6下方，如图3中所 示。间隔衬垫313可设置于间隔环311的内表面上，而间隔环311设置于腔室盖306与处理腔 室310的一部分317之间的处理腔室310中，处理腔室的一部分317禪接至气体入口端口314 和排气歧管318。间隔环311可移除和/或与现有的腔室硬件互换。举例而言，包括间隔衬垫 313的间隔环311可通过将间隔环311插入至腔室盖306与处理腔室310的一部分317之间而 对现有的处理腔室进行改进。在某些实施方式中，间隔衬垫313可包括诸如石英或类似的材 料。
[0039] 如图3中所示，上腔室衬垫316可设置于气体入口端口 314和排气歧管318上方并且 位于腔室盖306下方，如图所示。在某些实施方式中，上腔室衬垫316可包括诸如石英或类似 的材料。在某些实施方式中，上腔室衬垫316、腔室盖306和下腔室衬垫331(下文探讨)可为 石英，从而有利地提供环绕基板325的石英封套(envelope)。
[0040] 下部304-般包括底板组件319、下腔室衬垫331、下拱顶332、基座100、预热环322、 基座升降组件360、基座支撑组件364、加热系统351和下高溫计358。加热系统351可设置于 基座100下方W将热能提供至基座100,如图3中所示。加热系统351可包括一个或更多个外 部灯352和一个或更多个内部灯354。所述一个或更多个外部灯352和所述一个或更多个内 部灯354可包括可选的屏蔽件(未示出），W将热能导引至基座100的一部分并防止下高溫计 358的直接照射。
[0041]下高溫计358可被导引至基座100的第二表面102的特定部分，如箭头358a所示。下 高溫计358可被导引至基座100的第二表面102上的特征结构104,如图3中所示。图3中示出 只有一个下高溫计，然而本发明中亦可采用其他高溫计，并且每个高溫计可被导引至基座 100的第二表面102上的特征结构。
[0042]下高溫计358检测由基座的目标部分(在此情况中为特征结构104)发射的热福射。 下高溫计358被配置成检测特定波长或波长范围（例如，高溫计的运作波长或多个波长）的 热福射。举例而言，在某些实施方式中，下高溫计358在从大约1.0微米至大约4.0微米(例如 从大约3.0微米至大约3.6微米)的波长检测到热福射，然而可使用其他波长。
[0043]发明人观察到，通常用来W红外福射的形式提供热的灯可在与高溫计检测到的波 长重叠的波长产生福射。举例而言，某些灯(例如外部灯352和内部灯354)在大约0.4微米至 4.0微米的频率范围W红外福射的形式产生福射能量。发明人注意到由外部灯352和内部灯 354发射的某些红外福射并不被基座吸收。反而，某些红外福射从基座反射离开并且某些反 射福射可被导引至下高溫计358。
[0044] 除了由基座100发射的热信号之外，反射福射可被下高溫计358接收。在某些情况 中，反射福射干扰到检测由基座100发射的所需热信号的下高溫计358。减少由基座100反射 并由下高溫计358检测到的灯福射的量增强了下高溫计358读取基座发射的热信号的精准 度。
[0045]在某些情况中，至少某些反射福射处于下高溫计358可检测到的波长。于高溫计所 读取的波长下的被高溫计接收的福射可能导致基座100所发射的热信号的错误读数。
[0046]因此，由基座100反射的福射严重地影响下高溫计358读数的准确性和可重复性。 本发明提供了基座100上的特征结构104W增加由加热系统351提供的入射热福射的吸收， 从而增强基座100的至少一部分的发射率(emissivity)。如在此所使用的，术语"入射"是指 福射到达或冲击表面。
[0047]在某些实施方式中，所述特征结构被配置成在由外部灯352和内部灯354所产生的 波长或波长范围处具有入射福射能量的增强吸收。通过增强吸收来自外部灯352和内部灯 354的入射福射的所有波长，特征结构104减少了背景反射福射或噪声，并减少由下高溫计 358在所述波长或多个波长所检测到的反射福射量，有益地影响高溫计读取的准确性。入射 福射能量的所有波长的增加吸收亦具有通过减少反射能量的量而增加加热系统351的效率 的益处。
[0048]替代地，特征结构104可被配置成增强由下高溫计358所检测到的波长或波长范围 处的入射福射的吸收。举例而言，在某些实施方式中，相较于没有特征结构104的基座100的 第二表面102，所述特征结构可被配置成在从大约1.0微米至大约4.0微米(例如大约3.0微 米至大约3.6微米)的波长处具有更大的入射福射吸收。运种方案可减少或消除可被下高溫 计358所检测的由特征结构104反射的福射，因此增加了特征结构104发射的热信号的准确 性。
[0049]特征结构104可形成于基座100的至少一部分上，例如由下高溫计358观察的基座 100的部分。通过将特征结构104提供于由下高溫计358观察的基座100的部分上，由下高溫 计358所检测到的特定高溫计波长或波长范围的反射减少。因此高溫计读数的准确性和可 重复性得到改善。
[0050]在某些实施方式中，由高溫计观察的基座的部分可只包括特征结构104,或可包括 特征结构W及不具有特征结构104的第二表面102的相邻的一部分或多个部分。在某些实施 方式中，特征结构104可形成于结构（例如基座100)的任何部分或多个部分上，或形成于结 构的表面(例如第二表面102)的任何部分或多个部分上。
[0051] 虽然术语"环"被用来描述处理腔室的特定部件，诸如预热环322，但预期运些部件 的形状不需要为圆形且可包括任何形状，包括但不限于矩形、多边形、楠圆形和类似形状。 下腔室衬垫331例如可设置于气体入口端口 314和排气歧管318下方，并且位于底板组件319 上方。气体入口端口 314和排气歧管318-般设置于上部302与下部304之间，并且可禪接至 上部302和下部304的任一者或两者。
[0化2] 如图3中所示，气体入口端口 314和排气歧管318可经由处理腔室310的部分317的 各个开口禪接至处理容积301a。举例而言，在某些实施方式中，空间315可至少部分地由基 座100的第一侧上的上腔室衬垫316和下腔室衬垫331形成。气体入口端口 314可经由空间 315流体禪接至处理容积301曰。
[0053]基座100可包括任何合适的基板支撑表面103,诸如板(在图3中示出）或环（由图3 中的点划线示出），W支撑位于其上的基板325。基座支撑组件364-般包括具有多个支撑销 366的支撑支架（suppodbracket)334,W将支撑支架334禪接至基座100。基座升降组件 360包括基座升降轴326和多个升降销模块361，所述多个升降销模块选择性地安置于基座 升降轴326的各个垫327上。在一个实施方式中，升降销模块361包括可选的升降销328的上 部，升降销的上部设置成可移动地穿过基座100中的第一开口362。运作中，基座升降轴326 移动W晒合升降销328。当接合时，升降销328可将基板325提升至基座100上方或将基板325 下降至基座100上。
[0054]基座100可进一步包括禪接至基座支撑组件364的升降机构372。升降机构372能够 用于在与基板325的处理表面323垂直的方向上移动基座100。举例而言，升降机构372可被 用于将基座100相对于气体入口端口 314定位。运作中，升降机构可相对于由气体入口端口 314所产生的流场而促进基板325的位置的动态控制。基板325位置的动态控制可被用来优 化基板325的处理表面323对于流场的暴露，W优化沉积均匀性和/或组成并将处理表面323 的残留物的形成最小化。在某些实施方式中，升降机构372可被配置成使基座100围绕基座 100的中央轴旋转。替代地，可设置单独的旋转机构。
[0055] 在处理期间，基板325设置于基座10