半导体元件搭载用引线框及其制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及搭载半导体元件的引线框、特别是半导体元件搭载部和端子部的形状。
【背景技术】
[0002]对于搭载半导体元件的引线框而言，提高密封用树脂相对于与半导体元件连接并与外部连接的端子部的密合性，是提高产品的可靠性的重要的一点，为了提高与树脂的密合性，从而防止端子部脱落，而提出有各种技术。具体而言，存在有在端子部的上表面侧形成突起部(檐部)的技术、使侧面粗糙化的技术等。
[0003]例如，在专利文献I中公开了一种这样的技术，该技术是通过从正反面实施蚀刻而在侧面形成凹凸的技术，对于该技术，能够在以往的从正反面进行的蚀刻加工中，通过使正面侧的蚀刻掩膜和背面侧的蚀刻掩膜存在差异地形成来应对，在蚀刻与金属板的厚度相同程度的厚度或小于等于金属板的厚度的距离时，通过形成使正面侧较小程度地开口且使背面侧较大程度地开口的蚀刻掩膜来制造引线框，从而达成目的。
_4] 现有技术文献_5] 专利文献
[0006]专利文献1:日本特开2011 - 151069号公报
【发明内容】
_7] 发明要解决的问题
[0008]然而，在利用上述以往技术的情况下，尽管是为了提高与树脂之间的密合性而形成的突起部，但在其顶端成为锐角的情况下，会在密封树脂产生裂纹，因此，需要使突起部的顶端为大致平面或者使其截面形成为具有圆弧状的轮廓。
[0009]特别是在QFN(quad flat non 一 leaded package)、LED用的引线框的情况下，设计为元件搭载面的端面相对于安装后露出的表面的端面扩展(日文:才一八'一/、>夕' )，而作为一个防止树脂剥离的对策发挥功能，但将如下不良情况视为问题:在切成单片时，在与刮片之间摩擦时引起的、因较高的热历程而导致的膨胀/收缩、振动的影响下，树脂自引线框剥离，而在市场上谋求进一步提高树脂密合性。
[0010]于是，本发明即是鉴于上述问题点而做成的，其目的在于提供有效地满足了与密封树脂之间的密合性的半导体元件搭载用引线框。
[0011]用于解决问题的方案
[0012]为了达成上述目的，本发明的一实施方式的半导体元件搭载用引线框的特征在于，在半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的一个侧面或两个侧面具有突起部，该突起部突出到比该搭载部的上表面的缘和下表面的缘或端子部的上表面的缘和下表面的缘靠水平方向的部位，该突起部的顶端为大致平面或该突起部的顶端的截面呈具有圆弧状的轮廓的形状，并且该突起部为厚壁。
[0013]另外，本发明的一实施方式的半导体元件搭载用引线框的特征在于，在半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的一个侧面或两个侧面形成有突起部，该突起部的上表面侧突出到比上述半导体元件搭载部的下表面的缘或端子部的下表面的缘靠水平方向的部位且在该突出的上表面侧的下方进一步向斜下方延伸，从而该突起部突出到比上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘靠水平方向的部位且自上述半导体元件搭载部的上表面或端子部的上表面向下方突出，该突起部的顶端具有25 μ m以上的厚度且带有圆角。
[0014]另外，本发明的一实施方式的半导体元件搭载用引线框的特征在于，在半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的侧面形成有突起部，该突起部的上表面侧突出到比上述半导体元件搭载部的下表面的缘或端子部的下表面的缘靠水平方向的部位且在该突出的上表面侧的下方进一步突出到比上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘靠水平方向的部位，该突起部自其顶端部的下方侧的角进一步向下表面延伸。
_5] 发明的效果
