专用射频发生器，其中，所述第一 闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列中的每一个都包括一对直线型等离子体管。2. 根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述一对直线型等离子体管中的每 一个直线型等离子体管在一端处由同轴导管电耦接，并在另一端处由横向构件电耦接。3. 根据权利要求2所述的沉积系统，其特征在于，所述横向构件包括电隔离器。4. 根据权利要求2所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管以及所述直线型等离 子体管中的一个直线型等离子体管中的一者或两者包括调谐器设备。5. 根据权利要求4所述的沉积系统，其特征在于，所述调谐器设备包括反射器。6. 根据权利要求2所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管与所述直线型等离子 体管中的一个直线型等离子体管相交。7. 根据权利要求6所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管以及所述直线型等离 子体管中的一个直线型等离子体管中的一者包括弯曲部分。8. 根据权利要求1所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二 闭环天线阵列是共平面的。9. 一种用于化学气相沉积工艺的沉积系统，所述系统包括： 气体分配系统，所述气体分配系统包括一个或多个气体分配导管；以及 第一闭环天线阵列，所述第一闭环天线阵列耦接至第一专用射频发射器；以及 第二闭环天线阵列，耦接至第二专用射频发射器，所述第二闭环天线阵列邻近所述第 一闭环天线阵列而设置。10. 根据权利要求9所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二 闭环天线阵列是共平面的。11. 根据权利要求9所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二 闭环天线阵列是相啮合的。12. 根据权利要求9所述的沉积系统，其特征在于，所述第一闭环天线阵列和所述第二 闭环天线阵列中的每一个都包括一对直线型等离子体管。13. 根据权利要求12所述的沉积系统，其特征在于，所述一对直线型等离子体管中的 每一个直线型等离子体管在一端处由同轴导管电耦接，并且在另一端处由横向构件电耦 接。14. 根据权利要求13所述的沉积系统，其特征在于，所述横向构件包括电隔离器。15. 根据权利要求13所述的沉积系统，其特征在于，所述同轴导管包括调谐器设备。16. 根据权利要求15所述的沉积系统，其特征在于，所述调谐器设备包括反射器。
【专利摘要】本公开总体涉及一种沉积系统，所述沉积系统包括：第一电磁波施加器，所述第一电磁波施加器包括耦接至第一专用射频发生器的第一闭环天线阵列；以及第二电磁波施加器，所述第二电磁波施加器包括邻近所述第一闭环天线阵列而设置并耦接至第二专用射频发生器的第二闭环天线阵列，其中，所述第一闭环天线阵列和所述第二闭环天线阵列中的每一个都包括一对直线型等离子体管。
【IPC分类】H05H1/46, H01L21/205
【公开号】CN105340063
【申请号】CN201480037128
【发明人】J·M·怀特, J·库德拉
【申请人】应用材料公司
【公开日】2016年2月17日
【申请日】2014年4月15日
【公告号】WO2014193553A1