供体膜及其制造方法、以及使用该供体膜制造oled的方法
【专利摘要】供体膜包括：基底膜，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第二区域的有机材料结合特性与第一区域的有机材料结合特性不同；光热转换图案，在基底膜上位于第一区域处；反射层，在基底膜上位于第二区域处；以及转印层，位于光热转换图案和反射层上。
【专利说明】供体膜及其制造方法、以及使用该供体膜制造OLED的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2013年2月14日提交给韩国知识产权局的第10-2013-0015965号韩国专利申请的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用并入本文。
【技术领域】
[0003]本发明涉及供体膜、制造供体膜的方法，以及使用该供体膜制造有机发光显示器的方法。
【背景技术】
[0004]通常，有机发光显示器包括薄膜晶体管基板、相对基板、以及设置在薄膜晶体管基板与相对基板之间的有机发光设备(或多个有机发光设备)。每个有机发光设备均包括阳电极、有机层以及阴电极，其中阳电极由像素限定层部分地暴露，有机层设置在阳电极上，阴电极设置在有机层上。在每个有机发光设备中，空穴和电子分别通过阳电极和阴电极注入有机层，并且在有机层中再结合以生成激子。激子在从激发态回到基态时以光的形式发出能量。
[0005]有机层通过各种方法形成，诸如沉积法、打印法或转印法。
[0006]近年来，已经研究了转印法，并已经研究了使用供体膜以精细转印图案形成有机层的方法。
【发明内容】
[0007]本发明的实施方式的方面涉及提供能够形成精细转印图案的供体膜、制造该供体膜的方法、以及使用该供体膜制造有机发光显示器的方法。
[0008]本发明的实施方式涉及一种供体膜，其包括:基底膜，包括第一区域和围绕第一区域的第二区域，第二区域的有机材料结合特性与第一区域的有机材料结合特性不同；在基底膜上位于第一区域处的光热转换图案；在基底膜上位于第二区域处的反射层；以及位于光热转换图案和反射层上的转印层。
[0009]基底膜的第一区域处的表面可以是亲液的，基底膜的第二区域处的表面可以是拒液的。
[0010]光热转换图案可包括分散在有机粘结剂中的吸光材料。吸光材料可以是碳黑。
[0011]反射层可包括铝、铝合金、银、银合金、镁、和镁合金之一。
[0012]供体膜还可包括中间层，中间层位于转印层和光热转换图案之间和转印层与反射层之间。
[0013]本发明的实施方式涉及一种制造供体膜的方法，其包括:在基底膜上形成具有亲液表面的第一区域，并在基底膜上形成具有拒液表面并围绕第一区域的第二区域；在基底膜上涂覆混合物以在基底膜上在第一区域处形成光热转换图案，该混合物包括分散在有机粘结剂中的吸光材料；在基底膜上的第二区域处形成反射层；以及在光热转换图案和反射层上形成转印层。
[0014]形成第一区域和形成第二区域可包括:使用具有贯穿的开口的掩模将光照射至基底膜，使得第一区域形成在基底膜上对应于开口的区域中。
[0015]该方法还可包括在转印层与光热转换图案之间和转印层与反射层之间形成中间层。
[0016]本发明的实施方式涉及一种制造有机发光显示器的方法，包括:制备受体基板，受体基板包括薄膜晶体管基板和位于薄膜晶体管基板上的第一电极；将供体膜设置在受体基板上；将激光束照射至供体膜上以在第一电极上形成有机层；以及在有机层上形成第二电极。其中，供体膜包括具有第一区域和围绕第一区域的第二区域的基底膜，第二区域的有机材料结合特性与第一区域的有机材料结合特性不同。供体膜还包括在基底膜上处于第一区域处的光热转换图案，在基底膜上处于第二区域处的反射层，以及位于光热转换图案和反射层上的 转印层。
[0017]根据本发明的实施方式的方面，供体膜包括设置在没有设置光热转换图案的区域处的反射层，因此可形成精细转印图案。因此，使用该供体膜制造的有机发光显示器可包括作为有机层的精细转印图案。
【专利附图】
【附图说明】
[0018]在结合附图进行考虑时，通过参照下面的详细描述，本公开的上述及其他方面将变得显而易见，在附图中:
[0019]图1是示出根据本公开的示出供体膜的平面图；
