z、LiCl、NaCl、KCl、I?bCl、CsCl、MgClz、化CI2、SrClz和 BaCl 2。 金属氧化物可W包括碱金属氧化物和/或碱上金属氧化物，包括Li2〇、Na2〇、而0、Cs2〇、MgO 和化0。有机金属盐可W包括由下式I表示的Liq、化q和时。
[0079]
[0080] 可W在单个室内形成电子传输层153和缓冲层152。根据一个或多个示例性实施 方案，包含电子传输层153的主体材料的第一源、包含电子传输层153的渗杂剂材料的第二 源W及包含形成缓冲层152的材料的第=源可W布置在单个室内。可W通过打开包含形成 缓冲层152的材料的第=源来形成缓冲层152,并且可W随后关闭包含形成缓冲层152的材 料的第=源。可W通过同时打开包含电子传输层153的主体材料的第一源和包含电子传输 层153的渗杂剂材料的第二源来形成电子传输层153。例如，可W移动=个源组W在隔绝 衬底160的一端与隔绝衬底160的另一端之间进行两次往返行程，即，从隔绝衬底160的一 端到隔绝衬底160的另一端（且反之亦然）的四次单向行程。可W在从隔绝衬底160的一 端到隔绝衬底160的另一端的第一单向行程时打开包含用于形成缓冲层152的材料的第= 源，W形成缓冲层152,并且可W在隔绝衬底160的一端与隔绝衬底160的另一端之间的后 =次单向行程时打开包含电子传输层153的主体材料的第一源和包含电子传输层153的渗 杂剂材料的第二源，W形成电子传输层153。因此，与相对应的竞争性实例相比，可W在没有 单独的室的情况下形成缓冲层152。
[0081] 电子注入层154可W布置在电子传输层153上。具体地，电子注入层154可W插 入电子传输层153与阴极155之间。电子注入层154可W包含任何已知的电子注入材料。 例如，电子注入层154可W包含LiF、化C1、CsF、Li2〇、BaO等中的至少一种，但示例性实施 方案不限于此。
[0082] 阴极155可W布置在电子注入层154上。具体地，阴极155可W插入电子注入层 154与保护层156之间。阴极155可W包含任何具有低功函的导电材料。例如，阴极可W包 含银（Ag)、儀（Mg)、侣（Al)、销（Pt)、钮（Pd)、金（Au)、儀（Ni)、钦（Nd)、银化）、铭（Cr)、 裡化i)、巧（Ca)等中的至少一种。
[0083] 保护层156可W布置在阴极155的上表面上。保护层156可W配置成保护在保护 层下方的层压层。保护层可W包含隔绝材料。根据示例性实施方案，可W在阴极155与保 护层156之间布置垫片（未示出）。根据示例性实施方案，可W省略保护层156。
[0084] 参考图5,显示装置可W包括针对各像素区域具有不同厚度的辅助层。
[0085] 图6是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0086] 图6的供体衬底与图1中所示的供体衬底100相似。图6中所示的供体衬底与图 1中所示的供体衬底100的不同之处在于其可W包括反射图案层120。反射图案层120可 W布置在透光基体衬底110上并包括开口 120a。可W布置隔绝层130 W覆盖反射图案层 120的上表面，并且隔绝层130可W布置在开口 120a中W覆盖被开口 120a暴露的透光基体 层110的表面。
[0087] 穿过透光基体衬底110传输的灯光或激光可W被反射图案层120的除了形成开口 120a的地方之外的地方反射。福射向开口 120a的灯光或激光可W被传输穿过开口 120a而 不被反射。穿过反射图案层120的开口 120a传输的灯光或激光可W到达吸收层140的与 开口 120a相对应的区域。
[0088] 发射板（未示出）可W额外地布置在光源的背表面上W将被反射图案层120反射 向透光基体衬底的灯光或激光反射回反射图案层120。
[0089] 反射图案层120可W包含至少一种对灯光或激光有高反射率的材料，如侣（Al)、 银（Ag)、金（Au)、销（Pt)、铜（化）、侣合金、银合金、铜氧化物和锡氧化物。可W通过使用瓣 射法、电子束沉积法、真空沉积法等沉积材料，并对沉积的材料图案化，从而形成反射图案 层 120。
[0090] 图7是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0091] 图7中所示的供体衬底与图6中所示的供体衬底相似。图7的供体衬底与图6的 供体衬底的不同之处在于在第=区域P3中布置的反射图案层120中可W省略开口 120a。 参考图7,在第=区域P3上布置的反射图案层120可W反射穿过透光基体衬底110传输的 灯光或激光。在该情况下，在第=区域P3中布置的吸收层140不产生热，并且热能不传输 至转移层150。因此，在第S区域P3中布置的转移层150不被升华，并且可W保留在吸收层 140 上。
