专利名称：栅极控制变容管的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子元件。具体说是压控振荡器中用来产生振荡频率的栅极控制变 容管。
背景技术：
在微电子行业都知道，在压控振荡器中都设置有用来产生振荡频率的变容管。传统的变 容管都是P-N结型变容二极管。P-N结型变容二极管虽然可以产生振荡频率，但其C-V曲线 不直，工作区域内的频率分布不均，使得频率范围较窄(通常在其中心频率的±20%左右)。 另外，P-N结型变容二极管的寄生参数较大，使得其品质因数Q值很低，从而影响到压控振 荡器的起振。
实用新型内容
本实用新型要解决的问题是提供一种栅极控制变容管。这种栅极控制变容管，频率范宽、 能确保压控振荡器的起振。
为解决上述问题，本实用新型采取以下方案
本实用新型的栅极控制变容管的特点是含有埋层、深磷体和场氧体。深磷体为筒状，其 下端与埋层上表面相连，其上端与场氧体下表面相接，场氧体的下表面中间接有下极板，埋 层、深磷体、下极板和场氧体之间有外延体。与下极板相应的场氧体上有开口，且该开口小 于下极板。开口处有栅氧体和多晶体，栅氧体和多晶体的四周与场氧体的开口四周相接。其 中，多晶体的中间部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上有电容控制端子，下表面上有凹 坑。与凹坑相对应的栅氧体上有与凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔内有场氧体块，该场氧 体块的厚度是凹坑的深度和栅氧体的厚度之和，使得场氧体块的上、下表面分别与凹坑的坑 底和栅氧体相接触。场氧体边沿上有通孔，通孔内有电源端子，该电源端子为合金材料，其 下端与深磷体的上端相接触。多晶体一侧的场氧体上亦有通孔，该通孔与下极板的上表面相 对应，其内有基准电位端子，基准电位端子的下端与下极板的上表面相接触。
所说埋层、外堰体、深磷体、下极板、场氧体、栅氧体和多晶体分别是用不同浓度的半 导体体材料而制成。
其中的埋层和深磷体为高浓度介质。
采取上述方案，具有以下优点
由于本实用新型的栅极控制变容管含有埋层、深磷体和场氧体。深磷体为筒状，其下端 与埋层上表面相连，其上端与场氧体下表面相接，场氧体的下表面中间接有下极板，埋层、 深磷体、下极板和场氧体之间有外延体。与下极板相应的场氧体上有开口，且该开口小于下
极板。开口处有栅氧体和多晶体，栅氧体和多晶体的四周与场氧体的开口四周相接；其中， 多晶体的中间部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上有电容控制端子，下表面上有凹坑。 与凹坑相对应的栅氧体上有与凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔内有场氧体块，该场氧体块 的厚度是凹坑的深度和栅氧体的厚度之和，使得场氧体块的上、下表面分别与凹坑的坑底和 栅氧体相接触。场氧体边沿上有通孔，通孔内有电源端子，该电源端子为合金材料，其下端 与深磷体的上端相接触。多晶体一侧的场氧体上亦有通孔，该通孔与下极板的上表面相对应， 其内有基准电位端子，基准电位端子的下端与下极板的上表面相接触。其中，下极板与栅氧 体的交界面上会积聚电子，使交界面处发生积累-耗尽-反型的过程。但通过加合适的基准电 位，可使本实用新型的栅极控制变容管只工作在积累耗尽区，而不进入反型区，使C-V曲线 近似于一条直线，整个频率范围分布均匀，其工作频率范围可实现中心频率的±50%，从而 拓展了频率范围。
又由于埋层和深磷体为高浓度介质，可减小寄生串联电阻，从而可大大提高本实用新型 的栅极控制变容管的品质因数，确保压控振荡器的起振。
附图是本实用新型的栅极控制变容管结构示意图。
具体实施方式
