127412)和单体=芳基胺扣S3180730)。 W59] 优选含有至少两个叔胺单元的芳族叔胺扣S4720432和US5061569)，例 如4, 4' -双阳-(1-糞基）-N-苯基氨基]联苯（NPD)扣8 5061569)或MTDATA(JPA 4-308688)，N，N，N'，N' -四（4-联苯）联苯二胺灯抓B)，1，1-双（4-二-对-甲苯 基氨基苯基）环己烧灯APC)，1，1-双（4-二-对-甲苯基氨基苯基）-3-苯基丙烷 灯APPP)，1，4-双巧-[4-的N-二（对-甲苯基）氨基]苯基]乙締基]苯度DTAPVB)， N，N，N'，N' -四-对甲苯基-4, 4' -二氨基联苯灯TB)，TPD，N，N，N'，N' -四苯基-4, 4" ' -二 氨基-1，r:4'，I" :4"，I" ' -四联苯，W及含有巧挫单元的叔胺，例如4-巧H-巧 挫-9-基）-N，N-双[4-(9H-巧挫-9-基）苯基]苯胺灯CTA)。同样地优选根据US 2007/0092755A1的六氮杂苯并菲化合物。
[0060]如在例如EP1162193AUEP650955AU合成金属（Synth.Metals) 1997， 91 (1-3)，209、DE19646119AUWO2006/122630AUEP1860097AUEP1834945AUJP 08/053397A、US6251531BI和WO2009/041635中所公开的，特别优选W下的式（12)~ (17)的化合物，所述化合物也可W被一个或多个（式（化）的）R基团取代。
阳063] 另外优选的HTM单元为例如S芳基胺、联苯胺、四芳基-对-苯二胺、巧挫、奧、嚷 吩、化咯和巧喃衍生物，和此外含0、S或N的杂环。 W64] 特别优选下式（18)的HTM结构单元： 阳0化] (]'s)
[0066] 其中
[0067]Ari可W是相同或不同的，当在不同的重复单元中时独立地为单键或任选取代的 单环或多环芳基基团，
[0068] Ar2可W是相同或不同的，当在不同的重复单元中时独立地为任选取代的单环或 多环芳基基团，
[0069] Ar3可W是相同或不同的，当在不同的重复单元中时独立地为任选取代的单环或 多环芳基基团，并且
[0070] m为 1、2 或 3。
[0071] 式（18)的特别优选的单元是下式（19)~（21)的单元：
柳7引其中
[0074]R在每种情况下可W是相同或不同的，选自H、取代或未取代的芳族或杂芳族基 团、烷基基团、环烷基基团、烷氧基基团、芳烷基基团、芳氧基基团、芳硫基基团、烧氧幾基基 团、甲娃烷基基团、簇基基团、面素原子、氯基基团、硝基基团和径基基团， 阳0巧]r为0、1、2、3或4,并且
[0076] S为 0、1、2、3、4 或5。
[0077] 另外优选的中间层聚合物含有至少一种下式（22)的重复单元：
[0078] -(T'),-(Ar'),-(f),-(Ar?)f- (22)
[0079] 其中
[0080] T郝T2各自独立地选自嚷吩、砸酪、嚷吩并巧，3b]嚷吩、嚷吩并巧，2b]嚷吩、二 嚷吩并嚷吩、化咯、苯胺，其全部任选地被R9取代， W81]R9在每种情况下独立地选自面素，-CN，-NC，-NCO, -NCS，-OCN，SCN，C( = 0)NR°R°°，-C( = 0)X，-C( = 0)R°，-畑2, -NR°R°°，SH，SR°，-SO3H，-S02R°，-0H，-N02, -CF3, -SF5， 具有I~40个碳原子并且任选被取代且任选含有一个或多个杂原子的任选取代的甲硅烷 基、或二价碳基或控基，
[0082]Ar呀日Ar5独立地为单环或多环芳基或杂芳基，所述芳基或杂芳基任选被取代并且 任选地稠合到相邻的嚷吩或砸酪基团中的一者或两者的2、3位，
[0083] C和e独立地为0、1、2、3或4,其中Kc+e《6,并且
[0084]d和f独立地为0、1、2、3或4。 阳0财 T郝T2基团优选地选自
