专利名称：一种绝缘栅场效应管的制作方法
技术领域：
本发明涉及绝缘栅场效应管领域，尤其涉及一种绝缘栅场效应管的新结构
背景技术：
目前，绝缘栅型场效应晶体管经常用于各类电子电路中，绝缘栅场效应管的种类较多，有PM0S、NM0S和VMOS功率管等。MOS绝缘栅场效应管也即金属一氧化物一半导体场效应管，通常用MOS表示，称作MOS管。但是此类通用的绝缘栅场效应管内有两个PN结(两种导电类型交界的一小块区域，一般称为PN结)，其中一个PN结在绝缘栅型场效应管工作时不起作用，造成了材料以及加工工艺的浪费，增加了成本，因此发明一种加工简单，成本便宜的绝缘栅场效应管是本领域技术人员急需解决的问题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供制造简单，降低成本的一种绝缘栅场效应管，为了解决此技术问题，本发明采用以 下技术方案:
一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区(3)和第一导电类型相反的第二导电类型N区(4)，其特征在于:还包括绝缘层(2)和栅极(1)，所述P区(3)与所述N区(4)彼此相邻，所述绝缘层(2)覆盖在所述P区(3)和N区(4)上方，所述栅极(I)设置在所述绝缘层(2)上方。优选的，所述栅极(I)位于所述P区(3 )上方或所述N区(4 )上方或所述P区(3 )和N区(4)结合部上方。本发明由于只存在一个PN结就可以实现绝缘栅场效应管的相应功能，从而制造简单，降低了成本。
图1栅极位于P区上方 图2栅极位于N区上方 图3栅极位于结合部上方
具体实施例方式以下结合附图1，2，3进一步说明本发明的实施例。见图1，图2，图3，本发明涉及的一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型的P区
(3)和与第一导电类型相反的第二导电类型的N区(4)，其特征在于:还包括一绝缘层(2)和栅极(I)，所述P区(3 )与所述N区(4 )彼此相邻，所述绝缘层(2 )覆盖在所述P区(3 )和N区(4 )上方，所述栅极(I)设置在所述绝缘层(2 )上方。优选的，所述栅极(I)位于所述P区(3 )上方或所述N区(4 )上方或所述P区(3 )和N区(4)结合部上方。
本发明由于只存在一个PN结就可以实现绝缘栅场效应管的相应功能，从而制造简单，降低了成本。对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围内的情况下，在其他实施例中实现。因此，本发明将不会限制于本文所示的这些实施例，而是要符合于本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。同样的，本文述及的上方等字眼是为了描述方便，依据附图绘制的相对位置关系进行描述，不应理解为对实际产品的限制。
权利要求
1.一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区(3)和第一导电类型相反的第二导电类型N区(4)，其特征在于:还包括绝缘层(2)和栅极(1)，所述P区(3)与所述N区(4)彼此相邻，所述绝缘层(2)覆盖在所述P区(3)和N区(4)上方，所述栅极(I)设置在所述绝缘层(2)上方。
2.根据权利要求1所述的一种绝缘栅场效应管，其特征在于:所述栅极(I)位于所述P区(3)上方或所述N区(4)上方或所述P区(3)和N区(4)结合部上方。
全文摘要
一种绝缘栅场效应管，包括第一导电类型P区(3)和第一导电类型相反的第二导电类型N区(4)，其特征在于还包括绝缘层(2)和栅极(1)，所述P区(3)与所述N区(4)彼此相邻，所述绝缘层(2)覆盖在所述P区(3)和N区(4)上方，所述栅极(1)设置在所述绝缘层(2)上方。本发明由于只存在一个PN结就可以实现绝缘栅场效应管的相应功能，从而制造简单，降低了成本。
文档编号H01L29/78GK103077972SQ20131005333
公开日2013年5月1日 申请日期2013年2月19日 优先权日2013年2月19日
发明者张传科 申请人:张传科