>[0044] 此外，在本说明书中所使用的"包括（comprise)"以及/或者"包括的 (comprising)"表示存在所提及的形状、数字、步骤、动作、构件、要素以及/或者其组合，并 不排除存在或增加一个以上的其它形状、数字、步骤、动作、构件、要素以及/或者其组合。
[0045] 在附图中相同的附图标记表示相同的构成要素，因此，根据情况，对于附图中重复 出现的，可以省略说明。
[0046] 在本发明的实施例中，引线框架是将引线端子构图在金属框架上的结构，因此，与 在绝缘芯上形成有金属配线层的印刷电路板相比，其结构或者厚度等会有所不同。
[0047]本发明的实施例涉及的能够进行NFC通信的电子装置，例如，可以包括智能手机、 平板电脑、笔记本电脑等，下面，例示说明智能手机的相关结构。
[0048]图la是示出本发明的比较例涉及的电池保护电路封装体的一部分所要实现的电 池保护电路的电路图，图lb是示出常规的近距离无线通信(NFC)结构的示意图，图2是示出 本发明的比较例涉及的具备电池保护电路封装体的电池组的立体图，图3是示出本发明的 比较例涉及的电池保护电路封装体的立体图，图4是示出本发明的比较例涉及的具备电池 保护电路封装体的电池组的分解立体图。
[0049] 本发明的实施例涉及的构成电子装置的电池保护电路封装体所要实现的电池保 护电路可以包括除了虚线部分141之外的图la所示的保护电路。
[0050] 参照图la，电池保护电路10包括:第一内部连接端子B+以及第二内部连接端子B-， 用于与电池单元连接;第一外部连接端子P+、第二外部连接端子CF、第三外部连接端子P-， 用于与电子设备(例如，便携式终端等)连接，所述电子设备在充电时与充电器连接，放电时 则通过电池电源动作。其中，在第一外部连接端子P+、第二外部连接端子CF、第三外部连接 端子P-中，第一外部连接端子P+以及第三外部连接端子P-用于供给电源，剩下的外部连接 端子、即第二外部连接端子CF，例如，用于区分电池以进行适合电池的充电。此外，第二外部 连接端子CF可以采用充电时感测电池温度的部件即热敏电阻(thermistor)，并且可以用作 适用其它功能的端子。
[00511此外，电池保护电路10具有双场效应晶体管(FET)芯片110、保护集成电路120、电 阻R1~R3、变阻器(varistor)Vl、电容C1以及电容C2的连接结构。双场效应晶体管芯片110 由具有共漏极结构的第一场效应晶体管FET1以及第二场效应晶体管FET2构成。保护集成电 路(Protection IC)120包括:VDD端子，通过电阻R1连接于电池的+端子、即第一内部连接端 子B+，用于检测施加的电压以及电池电压，所述施加的电压是通过第一节点nl所施加的充 电电压或者放电电压;VSS端子，成为对于保护集成电路120内部动作电压的基准;V-端子， 用于检测充放电以及过电流状态;D0端子，在过放电状态下用于将第一场效应晶体管FET1 断开;C0端子，在过放电状态下用于将第二场效应晶体管FET2断开。
[0052]此时，保护集成电路120的内部设有基准电压设定部、用于比较基准电压与充放电 电压的比较部、过电流检测部、充放电检测部。在此，可将充电以及放电状态的判断基准变 更为用户所要求的规格(SPEC)，并且根据所规定的基准，确认保护集成电路120的各端子间 的电压差并判定充电/放电状态。
[0053]保护集成电路120构成为，在放电时，如果达到过放电状态，则使D0端子成为低 (LOW)以将第一场效应晶体管FET1断开，如果达到过充电状态，则使C0端子成为低以将第二 场效应晶体管FET2断开，而如果是流有过电流的情况，在充电时，则断开第二场效应晶体管 FET2,在放电时，则断开第一场效应晶体管FET1。
[0054]电阻R1和电容C1用于稳定保护集成电路120的供给电源的变化。电阻R1连接在电 池的电源VI供给节点、即第一节点nl与保护集成电路120的VDD端子之间，电容C1连接在保 护集成电路的VDD端子与VSS端子之间。
