置在支撑构件190上。第四导电层180可以用作结合层并且被布置在支撑构件190和第三导电层170之间以增强其间的粘附。第四导电层180可以包括阻挡金属层或者结合金属层。例如，第四导电层180可以由T1、Au、Sn、N1、Cr、Ga、Nb、In、B1、Cu、Al、S1、Ag以及Ta中的至少一个形成。
[0169]第三导电层171可以被布置在第四导电层180上。第三导电层171的第一接触部分172可以接触第二导电类型半导体层130。而且，第一接触部分172可以用作第二导电类型半导体层130的结合焊盘或者电极以将电力提供到第二导电类型半导体层130。
[0170]第三导电层171的第一接触部分172可以垂直地重叠第一电极115。而且，第一接触部分172可以通过第一和第二导电层151和161物理地或/和电气地接触发光结构层135的最下面的层，例如，第二导电类型半导体层130的下表面。
[0171]第三导电层171可以由N1、Pt、T1、W、V、Fe以及Mo中的至少一个形成。而且，第三导电层171可以形成为单层或者多层。
[0172]第三导电层171可以福射在发光结构层135中产生的热以防止发光器件100的可靠性的劣化。而且，第三导电层171可以具有大约0.Ιμπι至大约200μπι的厚度。第三导电层171可以用作发光结构层135下面的用于释放热的热辐射板和用于提供电力的电极。第三导电层171的第一接触部分172可以以大于第一导电层151的接触电阻接触发光结构层135。
[0173]第三导电层171的第二接触部分173可以进一步从发光结构层135的侧壁137向外突出。而且，布线或者第二电极可以接触第二接触部分173。第二接触部分173的部分173Α可以接触第二导电类型半导体层130的下表面的边缘，但是不限于此。
[0174]第三导电层171的侧表面和发光结构层135的侧壁137之间的距离D4可以大于绝缘层195的厚度。因此，可以暴露第二接触部分173的顶表面。
[0175]第二导电层161可以被布置在第三导电层171上。第二导电层161可以包括反射层。而且，第二导电层161可以由具有大约50%或者更大的反射率的金属材料形成，并且因此可以根据金属材料的特性而具有各种反射率。反射层161可以反射从发光结构层135入射的光，以提高发光器件的发光效率。
[0176]例如，第二导电层161 可以由包括 Ag、N1、Al、Rh、Pd、Ir、Ru、Mg、Zn、Pt、Au 以及 Hf?中的至少一个的合金或者金属形成。替代地，第二导电层160可以使用金属或者合金和诸如IT0、IZ0、IZT0、IAZ0、IGZ0、IGT0、AZ0、或者ATO的透光导电材料形成为多层。例如，第二导电层 160 可以具有诸如 IZO/N1、AZ0/Ag、IZO/Ag/N1、AZ0/Ag/N1、Ag/Cu、或者 Ag/Pd/Cu 的堆叠结构。
[0177]第一导电层151可以被布置在第二导电层161上。第一导电层151可以欧姆接触第二导电类型半导体层130以将电力平滑地提供到发光结构层135。
[0178]透光导电层和金属可以被选择性地用作第一导电层151。例如，通过使用铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(IZO)、铟锌锡氧化物(IZTO)、铟铝锌氧化物(IAZO)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟镓锡氧化物(IGT0)、铝锌氧化物(ΑΖ0)、锑锡氧化物(ATO)、镓锌氧化物(GZ0)、1抑\、1?11(^、1?11(^/11'0、附^8、？1111、211以及311中的至少一个将第一导电层151实现为单层或者多层。
[0179]发光结构层135可以被布置在第一导电层151上。
[0180]发光结构层135可以包括包括II1-V族元素的化合物半导体层，例如，第一导电类型半导体层110、第一导电类型半导体层110下面的有源层120、以及有源层120下面的第二导电类型半导体层130。
