电子组件的制作方法
【技术领域】
[0001]本申请涉及半导体领域，更具体地涉及电子组件。
【背景技术】
[0002]电子组件可以包括一个或多个在封装中的半导体器件。所述封装包括从半导体器件到基底或者包括外部接触的引线框的内部电连接。所述外部接触用以将电子组件安装在例如印刷电路板的再分布板上。所述封装可以包括壳体，其遮盖半导体器件和内部电连接。
【发明内容】
[0003]在一个实施例中，一种电子组件，包括:介电芯层，具有第一主表面；半导体裸片，埋置在所述介电芯层中，所述半导体裸片包括第一主表面以及布置在所述第一主表面上的耦合到公共电势的至少两个导电指状物；第一导电层，布置在所述至少两个导电指状物上并与所述至少两个导电指状物电耦合，并且从所述至少两个导电指状物延伸在所述介电芯层的第一主表面上方。
[0004]在一个实施例中，一种电子组件，包括:用于电耦合的部件，用于电耦合至少两个导电指状物，所述至少两个导电指状物布置在被埋置于介电芯层中的半导体裸片的第一表面上，所述至少两个导电指状物耦合到公共电势，所述用于电耦合的部件从所述至少两个导电指状物延伸在所述介电芯层的第一主表面上方。
[0005]在一个实施例中，一种用于制造电子组件的方法，包括:将第一导电层施加到至少两个导电指状物，所述至少两个导电指状物布置在被埋置于介电芯层中的半导体裸片的第一表面上，所述至少两个导电指状物耦合到公共电势，所述第一导电层从所述至少两个导电指状物延伸在所述介电芯层的第一主表面上方。
【附图说明】
[0006]附图中的元素并非必然彼此成比例。相似的参考标号指代着相对应的相似部分。各种描述的实施例的特征可以合并，除非其彼此排斥。在附图中描绘了实施例并且在之后的描述中对其进行了详细阐述。
[0007]图1A图示了根据第一实施例的电子组件的透视图。
[0008]图1B图示了图1A所描述的电子组件的沿着线A-A的横截面视图。
[0009]图2A图示了根据第二实施例的电子组件的透视图。
[0010]图2B图示了图2A所描述的电子组件的沿着线B-B的横截面视图。
[0011]图2C图示了图2A所描述的电子组件的沿着线C-C的横截面视图。
[0012]图2D图示了图2A所描述的电子组件的沿着线D-D的横截面视图。
[0013]图2E图示了图2A所描述的电子组件的沿着线E-E的横截面视图。
[0014]图3图示了用于制造电子组件的流程图。
[0015]图4图示了介电芯层。
[0016]图5图示了布置在介电芯层中的孔隙中的半导体裸片。
[0017]图6A图示了在沉积了第一介电层之后的包括了介电核心和半导体裸片层的构件的顶表面的透视图。
[0018]图6B图不了包括第一介电层的构件的底表面的透视图。
[0019]图7图不了在沉积了第一导电层之后的介电芯层。
[0020]图8图示了在沉积了第二导电层之后的介电芯层。
[0021]图9图示了在沉积了第二介电层之后的介电芯层。
[0022]图10图示了在沉积了第三导电层之后的介电芯层。
[0023]图11A图示了电子组件的第一应用形式。
[0024]图11B图示了电子组件的第二应用形式。
[0025]图11C图示了电子组件的第三应用形式。
【具体实施方式】
[0026]在下面的详细描述中参照附图，附图构成详细描述的一部分并且在其中以图示的方式示出了其中可以实践本发明的特定实施例。就此而言，方向性的用语，诸如“顶部”、“底部”、“前部”、“后部”、“前方”、“后方”等参照着所描述的附图定向而使用。由于实施例的组件可以以多个不同的定向来定位，因此方向性的用语用于图示的目的而非限制。应当理解的是，可以利用其他的实施例并且可以进行结构或逻辑上的改变而不会背离本发明的范围。下面的详细描述不能以限制的意义进行领会并且本发明的范围由所附的权利要求来限定。
[0027]下面将解释多个实施例。在这种情况下，在附图中相同的结构特征由相同或相似的参考标号来标识。在本描述的上下文中，“横向”或“横向方向”应当被理解为意味着大致上平行于半导体材料或半导体载体的横向扩展而走向的方向或扩展。横向方向因此大致上平行于这些表面或侧面而延伸。与此相反，术语“垂直”或“垂直方向”被理解为意味着大致上垂直于这些表面或侧面并因此垂直于横向方向而走向的方向。因此垂直方向在半导体材料或半导体载体的厚度方向上走向。
[0028]正如在本说明书中所采用的，术语“耦合的”和/或“电耦合的”并非意味着该元素必须直接耦合在一起，在“耦合的”或“电耦合的”元素之间可以提供介入元素。