[0020]图2是沿图1的线Ι-1'截取的剖视图；
[0021]图3至图7是示出图1和图2的供体膜的制造方法的剖视图；以及
[0022]图8至图10是示出使用图1和图2的供体膜的有机发光显示器制造方法的剖视图。
【具体实施方式】
[0023]应当理解，当元件或层被称为位于其他元件或层“上”、“连接至”或“联接至”其他元件或层时，其可直接位于其他元件或层上、直接连接至或直接联接至其他元件或层，或者可存在中间元件或层。相反，当元件被称为“直接”位于其他元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”其他元件或层时，不存在中间元件或层。贯穿全文，相同的附图标记表示相同的元件。如本文所用，用语“和/或”包括一个或多个相关列出项目的任何和所有组合。
[0024]应当理解，虽然在本文中使用第一、第二、第三等的用语描述多种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分并不由这些用语限制。这些用语仅用于区分一个元件、组件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可被称为第二元件、部件、区域、层或部分。
[0025]本文中为了便于描述使用的空间的相对用语，如“下方”、“下”、“下部”、“上”、“上部”和诸如此类的用语描述附图所示的一个元件或特征与其他(或另一)元件或特征的关系。应当理解，空间相对用语旨在包括除了在附图中描述的方位之外的使用或操作中的设备的不同方位。例如，如果图中的设备被翻转，描述为在其他元件或特征“下”或“下方”的元件，之后将被定向为在其他元件或特征“上”或“上方”。因此，示例性用语“下”可包括上和下两个方向。设备可另外地定向(例如，旋转90度或在其他方向上)并且本文所用的空间相对描述词可相应地进行解释。
[0026]本文中使用的术语仅用于描述【具体实施方式】，而不是旨在限定本发明。除非上下文另有清楚指示，否则如本文所用的单数形式，“一个(a)”、“一个(an)”、以及“该(the)”旨在包括复数形式。应当进一步理解，当在本说明书中使用用语“包括(includes)”和/或“包括(including)”时是指定所述特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件的存在，并不是排除其一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组的存在或附加。
[0027]除非另有限定，本文中所使用的所有术语(包括技术术语和科技术语)具有与本发明所属领域技术人员所通常理解的含义相同的含义。还应理解，除非文中另外指出，术语(诸如通常使用的字典中定义的术语)应被解释为具有与相关技术背景下的含义相一致的含义并且将不被解释为理想化或过于正式的含义。
[0028]在下文中，将参照附图详细说明本公开。
[0029]图1是示出根据本公开的实施方式的供体膜的平面图，图2是沿图1的线Ι-1'截取的剖视图。
[0030]参照图1和图2，供体膜100包括基底膜110、光热转换图案120、反射层130、中间层140和转印层150。
[0031]基底膜110包 括这样的材料，该材料对光(例如激光束)具有高耐热性和高透射率。 如，基底膜110可以是聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)膜，
但并不限于此。此外，基底膜110具有约10 μ m至约500 μ m的厚度。
[0032]基底膜110包括以矩阵配置形式设置的第一区域FA和围绕第一区域FA的第二区域SA。第二区域SA具有不同于第一区域FA的对有机材料的结合特性。基底膜110的位于第一区域FA中(例如，在第一区域FA处)的表面是亲液的(例如，能够通过溶剂轻易地消散)，并且基底膜110的位于第二区域SA中(例如，在第二区域SA处)的表面是拒液的。
[0033]光热转换图案120设置在基底膜110的第一区域FA中。因此，光热转换图案120以矩阵配置形式设置在基底膜110上。光热转换图案120可包括有机粘结剂和分散在有机粘结剂中的吸光材料。吸光材料吸收从外部源(未示出)照射至其上的光，并将光转换为热。在本实施方式中，吸光材料可以是碳黑，但并不限于此。