[0181]发光结构层135可以通过用于将多个芯片划分为单独的单元芯片的隔离蚀刻工艺而具有倾斜的侧表面。
[0182]光提取图案111可以被布置在发光结构层135的顶表面上。光提取图案111可以最小化通过其表面全反射的光量以提高发光器件的光提取效率。光提取图案111可以具有任意形状和布置或者特定的形状和布置。
[0183]第一电极115可以被布置在发光结构层135的顶表面上。第一电极115可以以预定的图案形状分支。而且，第一电极115可以具有其中具有至少一个形状并且连接到焊盘的电极图案和至少一个焊盘相互相同地或者不同地堆叠的结构，但是不限于此。第一电极115可以由例如0、祖^11、￥、1、1^以及41中的至少一个的金属形成。而且，第一电极115可以将电力提供到第一导电类型半导体层110。
[0184]在下文中，将会详细地描述用于制造根据第六实施例的发光器件的方法。然而，将会省略或者简要地描述在先前的示例性实施例中已经描述的重复描述。
[0185]图24至图31是用于制造根据第六实施例的发光器件的工艺的视图。
[0186]参考图24，发光结构层135可以形成在生长基板105上。
[0187]例如，生长基板105 可以由蓝宝石(Al203)、SiC、GaAs、GaN、Zn0、S1、GaP、InP、以及 Ge中的至少一个形成。在当前实施例中，硅(Si)基板可以作为生长基板的示例。
[0188]发光结构层135可以包括第一导电类型半导体层110、有源层120、以及第二导电类型半导体层130。缓冲层(未示出)可以形成在第一导电类型半导体层110和生长基板105之间以减少其间的晶格常数差。
[0189]参考图25，第一导电层151可以形成在第二导电类型半导体层130上，并且第二导电层161可以形成在第一导电层151上。第一和第二导电层151和161可以形成在第二导电类型半导体层130的一部分上。而且，孔155可以限定在第一和第二导电层151和161至少部分或者垂直地重叠稍后将会形成第一电极的区域的区域中。而且，孔156可以进一步限定在第一和第二导电层151和161之间的第一距离Tl的边界中。
[0190]参考图25和图26，第三导电层171可以形成在第二导电类型半导体层130和第二导电层161上。第三导电层171可以覆盖第一导电层151和第二导电层161。而且，第一和第二接触部分172和173可以布置在其中没有形成第一和第二导电层151和161的孔155和156中以接触第二导电类型半导体层130。第三导电层171的第二接触部分173可以形成在第一距离Tl的边界上。
[0191]参考图27，第四导电层180可以形成在第三导电层171上，并且支撑构件190可以形成在第四导电层180上。第四导电层180可以形成在第三导电层171和支撑构件190之间以增强其间的粘附。支撑构件190可以被制备为单独的片。支撑构件190可以通过结合工艺粘附到第四导电层180或者通过沉积工艺沉积在第四导电层180上，但是不限于此。
[0192]参考图28，可以从图27的发光器件移除生长基板105。随着生长基板105被移除，可以暴露第一导电类型半导体层110的表面。
[0193]参考图29，可以沿着单元芯片区域对发光结构层135执行隔离蚀刻工艺以将发光结构层135划分为多个发光结构层135。尽管在当前实施例中，发光结构层135具有垂直侧表面，但是发光结构层135可以通过隔离蚀刻工艺具有倾斜侧表面。而且，可以通过隔离蚀刻工艺暴露第三导电层171的第二接触部分173。
[0194]光提取图案111可以形成在第一导电类型半导体层110的顶表面上。
[0195]然后，第一电极115可以形成在第一导电类型半导体层110的顶表面的一部分上。第一电极115可以由金属形成，例如，由Cr、N1、Au、Ti以及Al中的至少一个形成。
[0196]参考图30，绝缘层195可以形成在第一导电类型半导体层110和发光结构层135的侧表面上。尽管在当前实施例中，绝缘层195部分地形成在第一导电类型半导体层的顶表面上，但是绝缘层195可以形成在除了其上形成第一电极115的区域之外的整个区域上。绝缘层195可以由绝缘并且透光的材料形成，例如，由Si02、Si0x、Si0xNy、Si3N4以及Al2O3中的一个形成。
