PX中的每一个处提供的像素电路，并提供第一电源电压ELVDD。
[0044]如图1和图2所示，用于将第二电源电压ELVSS提供给对电极230 (参见图2)的第二电源电压线500可包括彼此平行的主电源线510和520、以及彼此平行设置并连接主电源线510和520的多条辅助线530。主电源线510和520在第二方向D2上延伸，辅助线530在显示单元10的相对端连接至主电源线510和520，并在第一方向Dl上彼此平行地延伸。第二电源电压线500电连接至对电极230，并将第二电源电压ELVSS施加给对电极230。下面参照图2描述第二电源电压线500与对电极230之间的电连接。
[0045]图2是示出了图1的OLED显示器I的第二电源电压线500与对电极230之间的电连接的平面图。
[0046]参照图2，显示区域AA可包括多个像素区域PA。像素PX形成在像素区域PA的每一个中。显示区域AA可包括中心部分AC和边缘部分AE。中心部分AC可以包括一个或多个像素区域PA，并且边缘部分AE可包括一个或多个像素区域PA。像素区域PA可以从中心部分AC到边缘部分AE布置，包括位于中心部分AC和边缘部分AE中。
[0047]对电极230可以被形成为覆盖显示区域AA的整个表面，并且一对主电源线510和520可以被布置在显示区域AA的相对端。
[0048]在主电源线510和520中，任一主电源线(在下文中被称为第一主电源线)，例如主电源线510，在第二方向D2上延伸。另一主电源线(在下文中被称为第二主电源线)，例如主电源线520，在第二方向D2上延伸，并被设置为与第一主电源线510分离。
[0049]第一主电源线510和第二主电源线520可以电连接至对电极230，并且由第二电源单元50生成的第二电源电压ELVSS可通过第一主电源线510和第二主电源线520被施加到对电极230。在一个示例性实施例中，第一主电源线510和第二主电源线520的至少一部分直接接触对电极230，以电连接至对电极230。然而，这仅仅是示例性的。例如，相反，第一主电源线510和第二主电源线520可以经由诸如导电层或桥线的介质层或介质结构(未示出)电连接至对电极230。
[0050]辅助线530联接至第一主电源线510和第二主电源线520，并在第一方向Dl上延伸。第一方向Dl是垂直于第二方向D2并跨过显示区域AA的方向。辅助线530被布置成彼此分离并且彼此平行。辅助线530中的每一条可以被设置为与由在第一方向Dl上布置的像素PX形成的每列相对应。辅助线530可以经由接触区域CNT接触对电极230，并且接触区域CNT可以被布置在像素PX中的每一个处。
[0051]由于对电极230形成在显示区域AA的整个表面上，因此如果第二电源电压ELVSS仅通过第一主电源线510和第二主电源线520被提供给对电极230，则可能由于在对电极230中可能生成的电压降(IR降)而出现亮度偏差。然而，根据本示例性实施例，由于对电极230和辅助线530彼此接触，可以降低其中不存在辅助线530的比较实施例中可能出现的IR降，因此可以降低亮度偏差。
[0052]第一主电源线510和第二主电源线520可以分别沿显示区域AA的第一长边部分el和第二长边部分e2布置。用于连接第一主电源线510和第二主电源线520的辅助线530可以与显示区域AA的第一短边部分e3和第二短边部分e4平行。然而，在比较实施例中，如果辅助线530被设置为与显示区域AA的第一长边部分el和第二长边部分e2平行，则辅助线530可能是长的，因此，由于因增加的长度导致的线阻的增加可能生成IR降或亮度偏差。
[0053]由于第一主电源线510和第二主电源线520被布置在显示区域AA外，第一主电源线510和第二主电源线520的宽度可以大于辅助线530的宽度。因此，由于第一主电源线510和第二主电源线520具有比辅助线530的线阻低的线阻，因此由电流的流动生成的IR降可以是可忽略的小。然而，由于辅助线530延伸越过显示区域AA，因此辅助线530的线宽可以小。因此，在一个比较示例中，辅助线530的线阻大于第一主电源线510和第二主电源线520的线阻。在这种情况下，可生成由于辅助线530而导致的IR降，并且随着OLED显示器的尺寸增大，这样的现象可能变得严重。
[0054]然而，根据本发明的示例性实施例，关于由于辅助线530而导致的IR降，由于根据辅助线530与对电极230彼此接触的位置的总接触面积可以不同地形成，因此由于辅助线530的线阻而导致的IR降和由此导致的亮度偏差可以得到解决。
[0055]例如，与显示区域AA的中心部分AC相对应的像素区域(在下文中被称为第一像素区域)中的接触区域CNT的总面积可以大于与显示区域AA的边缘部分AE相对应的像素区域(在下文中被称为第二像素区域)中的接触区域CNT的总面积，其中与显示区域AA的中心部分AC相对应的像素区域被设置为远离第一主电源线510和第二主电源线520并可能具有相对大的IR降，与显示区域AA的边缘部分AE相对应的像素区域被设置为靠近第一主电源线510和第二主电源线520并可能具有相对小的IR降。换句话说，第一像素区域中辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以大于第二像素区域中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
[0056]辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以通过调整用于连接辅助线530与对电极230的接触孔的大小和/或数量来调整。下面描述对于每个像素区域辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
[0057]图3A是与图2的区域IIIa对应的平面图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中与在第一方向Dl上布置的像素PX对应的像素区域PA (包括PAedge和PAcenter)和辅助线530。图3B示出了图3A的修改示例性实施例。
[0058]参照图3A，形成在像素区域PA (包括PAedge和PAcenter)中的像素PX中的每一个可以包括多个子像素P1、P2和P3。虽然图3A示出了红色、绿色和蓝色的三个子像素P1、P2和P3形成像素PX，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，红色、绿色、蓝色和白色的四个子像素(未示出)可以形成像素PX。
