部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。第一中间层221可以一体地形成在像素PX上。
[0074]第一中间层221可以具有多层或单层结构。例如，第一中间层221可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地，第一中间层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
[0075]第二中间层222可以具有多层或单层结构。第二中间层222可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
[0076]发射层223可被插入在第一中间层221与第二中间层222之间，并且可包括可以发射例如红光、绿光、蓝光和/或白光的低分子量有机材料或聚合物有机材料。
[0077]在本示例性实施例中，尽管发射层223被提供在第一中间层221与第二中间层222之间，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，如果第一中间层221和发射层223由聚合物材料形成，则第二中间层222可以被省略。在这种情况下，发射层223可以被插入在第一中间层221与对电极230之间。
[0078]对电极230可以一体地形成在多个像素PX上。对电极230可以是透光电极，并且可包括多层。例如，对电极230可以包括由L1、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物形成的第一层、以及由?το、ΙΖ0、Ζη0或In2O3形成并位于第一层的上侧和/或下侧处的第二层。
[0079]第一中间层221和第二中间层222可以形成在与像素限定层180的第二开口 0P2相对应的位置，并且可以包括暴露辅助线530的接触孔CH。对电极230可通过接触孔CH接触辅助线530。由于位于显示区域AA的中心部分AC处的第一像素区域PAcenter的接触孔CH的尺寸可以大于位于显示区域AA的边缘部分AE处的第二像素区域PAedge的接触孔CH的尺寸，因此第一像素区域PAcenter中的总接触面积可以大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
[0080]图5是沿图3B的线C-C’和D-D’截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
[0081 ] 参照图5，根据一个示例性实施例的OLED显示器可以具有与参照图4描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了接触孔CH的数量和接触区域CNT的数量之外。
[0082]在辅助线530和对电极230通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH彼此接触的地方，形成接触区域CNT。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
[0083]辅助线530可以包括第一辅助线层531和第二辅助线层532。由于第二辅助线层532被图案化为与接触孔CH对应的岛形，因此位于第一像素区域PAcenter中的第二辅助线层532的数量可以与接触孔CH的数量相同。
[0084]图6是沿图3A的线A-A’和B_B’截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
[0085]参照图6，根据一个示例性实施例的OLED显示器可以具有与参照图4描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了辅助线530的结构之外。
[0086]根据图6所示的示例性实施例，辅助线530可以与像素电极210形成在同一层上，并由与像素电极210相同的材料形成。在这种情况下，由于线和器件可以形成在平坦化层170下方，因此可以获得用于形成像素电路的充分空间。
[0087]与像素电极210形成在同一层上的辅助线530通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH接触对电极230，从而形成接触区域CNT。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸可以大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
[0088]图7是沿图3B的线C-C’和D_D’截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
[0089]参照图7，该OLED显示器可具有与参照图6描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了接触孔CH的数量和根据其形成的接触区域CNT的数量之外。
[0090]在辅助线530和对电极230通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH彼此接触的地方，形成接触区域CNT。辅助线530可以与像素电极210形成在同一层上，并由与像素电极210相同的材料形成。
[0091]第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量可以大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积可以大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
[0092]图8是沿图3A的线A-A’和B_B’截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
[0093]参照图8，根据本示例性实施例的OLED显示器可以具有与参照图4描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了辅助线530的结构之外。
[0094]根据图8所示的示例性实施例，辅助线530可以与薄膜晶体管TFT的至少一个电极形成在同一层上。例如，辅助线530可以与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上，并由与源电极330S和漏电极330D相同的材料形成。
[0095]由于源电极330S和漏电极330D被平坦化层170覆盖，因此平坦化层170可包括形成在与第二开口 0P2相对应的位置处的通孔TH，以暴露辅助线530的上部。第二开口 0P2和通孔TH可以具有基本相同的尺寸，并且接触孔CH的尺寸可以等于或小于第二开口 0P2和通孔TH中的每一个的尺寸。
[0096]与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的辅助线530通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH接触对电极230，从而形成接触区域CNT。
[0097]第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
[0098]图9是沿图3B的线C-C’和D_D’截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
[0099]参照图9，该OLED显示器可具有与参照图8描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了接触孔CH的数量和根据其形成的接触区域CNT的数量之外。
[0100]在辅助线530和对电极230通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH彼此接触的地方，形成接触区域CNT。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量可以大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积可以大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
[0101]辅助线530可以与薄膜晶体管TFT的至少一个电极形成在同一层上。例如，辅助线530可以与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上，并由与源电极330S和漏电极330D相同的材料形成。由于源电极330S和漏电极330D被平坦化层170覆盖，因此平坦化层170可包括形成在与第二开口 0P2相对应的位置处的通孔TH，以暴露辅助线530的上部。第二开口 0P2和通孔TH可以具有基本相同的尺寸。接触孔CH的尺寸等于或小于第二开口 0P2和通孔TH中的每一个的尺寸。
[0102]图1OA至图1OD是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。通过根据本示例性实施例的制造方法制造的OLED显示器对应于参照图4描述的OLED显示器。
[0103]参照图10A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个中。像素电极210电连接至薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的一个。
[0104]在形成像素电极210和辅助线530之前，可以形成各种层。例如，可以在基板100上形成用于防止杂质侵入到薄膜晶体管TFT的半导体层310内的缓冲层110、用于使薄膜晶体管TFT的半导体层310和栅电极320绝缘的栅绝缘层130、以及用于使薄膜晶体管TFT的源电极330S和/或漏电极330D与栅电极320绝缘的层间绝缘层150。
[0105]辅助线530可以包括与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的第一辅助线层531以及与像素电极210形成在同一层上的第二辅助线层532。在制造源电极330S和漏电极330D的过程中形成第一辅助线层531，并且在制造像素电极210的过程中形成第二辅助线层532。
[0106]例如，金属层(未示出)可以形成在层间绝缘层150上，并被图案化，使得薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D以及第一辅助线层531被形成。接下来，包括暴露源电极330S和漏电极330D中的任意一个以及第一辅助线层531的一部分的通孔的平坦化层170被形成。接下来，反射电极层(未示出)形成在平坦化层170上，并被图案化，使得像素电极210和第二辅助线层532被形成。如参照图2所描述的，第一辅助线层531被形成为在第一方向Dl上延伸。相反，第二辅助线层532可被图案化为岛形。
[0107]存储电容器Cap可以包括与栅电极320形成在同一层上的下电极以及与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的上电极。层间绝缘层150可确定存储电容器Cap的电容。
[0108]参照图10B，包括暴露像素电极210的上部的第一开口 OPl和暴露辅助线530的一部分(例如第二辅助线层532的上部)的第二开口 0P2的像素限定层180被形成。接下来，第一中间层221形成在通过第一开口 OPl暴露的像素电极210的上部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。第一中间层221可以是HTL0可替代地，第一中间层221可以包括HIL和HTL，但不限于此，可以包括其它层。
[0109]发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口 OPl中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。第二中间层222可包括ETL和/或EIL。虽然图1OA至图1OD所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
[0110]参照图1OB和图10C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口 0P2中的部分，使得接触孔CH被形成。由于激光束的尺寸决定了接触孔CH的尺寸，因此在第一像素区域PAcenter中照射的激光束的尺寸可以大于在第二像素区域PAedge中照射的激光束的尺寸。因此，形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸可以大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。
[0111]参照图10D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230跨像素区域整体地形成，并且可以覆盖像素区域。在这种状态下，对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530，例如，第二辅助线层532。
[0112]如上所述，由于第一像素区域PAcenter的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge的接触孔CH的尺寸，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面