一种超薄晶片电阻器的制备方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及电子元件生产领域，具体涉及制作超薄晶片电阻的工艺方法。
【背景技术】
[0002]随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。01005型号的厚膜晶片电阻器是目前世界上最小的贴片电阻器，它能大幅度降低电子产品体积。随着电子产品智能化、微型化的不断发展，01005晶片电阻器将越来越多的占有市场。而由于厚度较薄，01005型号的晶片电阻使用的基板厚度较薄，仅0.1mm，生产过程中易破损，特别是一次分割制程中断料现象最为严重，故能够生产这种晶片电阻的生产厂家较少，行业内正在寻找相应的技术突破。
【发明内容】
[0003]针对现有技术中的不足，本发明的目的在于提供一种超薄晶片电阻器的制备方法，将一片基板设计成两部分，两部分同时印刷，在一次分割制程中，将两部分分开生产，从而改变了在一次分割过程中易断料的情况。
[0004]为实现上述目的，本发明公开的技术方案如下:一种超薄晶片电阻器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤:
基板分割:将一块基板上划分出两块对称的区域，在两个区域上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线和横线，所述若干条相互垂直的纵线和横线分别将两个区域均匀分割成若干矩形格，每个矩形格是一个电阻器单元；
步骤C2:在基板的背面的每条横线处印刷导体层；
步骤C1:在基板的正面的每条横线处印刷导体层；
步骤RS:在基板的正面印刷电阻，并且电阻与导体层搭接；
步骤G1:在RS步骤完成后的电阻器单元上印刷电阻层保护层，所述电阻层保护层覆盖基板正面印刷的电阻；
步骤LT:镭射切割电阻，调整电阻值；
步骤G2:在镭射切割口上印刷保护层，所述保护层覆盖整个电阻器单元；
端银:将基板按照纵线分割成若干纵条，将多个纵条放在一个排条治具内，经过真空镀膜机对排条治具内的纵条的两侧镀银；即在每个电阻器单元的两侧镀银；
折粒:将每根纵条按照横线折断，从而得到若干颗粒状电阻器单元；
电镀:将若干颗粒状电阻器单元表面先镀镍，然后再镀锌，得到成品电阻器；
测试包装:将若干成品电阻器逐一进行阻值测定，测试合格后进行包装。
[0005]
优选的，所述基板是陶瓷基板，所述基板的尺寸是60*70mm，所述基板上的两块对称的区域呈长方形。
[0006]优选的，所述步骤C2中印刷的导体层中所述导体层是C2油墨材料制成的。
[0007]优选的，所述步骤C1中印刷的导体层中所述导体层是C1油墨材料制成的。
[0008]优选的，所述步骤RS油墨中电阻层是RS材料制成的。
[0009]优选的，所述步骤G1中电阻层保护层的厚度是20± 10 μ m0
[0010]优选的，所述步骤G2中印刷的保护层的厚度是20±10 μπι。
[0011]优选的，所述电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是5.0-6.0 μπι。
[0012]优选的，所述电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是7.0-8.0 μπι。
[0013]本发明的有益效果是:本发明通过对工艺改进，从而改善制作较薄电阻器时基板在一次分割过程中易断裂的情况，并且该制备方法的产品良品率大大提高，生产效率也提尚ο
【附图说明】
[0014]图1是本发明一较佳实施例中基板的结构示意图；
图2是图1中基板上两个区域镭射切割纵线和横线的结构示意图；
图3是图2的基板的背面结构示意图；
图4是步骤C2中印刷导体层的结构示意图；
图5是步骤C1中印刷导体层的结构示意图；
图6是步骤RS中印刷电阻的结构示意图；
图7是步骤G1中印刷电阻层保护层的结构示意图；
图8是步骤LT中镭射切割电阻的结构示意图；
图9是步骤G2中在镭射切割口上印刷保护层的结构示意图；
图10是步骤端银过程中将基板分割成条后，每条的正反面的结构示意图；
图11是排条的示意图；
图12是多个排条摞在一起的示意图；
图13是折粒后电阻器单元电镀过程示意图；
图14是电镀结束后每个电阻器单元的正面、反面及侧面结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述，以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解，从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
[0016]请参考附图1至附图14，本发明实施例包括:
实施例1:一种超薄晶片电阻器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤:
基板分割:将一块基板1上划分出两块对称的区域10，在两个区域10上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线11和横线12，若干条相互垂直的纵线11和横线12分别将两个区域均匀分割成若干矩形格，每个矩形格是一个电阻器单元2 ;图2中10a表示基板正面的区域10 ；
步骤C2:在基板1的背面的每条横线12处印刷导体层20，见图4 ;图3中10b表示基板背面的区域10 ;
步骤C1:在基板1的正面的每条横线12处印刷导体层21，见图5 ; 步骤RS:在基板1的正面印刷电阻22，并且电阻22与导体层21搭接，见图6 ;
步骤G1:在RS步骤完成后的电阻器单元2上印刷电阻层保护层23，电阻层保护层23覆盖基板1正面印刷的电阻22，见图7 ;
步骤LT:镭射切割电阻，调整电阻值，见图8，图8中的缺口表示镭射切割口 24 ;
步骤G2:在镭射切割口 24上印刷保护层25，保护层25覆盖电阻层保护层23，见图9 ;端银:将基板按照纵线分割成若干纵条3，将多个纵条3放在一个排条治具4内，多个排条治具4摞在一起，经过真空镀膜机对排条治具4内的纵条3的两侧镀银；即在每个电阻器单元2的两侧镀银；见图11、12 ;
