。
[0105] 布置在第一区域Pl中的隔绝层230与布置在第二区域P2和第S区域P3中的隔 绝层230相比可W包含具有更低热导率的第一材料ml,并因此与布置在第二区域P2和第= 区域P3中的隔绝层230中相比，布置在第一区域Pl中的隔绝层230中隔绝作用可W更高。 因此，与在第二区域P2和第=区域P3中相比，传输至转移层150的热能在第一区域Pl中 可W更大，并且与在第二区域P2和第=区域P3相比，在第一区域Pl中可W升华更多的转 移层150。
[0106] 布置在第二区域P2中的隔绝层230可W包含与布置在第一区域Pl中的隔绝层 230相比具有更高热导率的第二材料m2,并因此与布置在第一区域Pl中的隔绝层230相比 可W具有更小的隔绝作用。因此，与第一区域Pl相比，传输至转移层150的热能在第二区 域P2中可W更少，并且与第一区域Pl相比，在第二区域P2中可W升华更少的转移层150。 阳107] W相同的方式，与在第一区域Pl和第二区域P2中布置的隔绝层230相比，在第= 区域P3中布置的隔绝层230可W具有更小的隔绝作用，并且与第一区域Pl和第二区域P2 相比，在第=区域P3中可W升华更少的转移层150。
[0108] 参考图9,当传输至在第S区域P3中布置的转移层150的热能不足W升华转移层 150时，转移层150可W不被升华。
[0109] 在S个区域P1、P2和P3中升华的转移层150可W沉积在隔绝衬底160上，并形成 有机材料层，具体为辅助层R'和G'。布置在第一区域Pl中的第一辅助层R'，其中与第二 和第=区域P2和P3相比可W升华更多的转移层150,可W具有最大的厚度，并且布置在第 二区域P2中的第二辅助层G'，其中与第一区域Pl中相比可W升华更少的转移层150,可W 具有与第一辅助层R'相比更小的厚度。在其中与第一区域Pl和第二区域P2相比可W升 华更少的转移层150的第=区域P3中的沉积厚度可W是最小的。当如上所述在第=区域 P3中不升华转移层150时，在第=区域P3中的沉积可W不发生。
[0110] 根据一个或多个示例性实施方案，供体衬底可W包括对各区域具有不同热导率的 隔绝层，并且可W通过使用该供体衬底在单个过程中沉积具有不同厚度的辅助层。
[0111] 图12是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图12中所示 的供体衬底与图10中所示的供体衬底200相似。供体衬底可W包括反射图案层120。
[0112] 图13是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图13中所示 的供体衬底与图12中所示的供体衬底相似。该供体衬底与图12的供体衬底的不同之处在 于在第S区域P3中布置的反射图案层120中可W省略开口 120a。
[0113] 图14是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图14中所示 的供体衬底与图10中所示的供体衬底200相似。但是，它们的不同之处在于在图14的供 体衬底中，吸收层140不覆盖隔绝层130的整个上表面，并且吸收层140布置在隔绝层130 的顶表面上的凹槽内。
[0114] 图15是根据一个或多个示例性实施方案的供体衬底的横截面视图。图15中所示 的供体衬底与图14中所示的供体衬底相似。该供体衬底可W包括反射图案层120。
[0115] 根据一个或多个示例性实施方案，可W通过使用根据一个或多个示例性实施方案 的供体衬底在单个过程中沉积具有不同厚度的隔绝层。
[0116] 尽管在本文中已描述了某些示例性实施方案和实施，但其他实施方案和改变根据 该描述会是显而易见的。因此，本发明构思不限于此类实施方案，而是限于所呈现的权利要 求W及各种显而易见的改变和等同布置的更宽泛的范围。
【主权项】
1. 供体衬底，包括： 透光基体衬底； 布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括： 具有第一厚度的第一区域； 具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及 具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同； 布置在所述隔绝层上的吸收层；以及 布置在所述吸收层上的转移层。2. 如权利要求1所述的供体衬底，其中所述隔绝层的第一区域的第一厚度大于所述隔 绝层的第二区域的第二厚度，并且所述隔绝层的第二区域的第二厚度大于所述隔绝层的第 三区域的第三厚度。3. 如权利要求1所述的供体衬底，其中所述隔绝层包括： 布置在所述第一区域与所述第二区域之间的所述隔绝层的上表面上的第一阶梯；以及 布置在所述第二区域与所述第三区域之间的所述隔绝层的上表面上的第二阶梯。