使用穿板中介体的低封装寄生电感的制作方法_3

文档序号:9757086阅读:来源:国知局
来布局功率端子和接地端子减小了中介体300的等效串联电感(ESL),因为交错图案消除了常规多层薄膜电容器在正常情况下会生成的磁场。
[0053]在一个示例实现中,中介体300能够用作多层基板(例如,M1-M4)。在该实现中,功率和接地信号能够被路由回到管芯上的BGA。
[0054]在一个示例实现中,中介体300包括布置在该组功率触点上的六个焊料凸块(未示出)、以及布置在该组接地触点上的六个焊料凸块(未示出)。这导致十二个端子以及大约70pH的ESL,因为没有发生磁场消除。替代地,中介体300包括布置在该组功率触点上的十二个焊料凸块(未示出)、以及布置在该组接地触点上的十二个焊料凸块(未示出)。这些功率和接地触点逐行和/或逐列地交错。这导致二十四个端子以及从大约70pH的值(六乘六配置)到大约2pH的值的ESL改变,因为导电通孔之间的磁场被消除。
[0055]在一个或多个实现中,中介体300包括布置在该组功率触点上的两行十八个焊料凸块(未示出)、以及布置在该组接地触点上的两行焊料凸块(未示出)。这些功率和接地触点逐行和/或逐列地交错。这导致三十六个端子以及从大约70pH的值(六乘六配置)到大约IpH的值的ESL改变,因为导电通孔之间的磁场被消除。
[0056]在一个或多个替换性实现中,中介体300包括布置在该组功率触点上的两行三十三个焊料凸块(未示出)、以及布置在该组接地触点上的两行四十个焊料凸块(未示出)。这些功率和接地触点逐行和/或逐列地交错。这导致七十三个端子以及从大约70pH的值(六乘六配置)到大约0.3pH的值的ESL改变,因为导电通孔之间的磁场被消除。
[0057]例如,若功率端子和接地端子形式为加和减图案,那么在导电通孔之间存在从中介体顶部到中介体底部的逆时针磁场。下一对相邻导电通孔也具有逆时针磁场。由此,若仅有功率端子和接地端子的六乘六配置,那么可能没有磁场消除。
[0058]图4示出了根据本文所描述的技术的双侧MM实现的具有交错功率和接地图案的中介体400的截面表示。所解说的中介体400包括MM层402、MM层404、以及布置在MM层402和M頂层404之间的中介体406。
[0059]所解说的中介体406包括由多个导电通孔410A、410B、410C和410D形成的多个多层薄膜电容器。导电通孔410A、410B、410C和410D之间由虚线箭头表示的在常规情况下会出现在多层薄膜电容器中的磁场使用中介体406的配置被消除。
[0060]M頂层402包括其中布置有多个金属线和/或迹线412、414、416和418的绝缘层411。在一个或多个实现中,绝缘层411可包括无机氧化物和/或无机氮化物,诸如二氧化硅、氮化娃、氧化钽、氧化锁、氧化給、氧化钛、氧化错、三氧化二铝或者诸如此类。替换地,绝缘层可以是有机绝缘体,诸如聚酰亚胺、苯并氯丁烷(BCB)或者诸如此类。在一个或多个实现中,金属迹线412、414、416和418可包括铜、铜合金、或者其他合适的材料。
[0061 ] M頂层404包括其中布置有多个金属线和/或迹线420、422、424和426的绝缘层419。在一个或多个实现中,绝缘层411可包括无机氧化物和/或无机氮化物,诸如二氧化硅、氮化娃、氧化钽、氧化锁、氧化給、氧化钛、氧化错、三氧化二铝或者诸如此类。替换地,绝缘层可以是有机绝缘体,诸如聚酰亚胺、苯并氯丁烷(BCB)或者诸如此类。在一个或多个实现中,金属迹线412、414、416和418可包括铜、铜合金、或者其他合适的材料。
[0062]所解说的MM层402的表面包括多个功率端子428A和428B、以及多个接地端子430A和430B。根据本文中所描述的技术的实现,功率端子428A和428B以及接地端子430A和430B以逐行和/或逐列交错图案布置在中介体400上。以逐行和/或逐列交错图案而非传统的棋盘图案来布局功率端子和接地端子减小了中介体400的等效串联电感(ESL),因为交错图案消除了常规多层薄膜电容器在正常情况下会生成的磁场。
[0063]图5示出了根据本文所描述的技术的实现的具有交错功率和接地图案的中介体500的截面表示。中介体500包括使用焊料凸块502和焊料凸块504布置在一起的两个中介体400。这两个中介体400被移位,从而功率端子428A和428B分别对应于接地端子430A和430B。如同单层中介体400—样,双层中介体500使得其功率端子428A和428B以及接地端子430A和430B以逐行和/或逐列交错图案来布置。以逐行和/或逐列交错图案而非传统的棋盘图案来布局功率端子和接地端子减小了中介体500的等效串联电感(ESL),因为交错图案消除了常规多层薄膜电容器在正常情况下会生成的磁场。
[0064]图6示出了根据本文所描述的技术的实现的多层中介体600的截面表示。所解说的中介体600包括布置在彼此之上的具有用交错功率和接地图案的多个中介体500。如同中介体500—样,中介体600使得其功率端子和接地端子以逐行和/或逐列交错图案来布置。以逐行和/或逐列交错图案而非传统的棋盘图案来布局功率端子和接地端子减小了中介体600的等效串联电感(ESL),因为交错图案消除了常规多层薄膜电容器在正常情况下会生成的磁场。
[0065]图7示出了根据本文所描述的技术的实现的多层中介体700的截面表示,其中薄膜电容器的电容可以加倍、变为四倍等等。在所解说的实现中,多层中介体700是图6中描绘的中介体600的薄膜版本。例如,多层中介体700包括四层702、704、706和708。如同中介体600一样,中介体700使得其功率端子和接地端子以逐行和/或逐列交错图案来布置。以逐行和/或逐列交错图案而非传统的棋盘图案来布局功率端子和接地端子减小了中介体700的等效串联电感(ESL),因为交错图案消除了常规多层薄膜电容器在正常情况下会生成的磁场。
[0066]图8是解说根据本文所描述的实现制作中介体的方法800的流程图。在框802,方法800通过以交错图案提供多个功率端子和接地端子来操作。在框804,方法800通过将多个导电通孔耦合到该多个功率端子和接地端子以形成多个多层薄膜电容器来操作。在框806,方法800通过将交错图案的功率端子和接地端子以及该多个导电通孔耦合在第一组触点和第二组触点之间来操作。
[0067]本发明的各方面在以下针对本发明具体实施例的描述和有关附图中被公开。可以设计替换实施例而不会脱离本发明的范围。另外,本发明中众所周知的元素将不被详细描述或将被省去以免煙没本发明的相关细节。
[0068]措辞“示例性”在本文中用于表示“用作示例、实例或解说”。本文中描述为“示例性”的任何实施例不必被解释为优于或胜过其他实施例。同样,术语“本发明的实施例”并不要求本发明的所有实施例都包括所讨论的特征、优点、或工作模式。
[0069]本文中所使用的术语仅出于描述特定实施例的目的,而并不旨在限定本发明的实施例。如本文所使用的,单数形式的“一”、“某”和“该”旨在也包括复数形式,除非上下文另有明确指示。还将理解,术语“包括”、“具有”、“包含”和/或“含有”在本文中使用时指明所陈述的特征、整数、步骤、操作、元素、和/或组件的存在,但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元素、组件和/或其群组的存在或添加。
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