面的光吸收，显著提升光提取效率。
[0027]2.可以显著提升器件的电流扩展能力，从而体现大功率芯片的尺寸成本优势与高可靠性。
[0028]3.易于与现有生产工艺相集成，成本与传统结构芯片接近，具备显著的性价比优势。
【附图说明】
[0029]图1是本发明的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片的剖面示意图。
[0030]其中，1、ρ面电极，2、衬底，3、键合层，4、反射镜层，5、绝缘层，6、ρ型电流扩展层，7、Ρ型半导体层，8、有源发光区,9、η型半导体层，10、η型电流扩展层，11、窗口层，12、η面电极,13、η焊盘。
【具体实施方式】
[0031]如图1所示，本发明的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，由底部至顶部依次包括P面电极1、衬底2、键合层3、反射镜层4、绝缘层5、p型电流扩展层6、p型半导体层7、有源发光区8、η型半导体层9、η型电流扩展层10、窗口层11和η面电极12,窗口层11上设置有η焊盘13。ρ面电极1制备在衬底2的背面。绝缘层5上分布有开孔，反射镜层4通过绝缘层上的开孔与ρ型电流扩展层6接触(反射镜层4的材料填充到绝缘层中的开孔，并与Ρ型电流扩展层6接触)，兼顾与电流扩展层6的欧姆接触。窗口层11中设有深达η型电流扩展层10上表面的开孔。η面电极12设置在η型电流扩展层10的上表面，且处于窗口层11的开孔中。有源发光区是多量子阱或多异质结的结构。
[0032]ρ面电极1的厚度为0.5 μ m-10 μ m。P面电极使用蒸发或溅射的方式制备，其材料选用Au、Ge、N1、T1、Cr、Al、Ag、Cu、Be、Pd和Pt中的一种或多种任意比例的组合。
[0033]衬底2 的厚度为 20 μ m-300 μ m。衬底的材料选用 S1、GaAs、A1203、GaP、InP、SiC、Cu、Mo 或 Al。
[0034]键合层3的厚度为0.2 μ m-10 μ m。键合层3使用蒸发或減射的方式制备,材料选用Au、In、Sn、T1、Pt、Al或Cr中的一种或多种任意比例的组合。
[0035]反射镜层4 的厚度为 0.1 μ m-10 μ m，材料选用 Au、Ge、N1、T1、Al、Ag、Cu、Cr、Be、
Pd和Pt —种或多种任意比例的组合，使用蒸发或溅射的方式制备。反射镜层4通过在绝缘层5中开孔与ρ型电流扩展层6接触。
[0036]绝缘层5厚度为0.1 μ m-5 μ m，使用CVD或溅射或蒸发方式制备，其内的开孔直径为0.5 μ m-50 μ m。可以选用Si02、Si3N4、Ti02或A1203等绝缘材料。
[0037]p型电流扩展层6的厚度为0.1 μ m-10 μ m, p型掺杂的浓度为lX10lscm3—lX1021cm3。材料可以是 M0CVD 技术制备的 ρ-GaP、ρ-Α1ΙηΡ、p-GalnP、ρ-GaAs、p-AlAS、p-AlGaAs、p-AlAsP 或 ρ-AlGalnP。
[0038]p型半导体层7的厚度为0.1μ m-10 μ m，ρ型掺杂的浓度为1 X 1017cm 3-1 X 1021cm 3，材料可以是 M0CVD 技术制备的 ρ-GaP、ρ-Α1ΙηΡ、p-GalnP、ρ-GaAs、p-AlAS、p-AlGaAs、p-AlAsP 或 ρ-AlGalnP。
[0039]有源发光区8是多量子阱或多异质结的结构，材料为AllnP、GalnP、AlGalnP、GaAs、InGaAs、AlGaAs、AlAsP、GaAsP中的一种或多种任意比例的组合。
[0040]η型半导体层9的厚度为0.1μ m-10 μ m，η型掺杂的浓度为lX1017cm3-lX1021cm3。材料可以是 M0CVD 技术制备的 n-GaP、n-AlInP、n-GaInP、n_GaAs、n-AlAS、η-AlGaAs、η-AlAsP 或 n-AlGalnP。
[0041]η型电流扩展层10的厚度为0.1 μ m-10 μ m，η型掺杂的浓度为1 X 1017cm 3-1 X 1021cm 3。材料可以是 M0CVD 技术制备的 n_GaP、n_AlInP、n-GalnP、η-GaAs、n-AlAS、η-AlGaAs、η-AlAsP 或 n-AlGalnP。
