πι的抗蚀图案层(蚀刻速度控制用遮挡图案)的图案(参照图4)，并且外形比上述镀敷区域大50 μπι，且能够完全覆盖镀敷区域，对施加了感光性抗蚀层的金属板I的两表面进行曝光、显影，从而形成了包含用于形成突起部4的图案的引线框用蚀刻图案层。然后，在用于形成突起部的极窄的抗蚀层3的作用下，使该部分的蚀刻进行延迟，而制作出包含宽度(自上表面的缘向水平方向的突出量)E:70 μπκ高度(自上表面向下方的突出量)G:100 μπκ厚度F:50 μπι的突起部4的引线框(参照图5中央栏图)。此时，在安装面侧，将引线框形成用抗蚀层2与用于形成突起部4的抗蚀层3之间的开口宽度:C设为40 μ m，在树脂密封后露出的表面侧，将引线框形成用抗蚀层2与用于形成突起部4的抗蚀层3之间的开口宽度:D设为120 μm(参照图4)。另外，在利用蚀刻形成包含本突起部形状的引线框时，在蚀刻后剥离去除抗蚀图案层，但也可以通过在留有抗蚀图案层的状态下，利用有机酸系或过氧化氢一硫酸系的粗化液，将引线框表面粗糙化，使得包含突起部的、未被抗蚀图案层保护的部位的表面的轮廓算数平均偏差(Ra)成为0.12 μπι?0.2 μ m(参照图9及图10)，然后，剥离抗蚀图案层，从而获得具有锁模用侧面突起部以及在表面具有提高了树脂密合性的粗糙面的引线框。
[0043]比较例
[0044]引线框用金属板I使用厚度为0.2_、宽度为180_的带状铜材料(株式会社神户制钢所:KLF — 194)，在该金属板的两表面形成厚度为20 μ m的感光性抗蚀层(旭化成电子材料株式会社制:负型感光性抗蚀剂AQ - 2058)。然后，为了形成突起部4，使用引线框用的抗蚀图案用玻璃掩模(3 二力S 7少夕7卜? >只卜亇一株式会社制:HY2 - 50P)，该引线框用的抗蚀图案包含用于仅在树脂密封后露出的表面侧形成宽度B:110 μπι的抗蚀图案层的图案(图6参照)，对施加了感光性抗蚀层的金属板I的两表面进行曝光、显影，从而形成了引线框用抗蚀图案层。然后，对形成了抗蚀图案层的金属板I进行蚀刻，在施加于树脂密封后露出的表面侧的用于形成突起部的宽度极窄的抗蚀层3的作用下，使该部分的蚀刻进行延迟，从而制造出包含突起部4的引线框。此时，将引线框形成用的抗蚀层2与用于形成突起部4的抗蚀层3之间的开口宽度:D设为125 μπι(图6参照)。但是，所形成的突起部4的厚度较薄，为15 μ m，另外，突起部局部变形、消失，并且顶端形状也较锐利，因此，为树脂密封后的密合力不足以及很可能成为树脂裂纹的起点的形状(参照图2)。
[0045]附图标iP,说曰月
[0046]1、引线框用金属板；2、抗蚀层；3、抗蚀层(突起部形成用);4、所形成的突起部；5、突起部顶端。
【主权项】
1.一种引线框，其具有半导体元件搭载部和端子部，其特征在于， 上述半导体元件搭载部和上述端子部中的至少一者的侧面具有突起部，该突起部突出到比该半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的上表面的缘和下表面的缘靠水平方向的部位，该突起部的顶端为大致平面或该突起部的顶端的截面的轮廓呈圆弧状，并且该突起部为厚壁。2.一种引线框，其具有半导体元件搭载部和端子部，该半导体元件搭载部供半导体元件搭载于该半导体元件搭载部的上表面，该端子部用于引线键合于该端子部的上表面，其特征在于， 在上述半导体元件搭载部和上述端子部中的至少一者的侧面形成有突起部，该突起部的上表面侧突出到比上述半导体元件搭载部的下表面的缘或端子部的下表面的缘靠水平方向的部位且在该突出的上表面侧的下方进一步向斜下方延伸，从而该突起部突出到比上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘靠水平方向的部位且自上述半导体元件搭载部的上表面或端子部的上表面向下方突出，该突起部具有25μπι以上的厚度。3.