具有选择性地修改的电气性质的引线的电子器件的制作方法
【技术领域】
[0001] 通过选择性地涂敷电介质涂层或金属涂层来修改裸片封装体所用的引线，从而使 得能够进行包括针对电感和电容的改变的电气性质的更好控制、W及针对期望的互连性质 的优化。在特定实施例中，通过与引线长度相匹配的布局改变或者通过选择性地改变其它 电气性质来鼓励信号相位匹配。
【背景技术】
[0002] 电子器件和组件正W不断增加的速度并且在越来越高的频率范围内进行工作。普 及的半导体封装体类型使用可W连接至衬底或引线框架的焊线，而该衬底或引线框架可W 连接至第二级互连件、通孔、衬底或封装体走线或者焊球等，从而连接至电子器件的印刷电 路板(PCB)。
[0003] 然而，在封装体中，可能无法针对包括信号相位传输性质、感应或电容的特定电气 特性而优化引线。
【发明内容】
[0004] 考虑到现有技术的运些问题和不足，本发明的目的是提供具有针对特定电气(特 别是电容和/或电感)特性而优化的、使裸片的连接压焊点与裸片衬底的连接元件相连接的 至少一个引线的裸片封装体。
[0005] 在本发明中实现本领域技术人员将明白的上述和其它目的，其中本发明设及一种 裸片封装体，包括:裸片，其具有多个连接压焊点；裸片衬底，其支撑多个连接元件;第一引 线，其包括具有第一忍直径的第一金属忍和包围所述第一金属忍的电介质层，其中，所述电 介质层具有沿着长度发生改变的第一电介质厚度。
[0006] 此外，本发明设及一种裸片封装体，包括:裸片，其具有多个连接压焊点；裸片衬 底，其支撑多个连接元件;第一引线，其包括具有第一忍直径的第一金属忍和包围所述第一 金属忍的电介质层，其中，所述电介质层具有第一电介质厚度、W及至少部分包围所述电介 质层的外金属层。
[0007] 可W在引线的给定区域中对电介质层和/或金属层进行结构化或图案化，W选择 性地改进引线的电气特性。特别地，可W创建扰动，从而允许从衰减和/或相位方面修改 作为频率的函数的电气响应。
[000引从属权利要求设及本发明的有利实施例。
【附图说明】
[0009]图1是用于形成针对各种感应和电容要求而优化的电介质和金属涂布引线的结构 和方法的例示；
[0010]图巧日3分别W平面图和侧视图示出弧高（loop height)不同但长度相匹配W使阻 抗和信号相位更好地相匹配的两个引线；
[0011] 图4示出用于制造具有外接地金属的电介质涂布引线的方法步骤；
[0012] 图5示出用于制造具有外接地金属的电介质涂布引线的减成法；
[001引图6示出包括具有夕谐地金属的电介质涂布引线的BGA封装体;W及
[0014] 图7示出包括具有外接地金属的电介质涂布引线的引线框架封装体的一部分。
【具体实施方式】
[0015] 如从图1看出，利用外接地金属，适合半导体裸片封装体的引线可W由电介质涂布 的金属忍构成。如针对图1看出，可W选择性地修改初始均匀的电介质或金属涂层W调整电 气特性。运些调整可W得到主要在电容(通过电介质去除)或电感(通过金属去除)方面的变 化。在特定实施例中，可W形成环路W具有大致平坦的部分，从而允许提高选择性图案化时 的一致性。根据需要，运些调整可W是针对封装体中的单个引线、引线组或所有引线发生 的。实际上，创建厚度沿着长度改变的引线，或者可选地或另外，形成沿着引线长度的一部 分金属减少或完全去除的引线W选择性地修改引线的电气特性。
[0016] 电气修改的工艺从将引线的金属忍10贴装至裸片和衬底连接压焊点开始。利用电 介质20涂布(SI)金属忍，其中可W通过在沿着引线的定义区域22中对电介质材料使用激光 烧蚀、光敏电介质的基于光致抗蚀剂的图案化或者机械、化学或热去除将电介质选择性地 去除或烧蚀成预定深度（同时仍剩余包围金属忍的薄电介质层），来对电介质20进行图案化 (S2)。如果完全去除了电介质层20而使金属忍10暴露，则可W涂敷第二个更薄的电介质层 30(S3)。利用接地的金属40对该电介质层进行金属化（S4)。反过来可W使用激光烧蚀、机 械、化学或热去除对该金属40进行图案化(S5)，其中如此得到的电气特性的变化主要与电 感特性有关。
