[0052]N型硅片基体100，Ν型硅片基体的表面由内到外依次是N+掺杂层101、钝化层102及减反射层103;Ν型硅片基体的背面按间隔排列梳状的N+掺杂区104和P+掺杂区105，Ν+掺杂区104表面由内到外依次是钝化层106、增反射层108和负电极109，Ρ+掺杂区105表面由内到外依次是钝化层107、增反射层108和正电极110。
[0053]参照图2，本发明的IBC电池结构包括:减反层、N型硅片基体、掺杂层、钝化层及负电极和正电极，其中:减反层设在N型娃片基体的正面，掺杂层包括η+重掺杂层和ρ+重掺杂层，该η+重掺杂层和ρ+重掺杂层平行设在N型硅片基体的背面，钝化层设在η+重掺杂层和ρ+重掺杂层的上面;在η+重掺杂层、P+重掺杂层上引出负电极和正电极至钝化层背面
[0054]硅片正面减反层采用SiNx膜或Si02/Si3N4叠层膜可以通过化学气相淀积方法生长，只需一个工艺步骤即可实现。
[0055]硅片背面η+掺杂层、ρ+掺杂层采用同一种钝化结构，该钝化结构具有钝化和增加背反射双重效果，采用SiNx膜或Si02/Si3N4或Al203/Si3N4叠层膜，可以通过化学气相淀积方法生长，只需一个工艺步骤即可实现。
[0056]参照图3和图4，本发明制作上述N型IBC电池结构的方法，给出以下三种实施例:
[0057]实施例1，制备叠层减反层和叠层钝化层的N型IBC电池。
[0058]步骤一:在N型硅片进行双面制绒。
[0059]先对N型硅片进行清洗，去除表面污染物；
[0060]再将N型硅片置于质量分数为1%的KOH溶液中搅拌，使其与硅片正反两面充分反应20min，根据各项异性腐蚀原理，在N型硅片正反两面形成金子塔形绒面；
[0061]制绒完成后，在N型硅片正面涂胶，用浓度大于5%的NaOH溶液冲刷N型硅片背面，对硅片背面进行抛光；
[0062]去除正面胶体，并用去离子水冲洗N型硅片。
[0063]步骤二:丝网印刷磷源和硼源。
[0064]在硅片背面先丝网印刷宽度为50μπι的硼硅玻璃浆体作为硼源，再丝网印刷宽度为30μπι的磷硅玻璃浆体作为磷源。
[0065]步骤三:淀积SiNx掩模。
[0066]在硅片背面采用PECVD淀积一层厚度为75nm、折射率为1.8的SiNx掩膜，作为扩散时的掩模层，防止扩散炉中的Na+离子进入到硅片中影响N型硅片特性。
[0067]步骤四:高温扩散形成η+和ρ+掺杂层。
[0068]将硅片置于扩散炉中，在温度800°C环境下扩散90分钟，使印刷在硅片背面的硼源和磷源向N型娃片中扩散，分别形成η+和ρ+掺杂层，其中η+掺杂层的扩散方块电阻为15ohm/□，p+掺杂层的扩散方块电阻为20ohm/D。
[0069]步骤五:去除磷硅玻璃、硼硅玻璃及SiNx掩模。
[0070]将扩散完成的硅片浸泡在HF浓度为3%、HCL浓度为30%的混合溶液中反应，使其与硅片背面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG及SiNx掩膜同时反应，生成可溶性的络合物六氟硅酸，再用去离子水反复冲洗干净。
[0071 ]步骤六:淀积叠层减反层。
[0072]将步骤五中清洗完成的硅片放入PECVD设备反应室中，通入硅烷SiH4与笑气N2O,先在硅片正面沉积厚度为1nm，折射率为1.4的S12膜；
[0073]再通入硅烷和氨气NH3，在S12膜上淀积厚度为50nm，折射率为2.2的Si3N4膜，从而在N型硅片正面形成Si02/Si3N4叠层膜作为减反层。
[0074]步骤七:淀积叠层钝化层。
[0075]将步骤六中生长完成Si02/Si3N4叠层膜表面涂胶保护，并将背面向上置于PECVD设备反应室中；
[0076]通入硅烷SiH4与笑气N2O在η+和ρ+掺杂层淀积厚度为15nm，折射率为1.4的S12膜。
[0077]再通入硅烷和氨气NH3，在S12膜上淀积厚度为30nm，折射率为2.2的Si3N4膜，从而在η+和ρ+掺杂层上形成Si02/Si3N4叠层膜作为钝化层。
[0078]步骤八:光刻钝化层形成接触图形。
[0079]在钝化层背面进行宽度为30μπι，深度为45nm的激光刻蚀，形成电极接触图形的凹槽，以去除钝化层且不损伤掺杂层的硅片表面。
[0080]步骤九:丝网印刷电极，完成电池制作。
