一种双沟槽场效应管的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及半导体器件制造技术领域，特别是涉及一种双沟槽场效应管。
【背景技术】
[0002]功率晶体管一般用于控制功率电子器件合理工作，通过功率电子器件为负载提供大功率的输出。功率晶体管已广泛用于控制功率输出，高频大功率晶体管的应用电子设备的扫描电路中，如彩电，显示器，示波器，大型游戏机的水平扫描电路，视放电路，发射机的功率放大器等，亦广泛地应用到例如对讲机，手机的射频输出电路，高频振荡电路和高速电子开关电路等电路中。
[0003]一般说来，功率器件通常工作于高电压、大电流的条件下，普遍具备耐压高、工作电流大、自身耗散功率大等特点，因此在使用时与一般小功率器件存在一定差别。为了让开关器件的功能得到良好的发挥，功率半导体场效应晶体管需要满足两个基本要求:1、当器件处于导通状态时，能拥有非常低的导通电阻，最小化器件本身的功率损耗；2、当器件处于关断状态时，能拥有足够尚的反向击穿电压。
[0004]但是现有技术中，双沟槽场效应管的制备方法制备的器件结构如图1?图2所示，其中图1为俯视图，图2为图1沿AA’方向的剖视图。其制备方法如下步骤:
[0005]I)提供半导体衬底101以及结合于所述半导体衬底101表面的掺杂层102 ；
[0006]2)于所述掺杂层102内制作沟槽栅103 ；
[0007]3)刻蚀所述掺杂层102以分别在与所述沟槽栅103的两侧形成深沟槽，并在所述深沟槽表面形成氧化层108 ;
[0008]4)于所述深沟槽内沉积导电材料110 ；
[0009]5)于所述掺杂层102的表层形成沟道区106 ；
[0010]6)于所述沟道106区表层成源区109 ；
[0011]7)于所述源区109表面制作隔离层111 ；
[0012]8)刻蚀所述隔离层111以露出所述深沟槽导电材料110并露出欲制备源区接触电极的区域，然后沉积金属材料以形成深沟槽接触电极1133和源区接触电极1131、1132 ;
[0013]9)减薄所述半导体衬底101，然后淀积金属材料以形成下电极114。
[0014]从图1和图2可以看出，两行结构中的沟槽栅结构相同，呈对称分布，且每行沟槽栅的两侧均设置源区接触电极，这就使得源区面积较小，引起开启电压(Vth)不稳定，并且由于两侧均设有源区接触电极，导致每一个源区接触孔的面积也较小，雪崩特性差。
【实用新型内容】
[0015]鉴于以上所述现有技术的缺点，本实用新型的目的在于提供一种双沟槽场效应管，用于解决现有技术中源区面积小、源区接触孔面积小的问题。
[0016]为实现上述目的及其他相关目的，本实用新型提供一种双沟槽场效应管，所述场效应管包含若干行器件结构，一行器件结构中源区左侧设置为源区接触电极、右侧设置为沟槽栅，其相邻行中的源区左侧设置为沟槽栅、右侧设置为源区接触电极，如此重复交替，形成双沟槽场效应管的沟槽栅版图布局结构，其中，每一行的沟槽栅之间互相电连。
[0017]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，每一行中所述沟槽栅和源区接触电极之间源区的宽度不小于0.2 μ??。
[0018]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，所述源区接触电极的宽度范围为0.3?0.5 μ m。
[0019]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，每一行器件结构的步骤包括:
[0020]半导体衬底；
[0021]结合于所述半导体衬底表面的掺杂层；
[0022]制作于所述掺杂层内的浅沟槽；
[0023]沉积形成于所述浅沟槽内的沟槽栅；
[0024]分别形成在所述沟槽栅的两侧的深沟槽，所述沟槽栅靠近其中一侧的深沟槽；
[0025]形成于深沟槽中的氧化层和导电材料；
[0026]形成于所述深沟槽之间的掺杂层表层的沟道区；
[0027]形成于沟道区表层的源区以及隔离层；
[0028]分别与所述深沟槽导电材料和源区接触的深沟槽接触电极和源区接触电极；
[0029]形成于半导体衬底底部的下电极。