[0016]采用本发明的一实施方式，在半导体元件搭载部的侧面或端子部的侧面上不仅向水平方向形成突起部，向高度方向也形成突起部，从而能较强地应对来自所有方向的应力，且也增加了与树脂之间的接触面积，由此，能够防止在切成单片时由因热历程而产生的膨胀/收缩引起的树脂剥离及在切成单片时因振动而产生的树脂剥离。
【附图说明】
[0017]图1是用于说明本发明的试验例的突起部的形成工序的主要部位放大图。
[0018]图2是用于说明在图1的工序中形成的突起部顶端的形状及大小的主要部位放大图。
[0019]图3是用于说明本发明的一实施方式的突起部的形态的说明图。
[0020]图4是用于说明本发明的一实施方式的突起部的形成工序的主要部位放大图。
[0021]图5是表示用于形成本发明的一实施方式的突起部的蚀刻条件与突起部截面形状及尺寸的变化之间的关系的一览表。
[0022]图6是用于说明本发明的其他实施方式的突起部的形成工序的主要部位放大图。
[0023]图7是用于说明本发明的实施例2的突起部的形状及大小的主要部位放大照片。
[0024]图8是用于说明本发明的实施例3的突起部的形状及大小的主要部位放大照片。
[0025]图9是为了表示本发明的一实施方式的粗糙面的状态而从在树脂密封后露出的表面侧、详细而言以正对突起的顶端部的角度拍摄突起部而得到的照片。
[0026]图10是从正下方(从露出面侧以与加工前的金属板的表面垂直的角度)拍摄图9所示的粗糙化的突起部的背面而得到的照片。
【具体实施方式】
[0027]本发明的一实施方式的引线框的图案形成工序的特征在于:该图案形成工序包括以下工序:在实施了碱/酸处理的引线框用金属板I上施加感光性抗蚀层，使用包含用于形成突起物的图案的引线框制造用掩模对感光性抗蚀层进行曝光从而转印图案，并在引线框用金属板的表面形成半导体元件搭载部和端子部的工序；通过对该引线框用金属板I实施蚀刻，从而在半导体元件搭载部的侧面和端子部的侧面中的一者或两者上形成包含突起部的引线框形状的工序。
[0028]作为形成突起部4的方法，例如尝试了以下方法:在包含半导体元件搭载部的形状侧面附近形成了宽度极窄的抗蚀层的状态下进行蚀刻，从而使形成有用于形成突起部的抗蚀层的部分其由蚀刻溶解金属板的溶解时间慢于其他的部位，而在其他的部位的形状形成完成了的状态下，形成突起部。
[0029]如图1所示，在利用上述方法形成突起部时，在包含半导体元件搭载部的表面形成抗蚀层2，并且在其背面侧即在树脂密封后露出的表面侧形成宽度极窄的抗蚀层3并进行蚀刻，其结果，能够形成自半导体元件搭载部的表面(安装面)朝向水平方向及其高度方向(下方)延伸的突起部4。但是，所形成的突起部4的厚度非常薄，为10 μπι?15 μπι，即使蚀刻条件略微的不同也会使得形状的形成情况有较大程度地变动而导致突起部消失，从而难以维持突起部。另外，突起部4的顶端形状锐利，而很可能成为树脂密封后的裂纹的起点(参照图2及图3的左图)。
[0030]为了避免该问题，如图3的右图所示，需要尽量保持突起部4的厚度，并创造一种即使蚀刻条件产生差异也能够稳定地形成突起部的状态。作为该方法进行了如下试验，如图4所示，在安装面侧也施加仅在树脂密封后露出的表面侧施加的宽度极窄的抗蚀层3，使蚀刻后的突起部具有厚度。在此，金属板I和抗蚀图案层2、3的条件与后述的实施例1、4、5共用。其结果，能够使突起部的厚度增加至50μπι(参照图5中央栏的图)。另外，还通过刻意地增加或减少蚀刻量而对突起部是否消失进行了确认，在增加了蚀刻量时突起部的厚度也能够剩余地较厚，为30 μπι(参照图5左栏的图)。
[0031]另外，还确认到:突起部4的顶端部5也从锐利的形状成为带有圆角的形状(参照图5左栏的图和中央栏的图)或大致平面形状(参照图5右栏的图)，从而能够抑制自树脂密封后的突起部顶端5发生树脂裂纹。
[0032]以上，说明了突起部4形成于半导体元件搭载部的一侧面的例子，不言而喻，该突起部也可以同样地形成于半导体元件搭载部的两侧面或端子部的一侧面和/或两侧面。
[0033]实施例1
[0034]引线框用金属板I使用厚度为0.2_、宽度为180_的带状铜材料(株式会社神户制钢所制:KLF — 194)，在该金属板的两表面形成厚度为20 μ m的感光性抗蚀层(旭化成电