[0059]第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触孔的尺寸可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触孔的尺寸。因此，第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的尺寸可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的尺寸。
[0060]如上所述，由于第一主电源线510和第二主电源线520形成在辅助线530的相对端，并且第二电源电压ELVSS通过辅助线530的相对端被施加，因此接触孔的尺寸可以相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。根据由于辅助线530的线阻而导致的IR降，接触孔的尺寸可以从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。
[0061]除了图3A所示的示例性实施例之外或可替代地，参照图3B，第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触孔的数量可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触孔的数量。因此，第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的数量可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的数量。
[0062]如上所述，由于第一主电源线510和第二主电源线520形成在辅助线530的相对端，并且第二电源电压ELVSS通过辅助线530的相对端被施加，因此各个像素区域的接触孔数量可以相对于跨显示区域AA的中心部分AC或第一像素区域PAcenter的中心的假想平分线HL(参见图2)对称。也就是说，根据由于辅助线530的线阻而导致的IR降，对于在从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge的方向上的各个像素区域，接触孔的数量可以逐渐减小。
[0063]图4是沿图3A的线A-A’和B_B’截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
[0064]参照图4，薄膜晶体管(TFT)、存储电容器Cap、有机发光器件OLED以及连接在辅助线530与对电极230之间的接触孔CH形成在形成于基板100上的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个上。接触区域CNT形成在辅助线530和对电极230通过接触孔CH彼此接触的地方。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。
[0065]基板100可以由各种材料形成，包括，例如，玻璃材料、金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料材料。
[0066]用于防止杂质侵入到薄膜晶体管TFT的半导体层310内的缓冲层110、用于使薄膜晶体管TFT的半导体层310和栅电极320绝缘的栅绝缘层130、用于使薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D与栅电极320绝缘的层间绝缘层150、以及用于覆盖薄膜晶体管TFT并具有大致平坦的上表面的平坦化层170形成在基板100上。
[0067]在薄膜晶体管TFT中，栅电极320可以形成在半导体层310上，并且源电极330S和漏电极330D可以形成在栅电极320上。存储电容器Cap可以包括与栅电极320形成在同一层上的下电极以及与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的上电极。层间绝缘层150可确定存储电容器Cap的电容。
[0068]像素电极210可以形成在平坦化层170上，并且可电连接薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的任意一个。像素电极210对于每个像素被图案化。像素电极210可以是反射电极。例如，像素电极210可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层210b，但不限于此，并且可以包括分别位于反射层210b的下侧和上侧并由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成的层210a和210c，但不限于此。
[0069]辅助线530可以包括第一辅助线层531和形成在第一辅助线层531上的第二辅助线层532。第一辅助线层531可与薄膜晶体管TFT的电极中的任意一个位于同一层。例如，第一辅助线层531可以与薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D形成在同一层上。第二辅助线层532可以与像素电极210形成在同一层上。
[0070]第一辅助线层531与源电极330S和漏电极330D设置在同一层上，并由与可以包括具有低电阻的材料的源电极330S和漏电极330D相同的材料形成。第一辅助线层531在第一方向Dl上延伸，以电连接至第一主电源线510和第二主电源线520(参见图2)。根据第二电源电压ELVSS的电流流经第一辅助线层531。通过具有相对低的电阻的第一辅助线层531施加的第二电源电压ELVSS可以通过第二辅助线层532被施加到对电极230。
[0071]第二辅助线层532在与接触孔CH相对应的位置处可被图案化为岛形。由于第二辅助线层532被插入在第一辅助线层531与对电极230之间，而不是第一辅助线层531与对电极230彼此直接接触，因此接触区域CNT可以通过在平坦化层170中设置空隙来以各种方式进行设计。
[0072]像素限定层180位于像素电极210和辅助线530上，并且可包括暴露像素电极210的上部的第一开口 OPl和暴露辅助线530的一部分(也就是第二辅助线层532)的第二开口 0P2。像素限定层180可以通过第一开口 OPl限定像素，并且可以通过增加像素电极210的端部与对电极230之间的距离而防止在像素电极210的端部产生电弧。
[0073]第一中间层221可以位于通过第一开口 OPl暴露的像素电极210的上