全自对准高密度沟槽栅场效应半导体器件制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明设及具有沟槽结构的场效应半导体器件制造方法，属于半导体器件技术领 域。
【背景技术】
[0002] 功率半导体器件技术领域，沟槽结构场效应半导体器件已经被广泛采用，场效应 半导体器件采用沟槽结构主要目的是增加原胞密度，降低单位面积的导通电阻。
[0003] 现有沟槽结构的场效应半导体器件实现方式至少需要沟槽掩蔽层光刻和接触孔 光刻。
[0004] 为了实现高密度的原胞，突破光刻精度的限制，采用在娃槽的刻蚀掩蔽膜的边缘 形成Spacer, W减少娃槽的刻蚀掩蔽膜的宽度，实现更窄的槽宽，进而实现高密度原胞。采 用该种方式，娃槽的刻蚀掩蔽膜的宽度可W实现更窄的槽宽，由于Spacer刻蚀对圆片内的 刻蚀均匀性要求很高，实现困难。同时接触孔采用光刻方式，对光刻的套准精度要求也很 高，很难实现更高密度原胞。
【发明内容】
[0005] 本发明为了解决现有技术中沟槽结构的场效应半导体器件很难实现更高密度原 胞，提出一种全自对准高密度沟槽栅场效应半导体器件制造方法。
[0006] 本发明解决技术问题的技术方案是：
[0007] 全自对准高密度沟槽栅场效应半导体器件制造方法，其特征是，包括W下步骤： [000引步骤1，在N型娃片表面进行P阱注入，通过扩散推结形式P阱区，并形成 lOOA-lOOOA的氧化层Si02,该氧化层作为后续沉积多晶娃应力匹配层；
[0009] 步骤2,在应力匹配层上沉积多晶娃，再在多晶娃上沉积氧化层；也可W采用热氧 化方式，在多晶娃生长氧化层；
[0010] 步骤3,在步骤2形成的结构上进行光刻刻蚀，去掉氧化层和多晶娃，形成沟槽刻 蚀窗口；
[0011] 步骤4,在多晶娃层光刻刻蚀后的侧面上生长氧化层，生长氧化的过程中多晶娃的 侧面向多晶娃内部移动；利用多晶娃侧面的移动，形成后面源区化注入的窗口；同时新生 长的氧化层表面向外侧移动，新生长的氧化层表面之间的距离随着氧化层的厚度增加而变 窄，实现超过光刻机所能实现的最小尺寸；
[001引步骤5, Spacer刻蚀，将在娃表面残留或新生长出来的氧化层刻掉；Spacer刻蚀， 是使用各向异性干法刻蚀工艺；
[0013] 步骤6,刻蚀娃槽，进行沟槽刻蚀，根据设计确定刻蚀深度；根据设计的不同，沟槽 深度可W超过P阱深度，也可W小于P阱深度；
[0014] 步骤7,去除多晶娃侧面的氧化层，通过湿法腐蚀工艺露出多晶娃侧面，增加多晶 娃侧面移动的距离，在腐蚀过程中，多晶娃表面的氧化层会被同时腐蚀；
[0015] 步骤8,牺牲氧化，牺牲氧化层用湿法工艺去除沟槽表面的刻蚀损伤；
[0016] 步骤9,栅氧化，沉积栅极多晶娃，采用干法刻蚀工艺刻蚀栅极多晶娃，刻蚀掉多晶 娃的量W到达娃上表面栅氧化层W下即可；
[0017] 步骤10,源区离子注入，利用多晶娃侧面移动，形成与沟槽侧壁的间隙作为源区离 子注入窗口，实现源区自对准注入；
[0018] 步骤11，沉积绝缘层，主要用于栅极一源极之间的绝缘；
[0019] 步骤12，回刻绝缘层，露出多晶娃；
[0020] 步骤13,刻蚀多晶娃，去除多晶娃；
[002U 步骤14,淀积氧化膜，再进行Spacer刻蚀，刻蚀出P+注入窗口；
[002引步骤15,刻蚀出P+注入窗口后，可W直接进行P+注入，也可W先进行娃槽刻蚀，再 进行P+注入；
[0023] 步骤16,减薄绝缘层厚度，增加露出化源区的面积，平坦表面；
[0024] 步骤17,圆片正面金属化，栅极在巧片有源区边缘引出。
[0025] 本发明的有益效果是：利用多晶娃的热氧化后界面移动及与工艺中常用的绝缘膜 有比较高刻蚀选择比的特点，实现沟槽结构的场效应器件在有源区的原胞用一块光刻版， 实现了源区、接触孔（P+注入）及槽栅全自对准。将实现高密度原胞依据的光刻技术转换 为氧化层或绝缘层厚度控制技术上，而氧化层厚度控制在lOnm是比较容易的。如光刻机采 用I线波长365nm，曝光可得到关键尺寸为0. 35 y m，很难实现量产0. 4 y m，本发明的制作方 法，仍采用I线光刻机，实现关键尺寸0.3 ym是容易的。
【附图说明】
[0026] 图1 - 17是本发明全自对准高密度沟槽栅场效应半导体器件制造方法的工艺各 步骤结构简图。
[0027] 图18是本发明实施方式二中Spacer工艺，形成侧墙，减小沟槽宽度的示意图。
【具体实施方式】
[002引下面结合附图对本发明做进一步详细说明。
[0029] 实施方式一
[0030] 全自对准高密度沟槽栅场效应半导体器件制造方法，利用多晶娃，的热氧化后界 面移动及与工艺中常用的绝缘膜，有比较高刻蚀选择比的特点，实现沟槽结构的场效应器 件在有源区的原胞用一块光刻版，实现了源区、接触孔（P+注入）及槽栅全自对准。W DMOS阳T为例，实现的工艺步骤；
[0031] 步骤1，在N型娃片表面进行P阱注入，通过扩散推结形式P阱区，并形成 lOoA-ioooA的氧化层Si02,该氧化层作为后续沉积多晶娃应力匹配层；如图1所示。
[0032] 步骤2,在应力匹配层上沉积多晶娃，再在多晶娃上沉积氧化层；也可W采用热氧 化方式，在多晶娃生长氧化层；如图2所示。
[0033] 步骤3,在步骤2形成的结构上进行光刻刻蚀，去掉氧化层和多晶娃，形成沟槽刻 蚀窗口；如图3所示。
[0034] 步骤4,在多晶娃层光刻刻蚀后的侧面上生长氧化层，生长氧化的过程中多晶娃的 侧面向多晶娃内部移动；利用多晶娃侧面的移动，形成后面源区化注入的窗口；同时新生 长的氧化层表面向外侧移动，新生长的氧化层表面之间的距离随着氧化层的厚度增加而变 窄，实现超过光刻机所能实现的最小尺寸。该时多晶娃氧化过程中损失的厚度小于生长出 的氧化层的厚度，如图4。
[0035] 步骤5, Spacer刻蚀，将在娃表面残留或新生长出来的氧化层刻掉。Spacer刻蚀， 是使用各向异性干法刻蚀工艺，刻蚀过程中，由于Spacer刻蚀各向异性的特点刻蚀过程中 对多晶娃侧面的刻蚀可W