[0034]反射层130设置在基底膜110的第二区域SA中。也就是说，反射层130设置在没有设置光热转换层120的区域中但围绕光热转换层120。反射层130具有光反射特性以反射入射至供体膜110的光。例如，反射层130包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、镁(Mg)、
和/或镁合金。
[0035]中间层140设置在光热转换图案120和反射层130上。中间层140防止转印层150被光热转换层120中所包括的吸光材料污染(或减小污染量)。此外，中间层140阻挡从光热转换图案120生成的排气。中间层140包括具有高耐热性的材料并相对于转印层150具有附着力。中间层140包括有机层、无机层、或由有机层和无机层形成的多个层。有机层可以是包括丙烯酸树脂或醇酸树脂的聚合物膜。无机层可以是金属氧化物层。
[0036]转印层150设置在中间层140上。此外，在有机发光显示器的制造工艺中，转印层150的与第一区域FA相对应的区域被转印以用作有机层。因此，转印层150至少包括发光层EML并具有多层式结构。例如，转印层150可包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL以及电子注入层EIL。空穴注入层HIL将空穴注入发光层EML。空穴传输层HTL具有良好的空穴传输率并控制在发光层EML中与空穴结合的电子的运动。因此，空穴传输层HTL增大了空穴和电子在发光层中再结合的机会。发光层EML根据注入的空穴和电子的再结合而发光。空穴阻挡层HBL控制在发光层EML中与电子结合的空穴的运动。电子传输层ETL将电子传输至发光层EML。电子注入层EIL将电子注入发光层EML。这些层可由本领域技术人员公知的合适材料制成。
[0037]因为供体膜100包括设置在第二区域SA中的反射层130，所以虽然光被提供至供体膜100，但照射至第二区域SA的光被反射层130反射。因此，仅转印层150的与供体膜100的第一区域FA相对应的区域被转印至受体基板(未示出)。因此，转印层150的被转印至受体基板的图案可被精密控制。
[0038]在下文中，将参照图3至图7详细描述制造供体膜的方法。
[0039]图3至图7是示出图1和图2的供体膜的制造方法的剖视图。
[0040]参照图3，准备基底膜110。基底膜110包括对光(例如激光束)具有高热抗性和高透射率的材料。比如，基底膜110包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)膜。将基底膜110表面处理为拒液的。该表面处理可以是等离子体处理或氟化物处理。
[0041]随后，使用掩模M将光(例如紫外线)照射至基底膜110的表面上，掩模M具有以矩阵配置形式设置的开口。基底膜110的与开口 OP相对应的区域由于光照射(S卩，紫外线照射)而具有亲液特性。因此，基底膜Iio被分为亲液的第一区域FA和拒液的第二区域SA。
[0042]参照图4，照射紫外线之后，在基底膜110上的第一区域FA中形成光热转换图案120。
[0043]详细地，在第一区域FA的基底膜110上涂覆混合物，该混合物包括有机粘结剂和分散在有机粘结剂中的吸光材料。吸光材料可以是碳黑，但并不限于此。此外，可使用狭缝涂覆、旋涂、或喷墨打印涂覆混合物。
[0044]由于第一区域FA是亲液的而第二区域SA是拒液的，故仅在具有亲液特性的第一区域FA中设置混合物。也就是说，仅在第一区域FA中设置混合物而不进行其他图案化工艺，因此，光热转换图案120设置在基底膜110上位于在第一区域FA中。
[0045]参照图5，在形成光热转换图案120之后，在基底膜110的第二区域SA中形成反射层130。反射层130包括具有光反射特性的材料。例如，反射层130包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、镁(Mg)、和/或镁合金。
[0046]镁(Mg)倾向于与包括有机粘结剂的光热转换图案120结合。因此，当反射层130包括镁(Mg)时，反射层130通过沉积工艺形成在第二区域SA中而不采用额外的掩模。