[0055]此外，电阻R1以及电阻R2在与超出保护集成电路120的绝对最大额定电压的高电 压充电器连接时或者与充电器连反时成为限流电阻。电阻R2连接在保护集成电路120的V-端子与第二节点n2之间，所述第二节点n2与第二场效应晶体管FET2的源端子S2连接。
[0056]电容C2连接在第二节点n2(或者第三外部连接端子P-)与第一场效应晶体管FET1 的源端子S1(或者VSS端子、第二内部连接端子B-)之间。电容C2并不对所述电池保护电路产 品的特性产生大的影响，但是因用户的要求或者稳定性而增设。所述电容C2用于提高对于 电压变动或者外部噪波的耐性，从而稳定系统。
[0057] 此外，电阻R3以及变阻器VI是用于静电释放(Electrostatic Discharge，ESD)、电 涌（surge)保护元件，以彼此并联的结构连接配置在第二外部连接端子CF与所述第二节点 n2(或者第三外部连接端子P-)之间。所述变阻器VI是发生过电压时电阻变小的元件，当发 生过电压时，其电阻变小，从而能够最大限度地减少过电压引起的电路损坏等。
[0058]另一方面，可以在上述电池保护电路的结构中额外增设NFC电路141，以支持近场 通信(Near Field Communication, :NFC)。增设的NFC电路141例如可以包括NFC外部连接端 子NFC1、NFC接线端子H)1、NFC接线端子TO2以及NFC匹配元件C3~C6。作为参考，在图la的电 路图中公开的NFC接线端子、H)2可以由图3所示的封装体300a中的端子60-1、60-2来实 现，并且与配置在电池组600a周边的NFC天线（图2中的470)的端部（图2中的472、474)接触。 例如，NFC天线470可以是环状天线。若NFC天线470的端部472、474与NFC接线端子PD1、PD2接 触，则NFC匹配元件03工4、05工6可以与即(：天线470电连接，从而形成闭环((31〇86(11〇(^)。 例如，NFC匹配元件C3、C4、C5、C6可以是频率匹配用电容。例如，可以将NFC天线470的两个末 端472、474与所述NFC匹配元件的电容连接以形成闭环，并利用发生在NFC天线470和电容 C3、C4、C5、C6的谐振来生成13.56MHz的NFC通信用频域，从而与NFC设备进行通信。
[0059]参照图lb，常规的近距离无线通信（NFC)的示例性结构包括NFC控制集成电路部 142、US頂(全球用户识别卡)芯片144以及读取器148。可以在US頂芯片144与读取器148之间 提供第一电感146以及第二电感147,并且在US頂芯片144与第一电感146之间提供第一电容 部145。可以在NFC控制集成电路部142与US頂芯片144之间提供第二电容部143。
[0060] 上述的NFC天线470相当于图lb中所示的第一电感146,上述的电容03、04、05、06相 当于图lb中所示的第一电容部145。第一电感146以及第一电容部145通过上述的NFC外部连 接端子NFC1与NFC控制集成电路部142、第二电容部143以及US頂芯片144连接。
[0061] 参照图2至图4,在本发明的比较例涉及的电池保护电路封装体以及电池组中，NFC 天线470配置在构成电池组600a的电池单体400的侧表面。NFC天线470的端部472、474与电 池保护电路封装体300a的端子垫片60-U60-2例如可以通过焊接工序接合。然而，为了进行 天线焊接工序，电池保护电路封装体300a需要端子垫片60-1、60-2结构，因此不利于封装体 的小型化，在确保封装体的内部空间方面存在局限性。另一方面，还有可能因焊接工序而使 电池组的制造工艺变得复杂。此外，NFC天线470与电池保护电路封装体300a的接合部分的 结构脆弱，因此，从整体结构来看剪切强度有可能低。
[0062]本发明的实施