[0017] 如从分别W平面图和侧视图示出弧高不同但长度匹配W使阻抗和信号相位更好 地匹配的两个引线2、4的图2和3看出，可W选择性地调整其它的引线性质W优化或改进电 气特性。对于W千兆赫频率接受或发送信号的裸片，引线长度的微米尺度的差异可能导致 不同的引线之间在信号相位方面明显不匹配。可W通过诸如与图1有关地所论述等的调整 或者电容或电感特性、或者可选地通过调整弧高来更好地匹配相位，因而引线长度整体针 对需要相位匹配的信号线相同。如应当理解，根据需要，可W单独地或组合地使用针对引线 长度或者包括引线构造和图案化的电气特性的改变的组合。实际上，可W创建相位匹配的 第一引线2和第二引线4,使得第一引线2的弧高不同于第二引线4的引线长度，其中尽管在 裸片1上的各个连接压焊点5和裸片衬底6上的连接元件7之间在直线距离上存在差异，但选 择第一引线2的弧高，使得第一引线2的引线长度与第二引线4的引线长度相匹配。
[0019]表1示出对于如上所述所制造的50欧姆的引线、在不同频率处50微米引线长度差 对相位的影响。在一些应用中，相位的I度差的很大一部分可能损害性能。因而，针对该示例 将会影响30G化和60G化的性能。
[0020] 可W将电介质和金属涂布引线构造成电介质层或金属层W创建EM扰动，从而使得 能够从衰减和/或相位方面修改作为频率的函数的电气响应，W创建诸如延迟特性、禪合特 性和滤波特性等的众所周知的电气响应。结构化的电介质层和金属层的多层化是可W的， 并且可W创建本领域技术人员众所周知的楠圆响应。一旦沉积了电介质20,可W使用各种 方法对膜进行图案化;运些方法是基于诸如特征分辨率、侧壁轮廓和深度等的属性所选择 的。运些方法的示例是激光法、等离子体法和光刻法。
[0021] 在特定实施例中，可W通过使半导体裸片封装中所使用的电介质涂布引线形成为 具有变化的电介质厚度来调整电气特性。通过改变电介质涂布次数和制造步骤可W实现厚 的厚度、薄的厚度和中间厚度。可W改变忍直径和电介质厚度运两者。在特定实施例中，还 可W改变所沉积的电介质的成分，其中例如，明显不同的电介质20、30的材料包围金属忍 10,反过来电介质20、30由可接地的金属涂层40包围。运样例如允许高性能的电介质30具有 优良的防蒸汽层或抗氧降解性等，W薄薄地沉积在厚的低成本的电介质材料20的层上。在 其它实施例中，厚度发生改变的多个层的电介质可W经由薄的金属层隔开，其中在最外侧 金属层接地。
[0022] 通常，薄的电介质层将提供低阻抗，从而适合功率线，厚的电介质有利于信号完整 性，并且外金属层连接至相同的接地端。注意，忍直径和电介质厚度的组合是可W的，并且 可W进行一系列的运些步骤W实现两个W上的阻抗。在特定实施例中，可W期望在功率线 上具有大的忍W增加功率处理能力、降低功率线溫度、W及/或者进一步降低电源W及将加 剧接地反弹或功率跌落的接地线上的任何电感。由于许多封装体可W受益于具有=(3)个 W上的不同电介质厚度的引线，因此中间厚度的电介质层也是有用的。例如，具有中间电介 质厚度的引线可用于连接阻抗大大不同的源和负载W使功率传送最大化。例如，10欧姆的 源可W连接至具有20欧姆的引线的40欧姆的负载。此外，由于电介质的成本可能高，因此可 W使用厚的电介质来使重要的信号路径相互连接，其中可W利用厚度与功率引线相比更大 但与重要的信号引线相比更小（中间）的电介质层来涂布状况或重置等不太重要的引线。有 利地，运样可W减少电介质沉积材料的成本和时间。
[0023] 可W与焊线直径相组合地选择电介质涂层的精确厚度，W针对各引线