[0047]参照图6，在形成反射层130之后，在光热转换图案120和反射层130上形成中间层140。中间层140是有机层、无机层、或由一个或多个有机层和一个或多个无机层形成的多层。有机层为包括丙烯酸树脂和醇酸树脂的聚合物膜。无机层为金属氧化物层。
[0048]中间层140防止转印层150被光热转换层120中所包括的吸光材料污染(或减小污染量)。此外，中间层140阻挡从光热转换图案120生成的排气。[0049]参照图7，在形成中间层140之后，在中间层140上形成转印层150。
[0050]转印层150至少包括发光层EML并具有多层式结构。例如，转印层150可包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL和电子注入层EIL。
[0051]在形成转印层150之后，可将保护膜(未示出)附接至转印层150以防止转印层150受到污染(或减小转印层150的污染)。
[0052]图8至图10是示出了使用图1和图2的供体膜的有机发光显示器的制造方法的剖视图。有机发光显示器可以是背面发光型(例如，底部发光型)有机发光显示器、正面发光型(例如，顶部发光型)有机发光显示器、或两面发光型(例如，双发光型)有机发光显示器。然而，在下文中，有机发光显示器将被描述为背面发光型有机发光显示器。
[0053]参照图8，制备受体基板AS。受体基板AS包括薄膜晶体管基板210和设置在薄膜晶体管基板210上的第一电极220。
[0054]薄膜晶体管基板210包括多个像素区域。此外，薄膜晶体管基板210包括基底基板(未示出)和设置在基底基板上的薄膜晶体管(未示出)。基底基板可以是由聚合物诸如玻璃或透明塑料形成的刚性绝缘基板。当基底基板包括塑料基板时，基底基板可包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、纤维增强塑料、和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)。此外，基底基板可以是透明柔性绝缘基板。
[0055]第一电极220设置在各个像素区域中并电连接至薄膜晶体管。第一电极220为透明导电层。例如，第一电极220包括透明导电氧化物材料，诸如氧化铟锡(ΙΤ0)、氧化铟锌(ΙΖ0)、氧化铝锌(ΑΖ0)、掺杂镓的氧化锌(GZ0)、氧化锌锡(ΖΤ0)、氧化镓锡(GT0)、掺杂氟的氧化锡(FTO)和/或其他。
[0056]另一方面，第一电极220从像素限定层F1DL中暴露出来。
[0057]在制备受体基板AS之后，将供体膜110设置在受体基板AS上。供体膜100包括基底膜100、光热转换图案120、反射层130、中间层140和转印层150。
[0058]基底膜110包括聚对苯二甲酸乙二酯(PET)膜和/或聚萘二甲酸乙二酯(PEN)膜。
[0059]光热转换图案120以矩阵配置形式设置在基底膜110上。此外，光热转换图案120包括有机粘结剂和分散在有机粘结剂中的吸光材料。吸光材料在吸收从外部源(未示出)照射至其上的光以将光转换为热。在本实施方式中，吸光材料可以是碳黑，但并不限于此。
[0060]反射层130设置在基底膜110的没有设置光热转换层120的区域中但围绕光热转换层120。反射层130包括铝(Al)、铝合金、银(Ag)、银合金、镁(Mg)、和/或镁合金，以反射入射至供体膜110的光。
[0061]中间层140设置在光热转换图案120和反射层130上。中间层140防止转印层150被光热转换层120中所包含的吸光材料污染(或减小污染量)。此外，中间层140阻挡从光热转换图案120生成的排气。
[0062]转印层150设置在中间层140上。转印层150至少包括发光层EML并具有多层式结构。例如，转印层150包括空穴注入层HIL、空穴传输层HTL、发光层EML、空穴阻挡层HBL、电子传输层ETL以及电子注入层EIL。
[0063]在准备供体膜100之后，将供体膜100设置在受体基板AS上。第一电极220面对转印层150，并且光热转换图案120被设置为对应于第一衬底220。[0064]参照图9，在将供体膜100设置在受体基板AS上之后，将激光束照射至供体膜100的基底膜110上。