[0081]在步骤八硅片的背面用厚度为50nm的银浆进行丝网印刷形成电极图形并覆盖步骤八中形成的凹槽，再在850 0C进行高温烧结，形成宽度为40μηι的负电极和宽度为40μηι的正电极，完成N型IBC电池的制作。
[0082]实施例2，制备单层减反层和单层钝化层的N型IBC电池。
[0083]步骤1:在N型硅片进行双面制绒。
[0084]先对N型硅片进行清洗，去除表面污染物；
[0085]再将N型硅片置于质量分数为3%的NaOH溶液中搅拌，使其与硅片正反两面充分反应30min，根据各项异性腐蚀原理，在N型硅片正反两面形成金子塔形绒面；
[0086]制绒完成后，在N型硅片正面涂胶，用浓度大于5%的NaOH溶液冲刷N型硅片背面，对硅片背面进行抛光；
[0087]去除正面胶体，并用去离子水冲洗N型硅片。
[0088]步骤2:丝网印刷磷源和硼源。
[0089]在硅片背面先丝网印刷宽度为1.5mm的硼硅玻璃浆体作为硼源，再丝网印刷宽度为1.5mm的磷娃玻璃楽体作为磷源。
[0090]步骤3:淀积SiNx掩模。
[0091 ]在硅片背面采用PECVD淀积一层厚度为200nm、折射率为2.5的SiNx掩膜，作为扩散时的掩模层，防止扩散炉中的Na+离子进入到硅片中影响N型硅片特性。
[0092]步骤4:高温扩散形成η+和ρ+掺杂层。
[0093]将硅片置于扩散炉中，在温度1000°C环境下扩散40分钟，使印刷在硅片背面的硼源和磷源向N型硅片中扩散，分别形成η+和ρ+掺杂层，其中η+掺杂层的扩散方块电阻为60ohm/D，p+掺杂层的扩散方块电阻为80ohm/D。
[0094]步骤5:去除磷硅玻璃、硼硅玻璃及SiNx掩模。
[0095]将扩散完成的硅片浸泡在浓度为15%的HF溶液中反应，使其与硅片背面磷硅玻璃PSG、硼硅玻璃BSG及SiNx掩膜同时反应，生成可溶性的络合物六氟硅酸，再用去离子水反复冲洗干净。
[0096]步骤6:淀积单层钝化层。
[0097]将步骤5中去除PSG、BSG及SiNx的硅片背面向上放入PECVD设备反应室中；
[0098]通入硅烷和氨气NH3，在η+和ρ+掺杂层上淀积SiNx厚度为200nm，折射率为2.3的SiNx膜作为钝化层。
[0099]步骤7:淀积单层减反层。
[0100]将步骤6中淀积SiNx钝化层的硅片背面涂胶保护放入PECVD设备反应室中；
[0101]再通入硅烷和氨气NH3,在N型硅片正面淀积厚度为lOOnm，折射率为2.3的SiNx膜，作为减反层；
[0102]去除正面胶体，并用去离子水冲洗干净。
[0103]步骤8:光刻钝化层形成接触图形。
[°104]在钝化层背面进行宽度为80μηι，深度为200nm的激光刻蚀，形成电极接触图形的凹槽，以去除钝化层且不损伤掺杂层的硅片表面。
[0105]步骤9:沉积金属层，退火并光刻剥离形成淀积。
[0? 06]在形成电极接触图形的娃片背面用原子层沉积方法ALD沉积厚度为10nm的Ag层，再沉积厚度为5μπι的Al层，并850°C温度下进行快速热退火工艺，与η+和ρ+重掺杂层分别形成欧姆接触，
[0107]再进行光刻剥离，形成宽度为40μπι的负电极和宽度为60mm的正电极，完成N型IBC电池的制作。
[0108]实施例3，制备叠层钝化层和单层减反层的N型IBC电池。
[0109]步骤A:在N型硅片进行双面制绒。
[0110]先对N型硅片进行清洗，去除表面污染物;再将N型硅片置于质量分数为2%的NaOH溶液中搅拌，使其与硅片正反两面充分反应25min，根据各项异性腐蚀原理，在N型硅片正反两面形成金子塔形绒面;制绒完成后，在N型硅片正面涂胶，用浓度大于5 %的NaOH溶液冲刷N型硅片背面，对硅片背面进行抛光;去除正面胶体，并用去离子水冲洗N型硅片。
[0111]步骤B:丝网印刷磷源和硼源。
[0112]在硅片背面先丝网印刷宽度为Imm的硼硅玻璃浆体作为硼源，再丝网印刷宽度为
1.2mm的磷娃玻璃楽体作为磷源。
[0113]步骤C:淀积SiNx掩模。
[0114]在硅片背面采用PECVD淀积一层厚度为150nm、折射率为2.0的SiNx掩膜，作为扩散时的掩模层，防止扩散炉中的Na+离子进入到硅片中影响N型硅片特性。
[0115]步骤D:高温扩散形成η+和ρ+掺杂层。
[0116]将硅片置于扩散炉中，在温度800°C环境下扩散70分钟，使印刷在硅片背面的硼源和磷源向N型娃片中扩散，分别形成η+