025] 2、本发明制备连接器的三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料中合理配伍 铝合金的组分，不仅降低了Si元素的含量以及杂质的含量，还添加了B元素和Zr元素，并 添加了稀土元素，通过各元素之间产生的协同作用，在不降低铝合金力学性能的同时提高 铝合金的导电性能，进而提高复合材料的导电性。
[0026] 3、本发明制备连接器的三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料的制备方法 为先制成三层层状多孔氮化硅陶瓷，再将铝合金引入三层层状多孔氮化硅陶瓷中，使制得 的复合材料中氮化硅陶瓷和铝合金互为支撑骨架，充分发挥两者材料的优点，并进一步提 高复合材料的硬度、耐磨性、耐腐蚀性等物理性能。
【附图说明】
[0027] 图1为本发明用于割草机的连接器的结构示意图。
[0028] 图中，1、主轴；2、柱形环；3、锥形环。
【具体实施方式】
[0029] 以下是本发明的具体实施例并结合附图，对本发明的技术方案作进一步的描述， 但本发明并不限于这些实施例。
[0030] 如图1所示，本发明用于割草机的连接器，包括主轴1，主轴顶端端面为弧形面，主 轴底端端面为平面，在主轴的中部径向向外延伸形成有一柱形环2,在主轴上具有一锥形环 3,锥形环3位于主轴1底端和柱形环2之间，锥形环3的外径由主轴1底端朝主轴顶端逐 渐增大。
[0031] 作为优选，锥形环3的最大外径与柱形环2的外径相等。
[0032] 本发明连接器由三维网络氮化硅陶瓷/铝合金复合材料制成，所述三层层状多孔 氮化硅陶瓷/铝合金复合材料包括体积百分比含量为10-30 %的三层层状多孔氮化硅陶瓷 和体积百分比含量为70-90%的铝合金。
[0033] 所述的三层层状氮化硅陶瓷包括上表面层、下表面层以及上下表面层之间的中间 层，其中上表面层和下表面层氮化硅陶瓷的原料组成（质量百分比计）均为90-95%Si3N4 和5-10%Y203,中间层氮化硅陶瓷的原料组成（质量百分比计）为0· 5-3%Si02、0. 5-1% 炭黑、2-6%Y203、余量Si3N4。
[0034] 作为优选，所述炭黑的粒径为60-80nm，Si〇J9粒径为0. 1-0. 5μm，Y203的粒径为 0.2-1.2以111，51#4为〇>95%的〇^#4。
[0035] 所述的铝合金由以下成分（以质量百分比计）组成：Si:5· 5-6%，Zr: 0. 05-0. 15%,B：0. 1-0. 2%,Sr：0. 01-0. 03%,Fe：0. 5-0. 7%,Cu^ 0. 01 %,Mg^ 0. 01 %, Μη彡 0· 01%，Cr彡 0· 001%，Ti彡 0· 02%，V彡 0· 02%，Zn彡 0· 05 %，稀土 元素： 0.01-0. 1%，余量为A1以及不可避免的杂质元素。
[0036] 作为优选，稀土元素由Y和Er按质量比为（0. 5-1. 5) :1组成。
[0037] 所述三层层状多孔氮化硅陶瓷/铝合金复合材料由如下方法制得：
[0038] 分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料，分别将配料利用有机载体浸 渍成型并在〇. 3-0. 6MPa的氮气压力和1700-1730°C下烧结l_2h，分别制得上表面层、中间 层、下表面层的干粉；
[0039] 将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3_4MPa的压力下 压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷；
[0040] 将三层层状多孔氮化硅陶瓷与铝合金利用真空-气压铸造方法制成三层层状多 孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料。
[0041] 实施例1
[0042] 分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化 硅陶瓷的原料组成（质量百分比计）均为92%Si3N4和8%Y203，中间层氮化硅陶瓷的原 料组成（质量百分比计）为1. 8%Si02、0. 8%炭黑、4%Υ203、余量Si3N4;所述炭黑的粒径 为 60-80nm，Si〇J9 粒径为 0· 1-0. 5μm，Y203的粒径为 0· 2-1. 2μm，Si3N4为α>95 % 的 α-Si3N4〇
[0043] 分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0.4MPa的氮气压力和1720Γ下烧结 1.5h，分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
[0044] 将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3. 5MPa的压力下 压制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