如附图所示，本实用新型的栅极控制变容管含有埋层10、深磷体7和场氧体5。深磷体 7为圆筒状，其下端与埋层10的上表面形成为一体，其上端与场氧体5的下表面形成为一体。 场氧体5的下表面中间接有下极板6，埋层IO、深磷体7、下极板6和场氧体5之间设置有 外延体8。与下极板6相对应的场氧体5上加工有开口，该开口小于下极板6。开口处设置有 栅氧体9和多晶体4，栅氧体9和多晶体4的四周与场氧体5的开口四周相连接。其中，多 晶体4的中间部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上设置有电容控制端子1,下表面上加 工有凹坑。与凹坑相对应的栅氧体9上加工有与凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔内设置有 场氧体块，该场氧体块的厚度是凹坑的深度和栅氧体9的厚度之和，使得场氧体块的上、下 表面分别与凹坑的坑底和栅氧体9相接触。场氧体5的边沿上加工有通孔，通孔内安装有电 源端子2。所说电源端子2为合金材料制成，其下端与深磷体7的上端相接触。多晶体4一 侧的场氧体5上亦有通孔，该通孔与下极板6的上表面相对应，其内安装有基准电位端子3， 基准电位端子3的下端与下极板6的上表面相接触。
所说埋层IO、外堰体8、深磷体7、下极板6、场氧体5、栅氧体9和多晶体4分别是用 不同浓度的半导体体材料而制成。
其中的埋层10和深磷体7为高浓度介质。
权利要求1.栅极控制变容管，其特征在于含有埋层(10)、深磷体(7)和场氧体(5)；深磷体(7)为筒状，其下端与埋层(10)上表面相连，其上端与场氧体(5)下表面相接，场氧体(5)的下表面中间接有下极板(6)，埋层(10)、深磷体(7)、下极板(6)和场氧体(5)之间有外延体(8)；与下极板(6)相应的场氧体(5)上有开口，且该开口小于下极板(6)；开口处有栅氧体(9)和多晶体(4)，栅氧体(9)和多晶体(4)的四周与场氧体(5)的开口四周相接；其中，多晶体(4)的中间部分向上凸起，向上凸起部分的上表面上有电容控制端子(1)，下表面上有凹坑；与凹坑相对应的栅氧体(9)上有与凹坑大小相同的通孔，凹坑和通孔内有场氧体块，该场氧体块的厚度是凹坑的深度和栅氧体(9)的厚度之和，使得场氧体块的上、下表面分别与凹坑的坑底和栅氧体(9)相接触；场氧体(5)边沿上有通孔，通孔内有电源端子(2)，该电源端子为合金材料，其下端与深磷体(7)的上端相接触；多晶体(4)一侧的场氧体(5)上亦有通孔，该通孔与下极板(6)的上表面相对应，其内有基准电位端子(3)，基准电位端子(3)的下端与下极板(6)的上表面相接触。
2. 根据权利要求1所述的栅极控制变容管，其特征在于埋层(10)、外堰体(8)、深磷 体(7)、下极板(6)、场氧体(5)、栅氧体(9)和多晶体(4)分别是用不同浓度的半导体 体材料而制成。
3. 根据权利要求1或2所述的栅极控制变容管，其特征在于埋层(10)和深磷体(7) 为高浓度介质。
专利摘要本实用新型公开的是压控振荡器中用来产生振荡频率的栅极控制变容管，该变容管含有埋层、深磷体和场氧体。深磷体为筒状，其下、上端分别与埋层上表面和场氧体下表面相接，场氧体的下表面中间有下极板，埋层、深磷体、下极板和场氧体之间有外延体。与下极板相应的场氧体上有开口，开口处有栅氧体和多晶体。多晶体上表面上有电容控制端子，下表面上有凹坑。与凹坑相对应的栅氧体上有通孔，凹坑和通孔内有场氧体块，场氧体块的上、下表面分别与凹坑的坑底和栅氧体相接触。场氧体边沿上有电源端子，该电源端子与深磷体相接触。多晶体一侧的场氧体上亦有通孔，通孔内有基准电位端子，基准电位端子与下极板相接触。本实用新型频率范宽、能确保压控振荡器的起振。
文档编号H01L29/66GK201007994SQ200720033609
公开日2008年1月16日 申请日期2007年1月15日 优先权日2007年1月15日
发明者丁国华, 烨 周, 周金风, 斌 胡, 洁 贺 申请人:无锡硅动力微电子股份有限公司