[0065]照射至基底膜110上的激光束透过基底膜110并照射至光热转换图案120和反射层130上。光热转换图案120吸收激光束以将激光束转换为热。当存在反射层130的情况下，反射层130反射激光束以防止激光束照射至转印层150上。
[0066]从光热转换图案120生成的热减小中间层140与转印层150之间的附着力。转印层150 (具有与光热转换图案120相同的形状)被转印至受体基板AS的第一电极220。被转印至第一电极220的转印层150可用作有机发光显示器的有机层230。
[0067]参照图10，第二电极240形成在有机层230上。
[0068]第二电极240包括功函数小于第一电极220的功函数(work function)的材料。比如，第二电极 240 包括 Mo、W、Mg、Al、Pt、Pd、Au、N1、Nd、Ir、Cr、L1、Ca、和 / 或它们的合金中至少之一。此外，还可在第二电极240上设置导电层(未示出)以防止或减小第二电极240的电压降(IR-降)。
[0069]在形成第二电极240之后，可执行密封工艺以制造有机发光显示器。详细地，包括透明绝缘材料的密封基板(未示出)设置在第二电极240上，并且薄膜晶体管基板210和密封基板彼此联接，从而制造有机发光显示器。
[0070]此外，绝缘层(未示出)形成于第二电极240上使该绝缘层的下部结构与外部环境隔离。从而制造出有机发光显示器。
[0071]虽然已经描述了本公开的实施方式，但应理解，本公开不限于这些实施方式，在不背离所附权利要求及其等同限定的本公开的精神和范围的情况下，本领域技术人员可进行各种改进和修改。
【权利要求】
1.供体膜，包括: 基底膜，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第二区域的有机材料结合特性与所述第一区域的有机材料结合特性不同； 光热转换图案，在所述基底膜上位于所述第一区域处； 反射层，在所述基底膜上位于所述第二区域处；以及 转印层，位于所述光热转换图案和所述反射层上。
2.如权利要求1所述的供体膜，其中所述基底膜的所述第一区域处的表面是亲液的，所述基底膜的所述第二区域处的表面是拒液的。
3.如权利要求1所述的供体膜，其中所述光热转换图案包括分散在有机粘结剂中的吸光材料。
4.如权利要求3所述的供体膜，其中所述吸光材料包括碳黑。
5.如权利要求1所述的供体膜，其中所述反射层包括铝、铝合金、银、银合金、镁、和镁么么令——口ο
6.如权利要求1所述的供体膜，还包括中间层，所述中间层位于所述转印层和所述光热转换图案之间以及位于所述转印层与所述反射层之间。
7.制造供体膜的方法，包括: 在基底膜上形成具有亲液表面的第一区域，并在所述基底膜上形成具有拒液表面并围绕所述第一区域的第二区域； 在所述基底膜上涂覆混合物以在所述基底膜的所述第一区域处形成光热转换图案，所述混合物包括分散在有机粘结剂中的吸光材料； 在所述供体膜上的所述第二区域处形成反射层；以及 在所述光热转换图案和所述反射层上形成转印层。
8.如权利要求7所述的方法，其中形成第一区域和形成第二区域包括:使用具有贯穿的开口的掩模将光照射至所述基底膜，使得所述第一区域形成在所述基底膜上对应于所述开口的区域中。
9.如权利要求7所述的方法，还包括在所述转印层与所述光热转换图案之间和在所述转印层与所述反射层之间形成中间层。
10.制造有机发光显示器的方法，包括: 制备受体基板，所述受体基板包括薄膜晶体管基板和位于所述薄膜晶体管基板上的第一电极; 将供体膜设置在所述受体基板上； 将激光束照射至所述供体膜上，以在所述第一电极上形成有机层；以及 在所述有机层上形成第二电极， 其中所述供体膜包括: 基底膜，包括第一区域和围绕所述第一区域的第二区域，所述第二区域的有机材料结合特性与所述第一区域的有机材料结合特性不同； 光热转换图案，位于所述基底膜上并处于所述第一区域处； 反射层，位于所述基底膜上并处于所述第二区域处；以及 转印层，位于所述光热转换图案和所述反射层上。
【文档编号】H01L51/56GK103991301SQ201310542602
【公开日】2014年8月20日 申请日期:2013年11月5日 优先权日:2013年2月14日
【发明者】金孝妍, 宋河珍, 李相雨, 沈橞娟, 李欣承, 韩洁, 表相祐 申请人:三星显示有限公司