[0042]窗口层11的厚度为0.1 μ m-10 μ m,其内开孔直径为0.5 μ m_50 μ m。材料可以是 M0CVD 技术制备的 n_GaP、η-ΑΙΙηΡ、n-GalnP、η-GaAs、n-AlAS、η-AlGaAs、η-AlAsP 或n-AlGalnP, n 型掺杂的浓度为 1 X 1017cm 3_1 X 1021cm 3。
[0043]n面电极12的厚度为0.5 μ m-10 μ m,使用蒸发或減射的方式制备。材料选用Au、Ge、N1、T1、Cr、Al、Ag、Cu、Be、Pd或Pt中的一种或多种任意比例的组合。
[0044]η焊盘13的厚度为0.5 μ m-10 μ m,使用蒸发或減射的方式制备。可以选用Au、Ge、N1、T1、Cr、Al、Ag、Cu、Be、Pd、Pt的一种或多种任意比例的组合。
【主权项】
1.一种η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，自下至上依次包括p面电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、P型电流扩展层、P型半导体层、有源发光区、η型半导体层、η型电流扩展层、窗口层、η面电极和η面焊盘；其特征是:ρ面电极制备在衬底的底面；绝缘层上分布有开孔，反射镜层通过绝缘层上的开孔与Ρ型电流扩展层接触；有源发光区是多量子阱或多异质结的结构；窗口层中设有深达η型电流扩展层上表面的开孔，η面电极设置在η型电流扩展层的上表面，且处于窗口层的开孔中。2.根据权利要求1所述的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，其特征是:所述绝缘层的厚度为0.1 μ m-5 μ m,开孔直径为0.5 μ m_50 μ m。3.根据权利要求1所述的n面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，其特征是:所述P型电流扩展层的厚度为ο.1μ??-10μπι，ρ型掺杂的浓度为lX10lscm3—lX1021cm3。4.根据权利要求1所述的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，其特征是:所述P型半导体层的厚度为0.1 μ m-10 μ m，ρ型掺杂的浓度为1 X 1017cm 3_1 X 1021cm 3。5.根据权利要求1所述的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，其特征是:所述所述η型半导体层的厚度为0.1 μ m-10 μ m，η型掺杂的浓度为1 X 1017cm 3_1 X 1021cm 3。6.根据权利要求1所述的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，其特征是:所述所述η型电流扩展层的厚度为0.1 μ m-10 μ m, n型掺杂的浓度为lX1017cm3-lX1021cm3。7.根据权利要求1所述的η面电极下沉的反极性AlGalnP发光二极管芯片，其特征是:所述窗口层的厚度为0.1 μ m-10 μ m,开孔的直径为0.5 μ m_50 μ m。
【专利摘要】一种n面电极下沉的反极性AlGaInP发光二极管芯片，自下至上依次包括p面电极、衬底、键合层、反射镜层、绝缘层、p型电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、n型电流扩展层、窗口层、n面电极和n面焊盘；p面电极制备在衬底的底面；绝缘层上分布有开孔，反射镜层通过绝缘层上的开孔与p型电流扩展层接触；有源发光区是多量子阱或多异质结的结构；窗口层中设有深达n型电流扩展层上表面的开孔，n面电极设置在n型电流扩展层的上表面，且处于窗口层的开孔中。该芯片可以避免AlGaInP基LED窗口层的n面GaAs欧姆接触界面的光吸收，显著提升光提取效率，并显著提升器件的电流扩展能力。
【IPC分类】H01L33/38
【公开号】CN105374916
【申请号】CN201410440523
【发明人】左致远, 夏伟, 徐现刚
【申请人】山东浪潮华光光电子股份有限公司
【公开日】2016年3月2日
【申请日】2014年9月1日