[0029]正如在本说明书中所采用的，当将例如层、区域或衬底的元素称为在另一个元素“上”或“在另一个元素上延伸”或在另一个元素“上方”时，该元素可以直接在该另一个元素上或直接在该另一个元素上延伸或还可以存在介入元素。与此不同，当元素被称为“直接在另一个元素上”或“直接在另一个元素上”延伸时，不存在介入元素。正如在本说明书中所采用的，当元素被称为“连接”或“耦合”到另一个元素时，该元素可以直接连接或者耦合到该另一个元素或者可以存在介入元素。与此不同，当元素被称为“直接连接到”或“直接耦合到”另一个元素时，不存在介入元素。
[0030]图1A图示了根据第一实施例的电子组件20的透视图并且图1B图示了电子组件20的沿着线A-A的横截面视图。
[0031]所述电子组件20包括具有第一主表面22的介电芯层21以及埋置在介电芯层21中的半导体裸片24。半导体裸片24的位置在图1A的透视图中用虚线23指示出。如从图IB的横截面视图中可以看出的，半导体裸片24包括第一主表面25，第一主表面25包括至少两个耦合到公共电势的导电指状物26。导电指状物26的每一个都包括基本上为矩形的导电条，导电条跨越半导体裸片24的第一主表面25而延伸。导电指状物26被布置为基本上彼此平行。
[0032]电子组件20进一步包括第一导电层27，该第一导电层27被布置在至少两个导电指状物26上并且与该至少两个导电指状物26电耦合。第一导电层27在介电芯层21的第一主表面22上方从至少两个导电指状物26延伸。第一导电层27在布置在半导体裸片24上的导电指状物的基础区域之间延伸，从而将导电指状物26彼此电耦合。第一导电层27布置在半导体裸片24和其中埋置有半导体裸片24的介电芯层21 二者上。第一导电层27为基本上平面的，然而可以补偿导电指状物26的上表面和介电芯层21的第一主表面22之间的任何高度差。
[0033]第一导电层27的在介电芯层21的第一主表面22上方延伸的部分基本上为正方形或矩形并且延伸成具有与半导体裸片24的导电指状物26相对应的尺寸和形状的指状部分，第一导电层27与导电指状物26电耦合。第一导电层27可以被描述为具有梳状外部轮廓，其中梳子的齿布置于在半导体裸片24的第一主表面层25上布置的导电指状物26上并且与该导电指状物26电耦合。
[0034]半导体裸片24可以为横向晶体管，其中至少两个导电指状物26耦合到横向晶体管的源极或者漏极。横向晶体管可以是例如基于氮化镓的HEMT(高电子迀移率晶体管)。在其中半导体裸片24为横向晶体管的实施例中，电子组件20可以包括另外的导电层28，该另外的导电层28布置在与第二公共电势耦合的至少两个另外的导电指状物29上并且与该至少两个另外的导电指状物29电耦合，该第二公共电势与第一公共电势电绝缘。例如，所述至少两个导电指状物26可以耦合到源极并且两个另外的导电指状物29可以耦合到晶体管器件的漏极。所述另外的导电指状物29布置为基本上彼此平行并且基本上与所述至少两个导电指状物26相平行。另外的导电层28同样在介电芯层21的第一主表面22上方从所述至少两个导电指状物29延伸。
[0035]在一些实施例中，诸如在图1A中所描述的，耦合到不同电势的导电指状物交替布置在半导体裸片24的第一主表面25上并且可以被视为互相交叉的。在这个实施例中，第一导电层27和另外的导电层28可以从半导体裸片24的相对侧30、31延伸。
[0036]可以通过预制板来提供介电芯层21，所述预制板可以包括纤维增强矩阵。例如，介电芯层可以包括玻璃纤维增强的环氧树脂，例如FR4。所述介电芯层可以例如包括PTFE(聚四氟乙烯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PET (聚对苯二甲酸乙二醇酯)、BT层压板(双马来酰亚胺三嗪)或聚酰亚胺。
[0037]导电层可以包括金属，例如铜或者合金。所述导电指状物26、29可以形成在晶片级沉积在半导体裸片24上的金属化结构(metallisat1n structure)的部分。导电指状物26、29可以通过多层金属化结构的金属化的最上层来提供。可代替地，导电指状物26、29可以形成半导体裸片24的单层金属化结构的部分。
[0038]在一些实施例中，耦合到公共电势的多个导电指状物通过布置在半导体裸片24的第一主表面25上例如在第一主表面的外围区域中的总线而彼此耦合。
[0039]第一导电层27和另外的导电层28可以延伸到介电芯层21的相对外围区域32、