一种引线框，其具有半导体元件搭载部和端子部，该半导体元件搭载部供半导体元件搭载于该半导体元件搭载部的上表面，该端子部用于引线键合于该端子部的上表面的端子部，其特征在于， 在上述半导体元件搭载部和上述端子部中的至少一者的侧面形成有突起部，该突起部的上表面侧突出到比上述半导体元件搭载部的下表面的缘或端子部的下表面的缘靠水平方向的部位且在该突出的上表面侧的下方进一步突出到比上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘更加靠水平方向的部位，该突起部自其顶端部的下方侧的角进一步向下表面侧延伸。4.根据权利要求1?3中任一项所述的引线框，其特征在于， 上述半导体元件搭载部的侧面和端子部的侧面通过粗糙化处理而被表面粗糙化。5.根据权利要求4所述的引线框，其特征在于， 上述半导体元件搭载部的侧面的粗糙化表面和上述端子部的侧面的粗糙化表面中的至少一者上未被实施镀敷。6.根据权利要求4所述的引线框，其特征在于， 上述粗糙化表面具有0.12 μπι?0.2 μπι的轮廓算数平均偏差。7.根据权利要求1?3中任一项所述的引线框，其特征在于， 该突起部具有30 μπι以上的厚度。8.根据权利要求2或3中所述的引线框，其特征在于， 上述突起部自上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘向水平方向的突出量为10 μπι以上。9.根据权利要2或3中所述的引线框，其特征在于， 上述突起部自上述半导体元件搭载部的上表面的缘或端子部的上表面的缘向水平方向的突出量为40 μπι以上。10.根据权利要2或3中所述的引线框，其特征在于， 上述突起部自上述半导体元件搭载部的上表面或端子部的上表面向下方的突出量为85 μm以上。11.一种引线框的制造方法，其包括以下工序:在引线框用金属板的两表面形成感光性抗蚀层的工序；使用引线框制造用掩模对感光性抗蚀层进行曝光、显影，从而形成引线框用抗蚀图案层的工序；以及对该引线框用金属板实施蚀刻，从而在半导体元件搭载部的侧面和端子部的侧面中的一者或两者上形成包含突起部的引线框形状，其特征在于， 该抗蚀图案层包含用于在蚀刻侧面形成该突起部的蚀刻速度控制用遮挡图案。12.根据权利要求11所述的引线框的制造方法，其特征在于， 该蚀刻速度控制用遮挡图案自半导体元件搭载部的外形和端子部的外形空开规定间隔地配置于引线框用金属板的正反面。13.根据权利要求12所述的引线框的制造方法，其特征在于， 上述蚀刻速度控制用遮挡图案与上述半导体元件搭载部的外形和端子部的外形之间的距离在引线框用金属板的正反面上不同。14.根据权利要求12或13所述的引线框的制造方法，其特征在于， 上述蚀刻速度控制用遮挡图案的尺寸和形状在引线框用金属板的正反面上不同。15.根据权利要求12、13或14所述的引线框的制造方法，其特征在于， 使包含背面侧的安装用端子的表面的引线框图案与蚀刻速度控制用遮挡图案之间的间隔大于包含上述半导体元件搭载部的表面的引线框图案与蚀刻速度控制用遮挡图案之间的间隔。16.根据权利要求12?15中任一项所述的引线框的制造方法，其特征在于， 在用于形成引线框形状的蚀刻工序之后，还包括以下工序:在留有抗蚀图案层的状态下，利用粗化液对露出的金属板的侧面进行处理，从而在半导体元件搭载部的侧面和端子部的侧面形成粗糙化表面。17.根据权利要求11所述的引线框的制造方法，其特征在于， 该蚀刻速度控制用遮挡图案具有90 μπι的宽度，自半导体元件搭载部的外形和端子部的外形空开95 μπι的间隔地配置于金属板的背面。
【专利摘要】提供一种有效地满足半导体元件搭载部和端子部与密封树脂之间的密合性的半导体元件搭载用引线框。在引线框的半导体元件搭载部和端子部中的至少一者的侧面具有突起部(4)，该突起部(4)突出到比该半导体元件搭载部的上表面和下表面的缘或端子部的上表面和下表面的缘靠水平方向的部位，该突起部(4)的顶端部(5)为大致平面或该突起部(4)的顶端部(5)的截面的轮廓呈圆弧状，并且该突起部(4)为厚壁。
【IPC分类】H01L23/50
【公开号】CN105190878
【申请号】CN201480013852
【发明人】吉元亮一, 山下良平
【申请人】友立材料株式会社
【公开日】2015年12月23日
【申请日】2014年3月18日
【公告号】WO2014148484A1