供体衬底的制作方法
【技术领域】
[0001] 示例性实施方案设及供体衬底W及通过使用该供体衬底制造显示装置的方法。
【背景技术】
[0002] 为自发光型显示装置的有机发光显示装置具有广视角、良好对比度和高响应速 度，由此作为下一代显示装置而受到关注。
[0003] 通常，有机电致发光装置包括阳极电极和阴极电极，W及插在阳极电极和阴极电 极之间的有机膜。有机膜包括至少一层辅助层，并且还可W包括空穴注入层、空穴传输层、 电子传输层和电子注入层。有机电致发光装置可W是高分子有机电致发光装置和低分子有 机电致发光装置，运取决于形成有机膜的材料，尤其是形成辅助层的材料。
[0004] 有机电致发光装置可W包括辅助层，所述辅助层被图案化W改善全色有机电致发 光装置的色纯度和发光效率。例如，可W通过使用用于低分子有机电致发光装置的罐状金 属掩模的方法，W及用于高分子有机电致发光装置的喷墨印刷法和/或激光感应热成像 化ITI)法的方法，从而可W图案化辅助层。
[0005] LITI是其中可W精细图案化有机膜的干法，而喷墨印刷是湿法。
[0006] 根据通过LITI形成高分子有机膜的图案的方法，所述方法包括至少一个光源、有 机电致发光装置衬底（即，装置衬底，也称为隔绝衬底）和供体衬底。此处，供体衬底可W 包括转移层、基体衬底、反射图案层、隔绝层、吸收层、有机膜等。可W通过使用将光福射到 衬底的吸收层上的光源，将有机层从供体衬底图案化到装置衬底上，所述吸收层配置为将 光转化成热能，并且所产生的热使有机层沉积到装置衬底上W形成转移层，其通过热能而 沉积在装置衬底上。
[0007] 在该【背景技术】部分中公开的上述信息仅用于提高对本发明构思的背景的理解，并 因此其可W包含不形成本领域普通技术人员在本国内已知的现有技术的信息。
【发明内容】
[0008] 示例性实施方案提供了包括具有不同厚度的隔绝层的供体衬底。
[0009] 示例性实施方案提供了包括具有不同热导率的隔绝层的供体衬底。
[0010] 示例性实施方案提供了使用包括具有不同厚度的隔绝层的供体衬底制造显示装 置的方法。
[0011] 将在下面的详细描述中阐明其他方面，并且在某种程度上，该其他方面会依据本 公开而变得显而易见，或可W通过本发明构思的实践而获悉。
[0012] 根据一个或多个示例性实施方案，供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透 光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：具有第一厚度的第一区域；具有第二 厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；W及具有第=厚度的第=区域，所述 第=厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；W及布置 在所述吸收层上的转移层。
[0013] 根据一个或多个示例性实施方案，供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透 光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：含有第一材料的第一区域；含有第二 材料的第二区域，所述第二材料与所述第一材料不同；W及含有第=材料的第=区域，所述 第=材料与所述第一材料和所述第二材料不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；W及布置 在所述吸收层上的转移层。
[0014] 根据一个或多个示例性实施方案，制造显示装置的方法包括：制备供体衬底，所述 供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝 层包括：具有第一厚度的第一区域；具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一 厚度不同；W及具有第=厚度的第=区域，所述第=厚度与所述第一厚度和所述第二厚度 不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；W及布置在所述吸收层上的转移层，布置面向所述 供体衬底的上表面的像素隔绝衬底；W及通过将光福射穿过所述透光基体衬底的下表面而 将所述转移层的至少一部分沉积到所述像素隔绝衬底上W形成辅助层。
【附图说明】
[0015] 包括附图W提供对本发明构思的进一步理解，并且所述附图并入本说明书并且构 成本说明书的一部分，所述附图例示出本发明构思的示例性实施方案，并且所述附图连同 描述一起用于解释本发明构思的原理。
[0016] 图1是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0017] 图2、3、4和5例示出根据一个或多个示例性实施方案的制造显示装置的方法。