[0197]绝缘层195可以被布置在光提取图案111上。因此，可以防止绝缘层195和第一导电类型半导体层110相互容易地分离以提高发光器件的可靠性。
[0198]参考图31，可以执行用于将图30的发光器件划分为单独的发光器件单元的芯片分离工艺以提供根据当前实施例的发光器件102。
[0199]例如，可以使用其中使用刀片施加物理力以分离芯片的断裂工艺、其中将激光照射到芯片边界以分离芯片的激光划片工艺、以及包括湿法或者干法蚀刻工艺的蚀刻工艺来执行芯片分离工艺，但是不限于此。
[0200]根据图24至图31的制造工艺，当生长基板由硅形成时，包括第一导电类型半导体110、有源层120、以及第二导电类型半导体层130的发光结构层135可以堆叠在生长基板105上，并且然后支撑构件190可以耦合到此。当通过湿法蚀刻工艺移除Si生长基板105时，可能在发光结构层105中出现裂纹。因此，发光结构层105可能彼此错配。在当前实施例中，当支撑构件105由绝缘材料形成时，可以防止裂纹的出现以提供具有提高的可靠性的发光器件。
[0201]而且，可以通过激光划片工艺来实现用于将发光器件划分为单独的器件单元的芯片分离工艺。在此，当支撑构件190由诸如金属的导电材料形成时，通过激光的热熔融支撑构件190从而产生毛刺，从而劣化器件的可靠性。然而，根据当前实施例，当支撑构件190由绝缘材料形成时，可以解决诸如出现毛刺的上述限制。
[0202]图32是根据第七实施例的发光器件的截面图。
[0203]参考图32，发光器件102A可以包括:第一电极115;第二电极131;发光结构层135;第一导电层151;第二导电层152;第三导电层171，该第三导电层包括第一接触层;第四导电层180;以及支撑构件190。
[0204]第二电极131可以被布置在第三导电层171的第二接触部分173上并且与发光结构层135隔开。
[0205]第二电极131可以物理地接触第三导电层171并且电连接到第二导电类型半导体层130以将电力提供到第二导电类型半导体层130。布线可以结合到第二电极131。
[0206]第二电极131可以与发光结构层135的侧壁137隔开。而且，第二电极131可以电连接到第一和第二导电层151和161。被提供到第二电极131的电力可以通过第三导电层171提供到第一和第二导电层151和161。第二电极131可以被布置在发光结构层135的侧表面中的至少一个侧表面上或者以图案的形状延伸并且因此被布置在多个侧表面上。
[0207]图33是包括根据实施例的发光器件的发光器件封装的截面图。在图33中，将会描述根据第二实施例的发光器件的封装作为示例。
[0208]参考图33，发光器件封装200包括:主体20;第一和第二引线电极31和32，其被布置在主体20上;发光器件100B，其被布置在主体20上，并且电连接至第一和第二引线电极31和32;模制构件40，其围绕发光器件100B;第一布线50;以及第二布线52。
[0209]主体20可以由硅材料、合成树脂材料或者金属材料形成。倾斜表面可以被布置在发光器件10B的周围。
[0210]第一和第二引线电极31和32彼此电分离，并且向发光器件100B提供电力。而且，第一引线电极31和第二引线电极32可以反射在发光器件100B中产生的光以提高光效率，并且可以将在发光器件10B中产生的热辐射到外部。
[0211]发光器件100B可以被布置在主体20上，或者第一或者第二引线电极31或者32上。
[0212]可以通过布线工艺、倒装芯片工艺或者管芯结合工艺之一将发光器件100B电连接到第一和第二引线电极31和32。第一布线50可以将第一引线电极31连接到图1的第一电极115，并且第二布线52可以结合到图1的第三导电层170的边缘的顶表面上的第二引线电极32或者结合到图11的第二电极131上。
[0213]模制构件