0]此外，许多实施例是根据将由例如计算设备的元件执行的动作序列来描述的。将认识到，本文描述的各种动作能由专用电路(例如，专用IC(ASIC))、由正被一个或多个处理器执行的程序指令、或由这两者的组合来执行。另外，本文描述的这些动作序列可被认为是完全体现在任何形式的计算机可读存储介质内，其内存储有一经执行就将使相关联的处理器执行本文所描述的功能性的相应计算机指令集。因此，本发明的各种方面可以用数种不同形式来体现，所有这些形式都已被构想落在所要求保护的主题内容的范围内。另外，对于本文描述的每个实施例，任何此类实施例的对应形式可在本文中被描述为例如“被配置成执行所描述的动作的逻辑”。
[0071]本领域技术人员将领会，信息和信号可使用各种不同技术和技艺中的任何一种来表示。例如，贯穿上面描述始终可能被述及的数据、指令、命令、信息、信号、位(比特)、码元、和码片可由电压、电流、电磁波、磁场或磁粒子、光场或光粒子、或其任何组合来表示。
[0072]此外，本领域技术人员将领会，结合本文中所公开的实施例描述的各种解说性逻辑块、模块、电路、和算法步骤可被实现为电子硬件、计算机软件、或两者的组合。为清楚地解说硬件与软件的这一可互换性，各种解说性组件、块、模块、电路、和步骤在上面是以其功能性的形式作一般化描述的。此类功能性是被实现为硬件还是软件取决于具体应用和施加于整体系统的设计约束。技术人员对于每种特定应用可用不同的方式来实现所描述的功能性，但这样的实现决策不应被解读成导致脱离了本发明的范围。
[0073]结合本文中所公开的实施例描述的方法、序列和/或算法可直接在硬件中、在由处理器执行的软件模块中、或者在这两者的组合中体现。软件模块可驻留在RAM存储器、闪存、ROM存储器、EPROM存储器、EEPROM存储器、寄存器、硬盘、可移动盘、CD-ROM或者本领域中所知的任何其他形式的存储介质中。示例性存储介质耦合到处理器以使得该处理器能从/向该存储介质读写信息。替换地，存储介质可以被整合到处理器。
[0074]相应地，本发明的实施例可包括体现用于使用穿板中介体的低封装寄生电感的方法的计算机可读介质。相应地，本发明并不限于所解说的示例且任何用于执行文本所描述的功能性的手段均被包括在本发明的实施例中。
[0075]尽管上述公开示出了本发明的解说性实施例，但是应当注意到，在其中可作出各种更换和改动而不会脱离如所附权利要求定义的本发明的范围。根据本文中所描述的本发明实施例的方法权利要求的功能、步骤和/或动作不必按任何特定次序来执行。此外，尽管本发明的要素可能是以单数来描述或主张权利的，但是复数也是已料想了的，除非显式地声明了限定于单数。
【主权项】
1.一种中介体，包括: 由以交错图案布置的多个功率端子和接地端子形成的多个多层薄膜电容器；以及 配置成将所述交错图案耦合在第一组触点与第二组触点之间的多个导电通孔。2.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述第一组触点具有比所述第二组触点小的间距。3.如权利要求2所述的中介体，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器被布置在所述第一组触点与所述多个导电通孔之间。4.如权利要求3所述的中介体，其特征在于，进一步包括形成在所述多个导电通孔与所述第二组触点之间的第二多个多层薄膜电容器。5.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器以金属-绝缘体_金属(ΜΠΟ配置形成。6.如权利要求5所述的中介体，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器包括多个沟槽电容器。7.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述中介体是穿玻通孔(TGV)中介体。8.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述中介体是穿娃通孔(TSV)中介体。9.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述中介体是陶瓷中介体。10.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述中介体是有机中介体。11.如权利要求1所述的中介体，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器包括多个沟槽电容器。12.—种系统，包括: 包括第一侧和第二侧的中介体，所述中介体进一步包括: 由以交错图案布置的多个功率端子和接地端子形成的多个多层薄膜电容器； 配置成将所述交错图案耦合在第一组触点与第二组触点之间的多个导电通孔；以及 布置在所述中介体上的管芯。13.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述第一组触点具有比所述第二组触点小的间距。14.如权利要求13所述的系统，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器被布置在所述第一组触点与所述多个导电通孔之间。15.如权利要求14所述的系统，其特征在于，进一步包括形成在所述多个导电通孔与所述第二组触点之间的第二多个多层薄膜电容器。16.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器以金属-绝缘体-金属(ΜΠΟ配置形成。17.如权利要求16所述的系统，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器包括多个沟槽电容器。18.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述中介体是穿玻通孔(TGV)中介体。19.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述中介体是穿硅通孔(TSV)中介体。20.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述中介体是陶瓷中介体。21.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述中介体是有机中介体。22.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器包括多个沟槽电容器。23.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述管芯是触发器。24.如权利要求12所述的系统，其特征在于，进一步包括布置在所述中介体的所述第二侧上的基板。25.如权利要求12所述的系统，其特征在于，所述交错图案是逐行和逐列交错图案中的至少一者。26.—种制造中介体的方法，包括: 以交错图案提供多个功率端子和接地端子； 将多个导电通孔耦合到所述多个功率端子和接地端子以形成多个多层薄膜电容器；以及 将所述交错图案和所述多个导电通孔耦合在第一组触点与第二组触点之间。27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一组触点具有比所述第二组触点小的间距。28.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器以金属-绝缘体-金属(ΜΠΟ配置形成。29.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述交错图案是逐行和逐列交错图案中的至少一者。30.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述多个多层薄膜电容器包括多个沟槽电容器。31.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述多个导电通孔是穿玻通孔(TGV)和穿硅通孔(TSV)中的至少一者。32.如权利要求26所述的方法，其特征在于，形成所述多个导电通孔是用陶瓷材料、有机材料、玻璃材料和硅中的至少一者来执行的。
【专利摘要】一种用于芯片组的中介体，包括纳入于其中的多层薄膜电容器以减小该芯片组中的寄生电感。功率端子和接地端子以交错图案来布局以消除导电通孔之间的磁场，从而减小等效串联电感(ESL)。
【IPC分类】H01L23/498
【公开号】CN105518859
【申请号】CN201480049254
【发明人】C·H·尹, C·左, J·金, D·D·金, M·F·维纶茨
【申请人】高通股份有限公司
【公开日】2016年4月20日
【申请日】2014年9月3日
【公告号】EP3042394A1, US9370103, US20150070863, WO2015034898A1