[0045] 将三层层状多孔氮化硅陶瓷与铝合金（以重量百分比计的组成成分：Si:5. 7%， Zr：0. 10%,B：0. 14%,Sr：0. 020%,Fe：0. 58%,Cu^ 0. 01%,Mg^ 0. 01%,Mn^ 0. 01%, Cr彡（λ001%，Ti彡（λ02%，V彡（λ02%，Zn彡（λ05%，稀土元素：0· 06%，余量为A1 以及 不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Y和Er按质量比为1 :1组成）利用真空-气压铸造 (真空度为〇.〇6MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料（复合材料中三 层层状多孔氮化硅陶瓷和铝合金的体积百分比分别为20%和80% )。
[0046] 通过普通的锻造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料制成本 发明割草机中的连接器。
[0047] 实施例2
[0048] 分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化 硅陶瓷的原料组成（质量百分比计）均为94%Si3N4和6%Y203，中间层氮化硅陶瓷的原 料组成（质量百分比计）为1.0%Si02、0.9%炭黑、5%Υ203、余量Si3N4;所述炭黑的粒径 为 60-80nm，Si02 的粒径为 0· 1-0. 5μπι，Y203的粒径为 0· 2-1. 2μπι，Si3N4为α>95 % 的 a -Si3N4〇
[0049] 分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0. 5MPa的氮气压力和1710°C下烧结lh， 分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
[0050] 将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在4MPa的压力下压 制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
[0051] 将三层层状多孔氮化硅陶瓷与铝合金（以重量百分比计的组成成分：Si:5. 8%， Zr：0. 08%,B：0. 16%,Sr：0. 015%,Fe：0. 60%,Cu^ 0. 01%,Mg^ 0. 01%,Μη^ 0. 01 %, Cr彡 0· 001%，Ti彡 0· 02%，V彡 0· 02%，Zn彡 0· 05%，稀土元素：0· 04%，余量为A1 以及 不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Y和Er按质量比为1. 2 :1组成）利用真空-气压铸 造（真空度为0. 〇55MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料（复合材料 中三层层状多孔氮化硅陶瓷和铝合金的体积百分比分别为15%和85% )。
[0052] 通过普通的锻造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料制成本 发明割草机中的连接器。
[0053] 实施例3
[0054] 分别按上表面层、中间层、下表面层所述的原料配料：上表面层和下表面层氮化 硅陶瓷的原料组成（质量百分比计）均为93%Si3N4和7%Y203，中间层氮化硅陶瓷的原 料组成（质量百分比计）为2.5%Si02、0.6%炭黑、2%Υ203、余量Si3N4;所述炭黑的粒径 为 60-80nm，Si〇J9 粒径为 0· 1-0. 5μm，Y203的粒径为 0· 2-1. 2μm，Si3N4为α>95 % 的 α -Si3N4〇
[0055] 分别将配料利用有机载体浸渍成型并在0· 5MPa的氮气压力和1715°C下烧结2h， 分别制得上表面层、中间层、下表面层的干粉。
[0056] 将制得的上表面层、中间层、下表面层的干粉依次敷放，最后在3MPa的压力下压 制成型，得三层层状多孔氮化硅陶瓷。
[0057] 将三层层状多孔氮化硅陶瓷与铝合金（以重量百分比计的组成成分：Si:5. 6%， Zr：0. 12%,B：0. 12%,Sr：0. 025%,Fe：0. 55%,Cu^ 0. 01%,Mg^ 0. 01%,Μη^ 0. 01 %, Cr彡 0· 001%，Ti彡 0· 02%，V彡 0· 02%，Zn彡 0· 05%，稀土元素：0· 08%，余量为A1 以及 不可避免的杂质元素，其中稀土元素由Y和Er按质量比为0. 8 :1组成）利用真空-气压铸 造（真空度为0. 〇7MPa)方法制成三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料（复合材料 中三层层状多孔氮化硅陶瓷和铝合金的体积百分比分别为25%和75% )。
[0058] 通过普通的铸造成型工艺将三层层状多孔碳化硅陶瓷/铝合金复合材料制成本 发明割草机中的连接器。
[0059] 实施例4
[0060] 分