[0018] 图6、7、8和9是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0019] 图10是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0020] 图11是根据一个或多个示例性实施方案的使用图10所示的供体衬底的转换方法 的横截面视图。
[0021] 图12、13、14和15是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
【具体实施方式】
[0022] 在下文描述中，出于解释的目的，阐述了多个具体细节，从而提供对各种示例性实 施方案的深入理解。然而，显而易见的是，可W在没有运些具体细节的情况下或通过一个或 多个等同布置来实践各种示例性实施方案。在其他实例中，W方框图的形式示出公知的结 构和装置，从而避免不必要地混淆各种示例性实施方案。
[0023] 在附图中，出于清楚和描述目的，可W放大层、膜、板、区域等的厚度和相对尺寸。 此外，相同的参考数字指代相同的元件。
[0024] 当元件或层被称为在另一元件或层"上"、"连接到"另一元件或层或者"禪接到"另 一元件或层时，其可W直接在另一元件或层上、直接连接到另一元件或层或者直接禪接到 另一元件或层，或者可W存在介于中间的元件或层。然而，当元件或层被称为"直接在"另 一元件或层"上"、"直接连接到"另一元件或层或者"直接禪接到"另一元件或层时，不存在 介于中间的元件或层。出于本公开的目的，"X、Y和Z中的至少一个"W及"选自X、Y和Z 的至少一个"可W解释为仅有X、仅有Y、仅有Z、或X、Y和Z中的两个或多于两个的任何组 合，例如^￥2^￥￥、￥2化及22。全文中相同的数字指代相同的元件。如本文所用，术语"和 /或"包括相关的列出项中的一个或多个项的任一及所有组合。
[00巧]尽管术语第一、第二等在本文可W用于描述各种元件、组件、区域、层和/或部分， 但运些元件、组件、区域、层和/或部分不应受运些术语的限制。运些术语用于使一个元件、 组件、区域、层和/或部分与另一元件、组件、区域、层和/或部分相区分。因此，下文讨论的 第一元件、组件、区域、层和/或部分在不背离本公开的教导的情况下可W称为第二元件、 组件、区域、层和/或部分。
[0026] 空间相对术语，例如"下方"、"之下"、"下"、"之上"、"上"等，在本文可W用于描述 目的，并且由此用于描述一个元件或特征与另一元件或特征的关系，如附图中所示。空间相 对术语旨在除了包括附图中所示的方向之外，还包括在使用、操作和/或制造中的设备的 不同的方向。例如，如果在附图中的设备被翻转，则被描述成在其他元件或特征"之下"或 "下方"的元件会定位在其他元件或特征"之上"。因此，示例性术语"之下"可W包括上和下 的方向两者。此外，设备可WW其他方式定向（例如，旋转90度或在其他方向上），并且如 此，本文所用的空间相对描述被相应地解释。
[0027] 本文所用的术语仅用于描述特定实施方案的目的，并且不旨在进行限制。如本文 所用，单数形式"一（a)"、" 一（an)"和"所述（the)"旨在还包括复数形式，除非上下文明显 另有所指。此外，术语"包含（comprises)"、"包含（comprising)"、"包括（includes)"和/ 或"包括（including)"，当用于本说明书时，指示所述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件 和/或它们的群组的存化但不排除一种或多种其他的特征、整数、步骤、操作、元件、组件 和/或它们的群组的存在或增添。
[002引在本文中参考平面图和/或截面图来描述各种示例性实施方案，所述平面图和/ 或截面图是理想化的示例性实施方案和/或中间结构的示意图。如此，会预期到由于例如 制造技术和/或容差而导致的该图的形状的变化。因此，本文公开的示例性实施方案不应 解释为限于特定例示的区域的形状，而应包括由例如制造所产生的形状的偏差。例如，W矩 形示出的植入区域通常会具有圆形或曲线形的特征和/或其边缘处的植入物浓度的梯度， 而非从植入区域到非植入区域的二元变化。同样地，由植入形成的包埋区域可W产生在包 埋区域与通过其而发生植入的表面之间的区域中的一些植入。因此，附图中所示的区域在 本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在说明装置的区域的实际形状，并且不旨在进行 限制。
[0029] 除非另外定义，则本文使用的所有术语（包括技术术语和科学术语）均具有如本 公开所属领域的普通技术人员通常理解的相同含义。术语，诸如常用词典中定义的那些术 语，应解释为具有与其在相关技术的上下文中的含义相符的含义，