[0030]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，所述源区接触电极的其中三个面到沟槽栅的垂直距离相等，且该垂直距离大于所述源区接触电极到离沟槽栅较远的深沟槽接触电极的垂直距离。
[0031]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，所述沟槽栅包括栅氧层以及栅氧层表面的栅极材料。
[0032]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，所述栅极材料的厚度为6000 ?8000 埃。
[0033]作为本实用新型双沟槽场效应管的一种优化的方案，所述步骤3)中氧化层的厚度为3000?6000埃。
[0034]如上所述，本实用新型的双沟槽场效应管，包含若干行器件结构，一行器件结构中源区左侧设置为源区接触电极、右侧设置为沟槽栅，其相邻行中的源区左侧设置为沟槽栅、右侧设置为源区接触电极，如此重复交替，形成双沟槽场效应管的沟槽栅版图布局结构，其中，每一行的沟槽栅之间互相电连。本实用新型的这种布局结构可以获得相对更宽的源区面积，有助于避免孔离沟道太近引起的开启电压不稳定的问题，并且源区接触电极的面积也更大，提升器件的雪崩特性，另外，还增加了沟槽密度，进而获得更低的Rsp。
【附图说明】
[0035]图1为现有技术的双沟槽场效应管的结构俯视图。
[0036]图2为图1沿AA’方向的剖视图。
[0037]图3为本实用新型双沟槽场效应管的结构俯视图。
[0038]图4为图3沿BB’方向的剖视图。
[0039]图5为图3沿CC’方向的剖视图。
[0040]元件标号说明
[0041]101半导体衬底
[0042]102掺杂层
[0043]103沟槽栅
[0044]104栅氧层
[0045]105栅极材料
[0046]106沟道区
[0047]108氧化层
[0048]109源区
[0049]110导电材料
[0050]111隔离层
[0051]113上电极
[0052]1131, 1132源区接触电极
[0053]1133深沟槽接触电极
[0054]114下电极
【具体实施方式】
[0055]以下通过特定的具体实例说明本实用新型的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本实用新型的其他优点与功效。本实用新型还可以通过另外不同的【具体实施方式】加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本实用新型的精神下进行各种修饰或改变。
[0056]请参阅附图。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本实用新型的基本构想，遂图式中仅显示与本实用新型中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
[0057]本实用新型提供一种双沟槽场效应管的制备方法，所述制备方法包括场效应管的版图布局方法，如图3所示，所述版图布局方法包括:提供一场效应管，所述场效应管包含若干行器件结构，一行器件结构中源区109左侧设置为源区接触电极1131、右侧设置为沟槽栅1031，其相邻行中的源区109左侧设置为沟槽栅1032、右侧设置为源区接触电极1132，如此重复交替，形成双沟槽场效应管的沟槽栅版图布局结构，其中，每一行的沟槽栅之间互相电连。
[0058]需要说明的是，现有技术中每一行器件结构的沟槽栅的位置及结构都相同，并且沟槽栅距两侧深沟槽的距离都相等，源区接触电极则对称的设置在沟槽栅的两侧。而本实用新型只在沟槽栅的一侧设置源区接触电极，形成非对称结构，且相邻行源区两侧的沟槽栅和源区接触电极位置正好相反。图3中仅仅示出了其中两行的结构，依据本实用新型的精神，应该知晓，由这两行结构上下平移可以获得整个场效应管的结构，即源区接触电极和沟槽栅的位置依次交替呈左右、右左、左右、右左…的结构。
[0059]由于一行中只有一个源区接触电极，因此，源区接触电极的宽度可以制作的更宽，宽的源区接触电极可以提升器件的雪崩特性。作为示例，所述源区接触电极1131、1132的宽度为0.3?0.5 μ m。本实施例中，所述源区接触