4. 如权利要求1所述的供体衬底，其中所述隔绝层包含钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化 物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。5. 如权利要求1所述的供体衬底，其中所述吸收层配置成将入射光转换成热能。6. 供体衬底，包括： 透光基体衬底； 布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括： 包含第一材料的第一区域； 包含第二材料的第二区域，所述第二材料与所述第一材料不同；以及 包含第三材料的第三区域，所述第三材料与所述第一材料和所述第二材料不同； 布置在所述隔绝层上的吸收层；以及 布置在所述吸收层上的转移层。7. 如权利要求6所述的供体衬底，其中所述第一材料的热导率低于所述第二材料的热 导率，并且所述第二材料的热导率低于所述第三材料的热导率。8. 如权利要求7所述的供体衬底，其中在所述第一区域中的所述隔绝层的第一材料包 含有机聚合物或高耐热有机材料之一。9. 如权利要求8所述的供体衬底，其中所述有机聚合物或所述高耐热有机材料包括聚 酰亚胺（PI)和聚丙烯酸酯（PA)中的至少一种。10. 如权利要求7所述的供体衬底，其中所述隔绝层的第二材料包含钛氧化物、硅氧化 物、硅氮氧化物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。11. 如权利要求7所述的供体衬底，其中所述隔绝层的第三材料包含铝、银、金、铂、铜、 含铝的合金、含银的合金、铟氧化物和锡氧化物中的至少一种。12. 如权利要求6所述的供体衬底，其中所述吸收层配置成将入射光转换成热能。13. 制造显示装置的方法，所述方法包括： 制备供体衬底，其包括： 透光基体衬底； 布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括： 具有第一厚度的第一区域； 具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及 具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同； 布置在所述隔绝层上的吸收层；以及 布置在所述吸收层上的转移层， 布置朝向所述供体衬底的上表面的像素隔绝衬底；以及 通过将光辐射穿过所述透光基体衬底的下表面而将所述转移层的至少一部分沉积到 所述像素隔绝衬底上以形成辅助层。14. 如权利要求13所述的方法，还包括： 将光学掩模布置在所述透光基体衬底的下表面上，所述光学掩模包括阴影部分和掩模 基体。15. 如权利要求13所述的方法，其中所述隔绝层的第一区域的第一厚度大于所述隔绝 层的第二区域的第二厚度，并且所述隔绝层的第二区域的第二厚度大于所述隔绝层的第三 区域的第三厚度。16. 如权利要求15所述的方法，其中将所述转移层的至少一部分沉积到所述像素隔绝 衬底上以形成辅助层包括： 沉积与所述第一区域相对应的第一辅助层，所述第一辅助层具有第一沉积厚度； 沉积与所述第二区域相对应的第二辅助层，所述第二辅助层具有第二沉积厚度，所述 第二沉积厚度小于所述第一沉积厚度；以及 沉积与所述第三区域相对应的第三辅助层，所述第三辅助层具有第三沉积厚度，所述 第三沉积厚度小于所述第二沉积厚度。17. 如权利要求16所述的方法，其中所述第三沉积厚度基本为0。18. 如权利要求13所述的方法，其中所述隔绝层包括： 布置在所述第一区域与所述第二区域之间的所述隔绝层的上表面上的第一阶梯；以及 布置在所述第二区域与所述第三区域之间的所述隔绝层的上表面上的第二阶梯。19. 如权利要求13所述的方法，其中所述隔绝层包含钛氧化物、硅氧化物、硅氮氧化 物、锆氧化物、硅碳化物、硅氮化物和有机聚合物中的至少一种。20. 如权利要求13所述的方法，其中所述吸收层配置成将入射光转换成热能。
【专利摘要】本申请涉及供体衬底，所述供体衬底包括：透光基体衬底；布置在所述透光基体衬底的上表面上的隔绝层，所述隔绝层包括：具有第一厚度的第一区域；具有第二厚度的第二区域，所述第二厚度与所述第一厚度不同；以及具有第三厚度的第三区域，所述第三厚度与所述第一厚度和所述第二厚度不同；布置在所述隔绝层上的吸收层；以及布置在所述吸收层上的转移层。
【IPC分类】H01L27/32
【公开号】CN105575999
【申请号】CN201510733084
【发明人】权宁吉
【申请人】三星显示有限公司
【公开日】2016年5月11日
【申请日】2015年11月2日
【公告号】US20160126456