[00川其中Ri呵W采取与在式（Ia)中的R哺同的定义。
[0092] 式（22)的优选单元选自下式：
[0093]
[0094] 在WO2007/131582Al和WO2008/009343Al中公开了空穴传输中间层聚合物的 实例。
[0095] 在用在中间层中的空穴传导聚合物中，具有空穴传导性质的结构单元的比例优选 为在10摩尔％~99摩尔％的范围，更优选为在20摩尔％~80摩尔％的范围，特别地在40 摩尔％~60摩尔％的范围。
[0096] 优选地，本发明的聚合物含有具有6~40个碳原子的芳族或杂芳族结构单元作为 形成聚合物骨架的重复单元。运些优选地为，如在例如US5962631中、在WO2006/052457 A2中和在WO2006/118345Al中公开的4,5-二氨巧衍生物、4,5,9, 10-四氨巧衍生 物、巧衍生物，如在例如WO2003/020790Al中公开的9, 9 螺二巧衍生物，如在例如 WO2005/104264Al中公开的9, 10-菲衍生物，如在例如WO2005/014689A2中公开的 9, 10-二氨菲衍生物，如在例如WO2004/041901Al中和在WO2004/113412A2中公开的 5, 7-二氨二苯并囉庚英衍生物和顺式-和反式-巧并巧衍生物，如在例如WO2006/063852 Al中公开的联糞衍生物，W及如在例如WO2005/056633Al中、在EP1344788Al中、 在WO2007/043495Al中、在WO2005/033174Al中、在WO2003/099901Al中和在DE 102006003710中公开的另外的单元。 阳097] 形成聚合物骨架的重复单元的另外优选的结构成分选自如在例如US5 962 631 中、在WO2006/052457A2中和在WO2006/118345Al中公开的巧衍生物，如在例如WO2003/020790Al中公开的螺二巧衍生物，如在例如WO2005/056633Al中、在EP1344788 Al中和在WO2007/043495Al中公开的苯并巧、二苯并巧、苯并嚷吩和二苯并巧及其衍生 物。
[0098] 形成聚合物骨架的重复单元的特别优选的结构成分为下式（23)的单元：
[0099]
阳100]其中 阳101]A、B和B'独立地并且在多个实例的情况下彼此独立地为二价基团，优选选自-CR11r12-、-NRii-、-PRii-、-0-、-S-、-SO-、-S〇2-、-C0-、-CS-、-CSe-、-P( = 0)Rii-、-P(=巧RU-和-SiRiiRi2-，
[0102]RU和RI2独立地为选自如下的相同或不同的基团化面素，-CN，-NC，-NC0，-NCS，-0CN，-SCN，-C( = 0)NR°R°°，-C( = 0)X，-C( = 0)R°，-畑2, -NR°R°°，-SH，-SR。，-SO3H，-S02R°，-OH，-N02, -CF3, -SFy具有I~40个碳原子并且任选被取代且任选含有一个或多个杂原子的任 选取代的甲娃烷基、或二价碳基或控基，并且Rii和Ri2基团任选地与它们所键合的巧部分一 起形成螺环基团， 阳103]X为面素，
[0104] R呀日R°°独立地为H或任选取代的任选含有一个或多个杂原子的二价碳基或控基 基团， 阳1化]各个g独立地为0或1，并且在相同亚单元中的各个相应的h为0和1中的另一 个， 阳106] m为整数>1， 阳107] Ari和Ar2独立地是单或多环芳基或杂芳基，所述芳基或杂芳基任选地被取代并且 任选稠合到巧并巧基团的7、8位或8、9位，并且阳108] a和b独立地为0或1。
[0109] 如果Rii和R12基团与它们所键合的巧基团一起形成螺环基团，则该结构优选为螺 二巧。
[0110] 式（23)的单元优选地选自下式（24)~（28): 阳 111]
