专利名称：一种低栅电容vdmos功率器件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及微电子技术领域，尤其是涉及一种低栅电容VDMOS功率器件。
背景技术：
现有的功率器件VDMOS是一种栅极电压控制，多子参入导电的器件，他具有驱动电路简单，开关速度快，易于集成等优点。VDMOS的栅电极的面积占据其总面积的一半以上， 为了减少VDMOS的驱动功率，需要减少VDMOS的栅区电容。传统的VDMOS的栅电容是多晶硅和器件的表面形成的电容，中间的介质层是栅氧，栅氧化层很薄，栅电容较大。
发明内容本实用新型目的是提供一种低栅电容VDMOS功率器件。以解决现有技术所存在的栅氧化层薄，栅电容较大等技术问题。为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案是该低栅电容VDMOS功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，将硅片进行热场氧化，使其在硅片上方成长热场氧化层；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积的二氧化硅层作为多晶硅上保护层。作为优选，所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面。本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将VDMOS的制造过程中的厚场氧化保留在P型区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率， 具有很强的经济性和实用性。
图1是本实用新型的内部结构示意图。图2是本实用新型的工艺流程框图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体说明。图1是本实用新型的结构示意图。由图1可知，该低栅电容VDMOS功率器件包括硅片2、热场氧化层6、热氧化栅氧层4、多晶硅层5和二氧化硅层1，将硅片2进行热场氧化， 使其在硅片2上方成长热场氧化层6，将热场氧化层6进行光刻，并保留部分在P型区8外的表面。硅片2被热氧化作为栅氧化层4，淀积多晶硅5作为栅极导电层3，淀积的二氧化硅1作为多晶硅5上保护层。并利用胶保护栅极上的二氧化硅1，同时将源极7上的淀积二氧化硅1腐蚀掉即将源极7的导电窗口打开，源极7和栅极3靠淀积的二氧化硅1氧化层隔离绝缘。热场氧化层6可以仅设置在所述栅电极3的栅区沟道区外表面，作为所述栅电极3的介质层，可以和所述栅氧化层4 一起，增加所述栅电极3介质层的厚度，从而降低其电容，起到良好的保护作用。图2是本实用新型的工艺流程框图。由图2可知，本实用新型的制造工艺技术流程如下(1)、首先将硅片进行热场氧化，光刻该热场氧化层，并将栅区P型区外表面的热氧化层及源区的热氧化层保留。(2)、热氧化硅片作为栅氧化层。(3)、淀积多晶硅再光刻多晶硅区形成栅极导电层。(4)、淀积二氧化硅层隔离栅极和源极。(5)、光刻淀积的二氧化硅，并利用胶保护栅极上的二氧化硅，同时将源极上的淀积二氧化硅腐蚀掉即将源极的导电窗口打开，源极和栅极靠淀积的氧化层隔离绝缘。此外，在本实用新型低栅电容VDMOS功率器件中，热场氧化层6的厚度为9000— 12000埃，栅氧层4的厚度为300— 700埃，二氧化硅层1厚度为4000— 6000埃。
权利要求1. 一种低栅电容VDMOS功率器件，包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，其特征是所述硅片进行热场氧化使其在硅片上方成长热场氧化层；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积的二氧化硅层作为多晶硅层上保护层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面。
专利摘要一种低栅电容VDMOS功率器件包括硅片、热场氧化层、热氧化栅氧层、多晶硅层和二氧化硅层，将硅片进行热场氧化使其在硅片上方成长热场氧化层；所述该硅片被热氧化作为栅氧化层，淀积多晶硅层作为栅极导电层；所述淀积的二氧化硅层作为多晶硅层上保护层；所述将热场氧化层进行光刻，并保留部分在P型区外的表面。本实用新型具有结构简单，制造方便，成本低和产品易保证的诸多优点，本实用新型是将VDMOS的制造过程中的厚场氧化保留在P型区外的表面，从而增加了部分栅区的氧化层厚度，因电容是和介质层的厚度成反比，从而使栅电容降低，大大的提高制造成品率，具有很强的经济性和实用性。
文档编号H01L29/423GK202159670SQ201120284018
公开日2012年3月7日 申请日期2011年8月6日 优先权日2011年8月6日
发明者王新 申请人:深圳市稳先微电子有限公司