折粒:将每根纵条3按照横线12折断，从而得到若干颗粒状电阻器单元2 ;
电镀:将若干颗粒状电阻器单元2表面先镀镍，然后再镀锌，得到成品电阻器；
测试包装:将若干成品电阻器逐一进行阻值测定，测试合格后进行包装。
[0017]实施例2:本实施例中与实施例1的不同之处在于，本实施例中所述基板是陶瓷基板，所述基板的尺寸是60*70mm，所述基板上的两块对称的区域呈长方形。
[0018]实施例3:本实施例中与实施例1的不同之处在于，本实施例中步骤G1中电阻层保护层的厚度是20±10 μπι ;步骤G2中印刷的保护层的厚度是20±10 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是5.0-6.0 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是 7.0-8.0 μπι。7.48 + 1 ym0
[0019]实施例4:本实施例中与实施例1的不同之处在于，本实施例中步骤G1中电阻层保护层的厚度是20 μπι ;步骤G2中印刷的保护层的厚度是20 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是5.0 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是
7.0 μ m ο
[0020]实施例5:本实施例中与实施例1的不同之处在于，本实施例中步骤G1中电阻层保护层的厚度是30 μπι ;步骤G2中印刷的保护层的厚度是30 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是6.0 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是
8.0 μ m ο
[0021]实施例6:本实施例中与实施例1的不同之处在于，本实施例中步骤G1中电阻层保护层的厚度是10 μπι ;步骤G2中印刷的保护层的厚度是10 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是5.41±1 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是7.48 + 1 μ m ο
[0022]实施例7:本实施例中与实施例1的不同之处在于，本实施例中步骤G1中电阻层保护层的厚度是20 μπι ;步骤G2中印刷的保护层的厚度是30 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是5.5 μπι ;电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是
7.5 μ m ο
[0023]以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
【主权项】
1.一种超薄晶片电阻器的制备方法，其特征在于，其包括以下步骤: 基板分割:将一块基板上划分出两块对称的区域，在两个区域上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线和横线，所述若干条相互垂直的纵线和横线分别将两个区域均匀分割成若干矩形格，每个矩形格是一个电阻器单元； 步骤C2:在基板的背面的每条横线处印刷导体层； 步骤C1:在基板的正面的每条横线处印刷导体层； 步骤RS:在基板的正面印刷电阻，并且电阻与导体层搭接； 步骤G1:在RS步骤完成后的电阻器单元上印刷电阻层保护层，所述电阻层保护层覆盖基板正面印刷的电阻； 步骤LT:镭射切割电阻，调整电阻值； 步骤G2:在镭射切割口上印刷保护层，所述保护层覆盖整个电阻器单元； 端银:将基板按照纵线分割成若干纵条，将多个纵条放在一个排条治具内，经过真空镀膜机对排条治具内的排条的两侧镀银；即在每个电阻器单元的两侧镀银； 折粒:将每根纵条按照横线折断，从而得到若干颗粒状电阻器单元； 电镀:将若干颗粒状电阻器单元表面先镀镍，然后再镀锌，得到成品电阻器； 测试包装:将若干成品电阻器逐一进行阻值测定，测试合格后进行包装。2.根据权利要求1所述的超薄晶片电阻器的制备方法，其特征在于，所述基板是陶瓷基板，所述基板的尺寸是60*70mm，所述基板上的两块对称的区域呈长方形。3.根据权利要求1所述的超薄晶片电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤G1中电阻层保护层的厚度是20 ±10 μ m。4.根据权利要求1所述的超薄晶片电阻器的制备方法，其特征在于，所述步骤G2中印刷的保护层的厚度是20 ± 10 μ m05.根据权利要求1所述的超薄晶片电阻器的制备方法，其特征在于，所述电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀镍层的厚度是5.0-6.0 μπι。6.根据权利要求1所述的超薄晶片电阻器的制备方法，其特征在于，所述电镀过程中，每个电阻器单元两侧镀锌层的厚度是7.0-8.0 μπι。
【专利摘要】本发明公开了一种超薄晶片电阻器的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：基板分割:将一块基板上划分出两块对称的区域，在两个区域上分别镭射切割出若干条相互垂直的纵线和横线，所述若干条相互垂直的纵线和横线分别将两个区域均匀分割成若干矩形格，每个矩形格是一个电阻器单元。通过上述方式，本发明能够改善制作较薄电阻器时基板在一次分割过程中易断裂的情况，并且该制备方法的产品良品率大大提高，生产效率也提高。
【IPC分类】H01C17/00, H01C17/065
【公开号】CN105405550
【申请号】CN201511018956
【发明人】管春风
【申请人】旺诠科技(昆山)有限公司
【公开日】2016年3月16日
【申请日】2015年12月31日