阳11引其中Ri郝Ri2如在式（2：3)中所定义的，r为0、1、2、3或4,并且R可W采取Rii的 定义之一。 阳114]优选地，R为F，Cl，Br，I，-CN，-N02，-NC0，-NCS，-0CN，-SCN，-C( = 0)NR°R°°，-C( = 0)X，-C( = 0)R°，-NR°ir，具有4~40、优选6~20个碳原子的任选取代的甲娃烷基、芳基 或杂芳基，或具有1~20、优选1~12个碳原子的直链、支链或环状的烷基、烷氧基、烷基幾 基、烧氧幾基、烷基幾氧基或烧氧幾氧基，其中一个或多个氨原子任选地被F或Cl代替，并 且其中R°、IT和X如上关于式（23)所定义的。
[0115] 特别优选的式（23)的单元为下式（29)~（32)的单元： 阳116]
阳11引其中
[0119] L为H、面素或具有1~12个碳原子的任选氣化的直链或支链烷基或烷氧基，优选 为H、F、甲基、异丙基、叔下基、正戊氧基或=氣甲基，并且
[0120] L'为具有1~12个碳原子的任选氣化的直链或支链的烷基或烷氧基，优选为正辛 基或正辛氧基。 阳121] 在另一个优选实施方式中，根据本发明的中间层聚合物为非共辆或部分共辆的聚 合物。 阳122] -种特别优选的非共辆或部分共辆的中间层聚合物含有非共辆骨架重复单元。 阳12引如在例如WO2010/136110中所公开的，一种优选的非共辆的骨架重复单元为式 (33)和（34)的巧并巧衍生物的单元， 阳 124]
阳1巧]其中 阳126] X和Y独立地选自H、F、Cl 4。-烷基基团、Cz 4。-締基基团、〔2 4。-烘基基团、任选取代 的Ce4。-芳基基团和任选取代的5~25元杂芳基基团。 阳127] 如在例如WO2010/136111中所公开的，另外优选的非共辆的骨架重复单元为含 有下式的巧、菲、二氨菲和巧并巧衍生物的单元：
阳130]其中Rl~R4可W采取与在式（33)和（34)中的X和Y相同的定义。 阳131] 在用在中间层中的本发明空穴传导聚合物中形成聚合物骨架的结构单元的比例 优选在10摩尔％~99摩尔％的范围，更优选在20摩尔％~80摩尔％的范围，特别地在30 摩尔％~60摩尔％的范围。
[0132]用于一个或多个发光体层的半导体有机材料可W为含有一种或多种并入聚合物 骨架内的不同发光体的聚合基质材料，或者可W为向其中混入了一种或多种低分子量发光 体的聚合且非发光的基质材料，或者可W为具有并入聚合物骨架内的发光体的不同聚合物 的混合物，或者可W为具有不同低分子量发光体的不同非发光基质聚合物的混合物，或者 可W为具有不同低分子量发光体的至少一种低分子量基质材料的混合物，或可W为运些材 料的任意期望的组合。 阳133]所述发光体层含有至少一种发光体，任选和优选至少一种另外的基质材料。
[0134]原则上，可W使用本领域技术人员已知的任何发光体作为在本发明器件的发光体 层中的发光体。
[0135] 在一种优选的实施方式中，将发光体作为重复单元整合到聚合物中。
[0136] 在一种另外优选的实施方式中，将发光体混合到基质材料中，所述基质材料可W 为小分子、聚合物、低聚物、树枝状大分子或其混合物。
[0137] 优选包含至少一种选自如下的发光体的发光体层：巧光化合物、憐光化合物和发 光有机金属络合物。
[0138] 表述"发光体单元"或"发光体"在此指的是其中在接受激子或形成激子时发生发 光的福射衰变的单元或化合物。
[0139] 存在两种发光体种类：巧光和憐光发光体。表述"巧光发光体"设及经历从激发单 重态到其基态的福射跃迁的材料或化合物。如在本申请中所使用的表述"憐光发光体"设 及包含过渡金属的发光材料或化合物。其通常包括其中由自旋禁阻跃迁例如从激发=重态 和/或五重态的跃迁引起发光的材料。
[0140] 根据量子力学，从具有高自旋多重度的激发态例如从激发S重态到基态的跃迁是 被禁止的。然而，重原子例如银、饿、销和館的存在确保了强的自旋