[0092] 图8是示出根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0093] 图8中所示的供体衬底与图1中所示的供体衬底100相似。图8中所示的供体衬 底与图1中所示的供体衬底100的不同之处在于吸收层140不覆盖隔绝层130的整个上表 面，并且吸收层140布置在隔绝层130的顶表面上的凹槽中。参考图8,吸收层140可W布 置在隔绝层130的顶表面上的凹槽中，并且可W不突出吸收层140,因此吸收层140的上表 面可W具有与不布置吸收层140的区域中隔绝层130的上表面相同的高度。
[0094] 在吸收层140中产生的大部分热能可W传输至转移层150并且选择性升华W涂覆 转移层150。覆盖吸收层140的转移层可W升华至隔绝层160。
[0095] 图9是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。
[0096] 图9中所示的供体衬底与图8中所示的供体衬底相似。图9中的供体衬底与图8 中所示的供体衬底的不同之处在于图9中的供体衬底包括反射图案层120。反射图案层120 布置在透光基体衬底110上并包括开口 120a。先前已关于图7中所示的供体衬底描述了反 射图案层120和开口，并因此省略对其的描述。
[0097] 参考图10,根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底200可W包括透光基体衬 底110、隔绝层230、吸收层140和转移层150。供体衬底200可W具有与图1的供体衬底 100的构造相似的构造，除了包括隔绝层230之外。因此，此处省略重复的描述，并且此处仅 将描述隔绝层230。
[0098] 隔绝层230布置在透光基体衬底110的一个表面上。隔绝层230被分成=个区域 P1、P2和P3。隔绝层230可W在第一区域Pl中包含第一材料ml,可W在第二区域P2中包 含与第一材料ml不同的第二材料m2, W及可W在第S区域P3中包含与第一材料ml和第二 材料m2不同的第=材料m3。
[0099] 第一材料ml、第二材料m2和第S材料m3可W具有不同的热导率。具体地，布置在 第一区域Pl中的第一材料ml与第二材料m2和第S材料m3相比可W具有更低的热导率。 布置在第二区域P2中的第二材料m2与第一材料ml相比可W具有更高的热导率，并且与第 S材料m3相比可W具有更低的热导率。布置在第S区域P3中的第S材料m3与第一材料 ml和第二材料m2相比可W具有更高的热导率。
[0100] 隔绝层230的上表面可W是平坦的，并且可W在第一至第S区域P1、P2和P3中具 有相同的高度。具体地，形成在第一区域Pl上的隔绝层230的上表面、形成在第二区域P2 上的隔绝层230的上表面、和形成在第=区域P3上的隔绝层230的上表面可W是相同的。 阳101] 在第一区域Pl中布置的隔绝层230中包含的第一材料ml可W包括有机聚合物和 /或高耐热有机材料。有机聚合物和/或高耐热有机材料可W包括聚酷亚胺（PI)和聚丙 締酸醋（PA)中的至少一种。在第二区域P2中布置的隔绝层230中包含的第二材料m2可 W包括铁氧化物、娃氧化物、娃氮氧化物、错氧化物、娃碳化物、娃氮化物和有机聚合物中的 至少一种。在第S区域P3中布置的隔绝层230中包含的第S材料m3可W包含侣（Al)、银 (Ag)、金（Au)、销（Pt)、铜（化）、侣合金、银合金和铜氧化物-锡氧化物中的至少一种。可W 通过瓣射法、电子束沉积法、真空沉积法等形成隔绝层230。 阳102] 图11是示出根据一个或多个示例性实施方案的使用图10中所示的供体衬底200 制造显示装置的方法的横截面视图。 阳103] 除了隔绝层230之外，图11中所示的方法与图3中所示的方法相同。因此，对于 根据一个或多个示例性实施方案的通过使用供体衬底200制造显示装置的方法，将仅描述 隔绝层230。
[0104] 从透光基体衬底110的下表面福射的光L可W顺序地入射到光学掩模300、透光 基体衬底110、隔绝层230和吸收层140上。可W将光L福射到吸收层140上，并且吸收层 140配置成产生热。可W由隔绝层230来隔绝在吸收层140中产生的热能，并且热能可W传 输至转移层150