垂直结构红光led的导电电桥体的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种红光LED封装器件，特别是涉及芯片的电极导线结构。
【背景技术】
[0002]现有红光LED芯片的两个电极分别位于芯片的上表面和下表面，其具有一个η型GaAs衬底，在衬底下面为一个负极欧姆接触电极，其上表面为一个正极欧姆接触电极，整个芯片为垂直结构。封装红光芯片的时候，需要在其上电极上进行打线。打线用的引线一般为金线，金线的端部截面面积小，焊接时会发生虚焊，且长时间使用后，端面容易被氧化，造成焊接点电阻增大，影响器件的使用寿命。具有金线结构的LED器件，其抗冲击、抗振动能力都较弱，在很多具有振动环境里，例如机车上，减少这种金线技术的使用，可以提高其安全稳定性。
【实用新型内容】
[0003]为了克服现有技术的不足，本实用新型所要解决的技术问题是一种垂直结构红光LED的导电电桥体，用于提高器件的稳定性，使器件具有较好的抗振性能。
[0004]为解决上述技术问题，本实用新型所采用的技术方案如下:
[0005]—种垂直结构红光LED的导电电桥体，其包括透明主体，所述透明主体为块状六面体，其包括上表面、下表面和四个侧面；
[0006]在透明主体的表面上设有导电层，其中在所述四个侧面以及下表面的边缘处设有所述导电层，四个侧面和下表面边缘的导电层连成一体，在所述下表面上形成一个非导电层覆盖区。
[0007]优选的:所述导电层为金锡合金或氧化铟锡材料。
[0008]优选的:在所述非导电层覆盖区表面设有增透膜。在透明主体的下表面设增透膜有利于红光穿过透明主体，有利于出光，提高出光率。
[0009]优选的:在所述下表面边缘的导电层为导电层焊料部，其上设有凹槽结构。与芯片电极连接的凹槽结构可以使电桥体扣紧电极，减少松脱现象；与支架电极导线连接电桥体的下表面设凹槽结构，则需要在支架电极导线连接处同样设置一个凸起的焊料体，这样凸起与凹槽结合，有利于增加它们的连接。
[0010]优选的:所述透明主体为蓝宝石材料或石英玻璃材料。
[0011]优选的:位于所述下表面边缘的导电层表面设有焊料。
[0012]优选的:在所述下表面中间为矩形的非导电层覆盖区，在非导电层覆盖区两侧为下表面边缘的导电层，下表面边缘的导电层为导电层焊料部，导电层焊料部为矩形。
[0013]优选的:所述透明主体的侧面的下部份设有导电层。
[0014]相比现有技术，本实用新型的有益效果在于:
[0015]本实用新型在芯片的上电极上增加了一个电桥体，其用于将芯片的电极与支架的导线电连接在一起，为了配合这种结构，支架上设置了一个台阶。这种结构代替了焊线结构，且焊接面面积大，不容易松脱，且抗氧化能力强。具有本实用新型结构的器件，其抗振性能好。
【附图说明】
[0016]图1是本实用新型的结构示意图。
[0017]图2是电桥体的立体结构示意图。
[0018]图3是图1的仰视示意图。
[0019]图4是芯片的俯视结构图。
[0020]图5是电桥体的第二个实施例的结构图。
[0021]图6是电桥体的第三个实施例的结构图。
[0022]图7是电桥体的使用示意图。
[0023]图8是电桥体的第三个实施例的结构图。
[0024]图中标识说明:
[0025]1、芯片；2、上电极；3、电桥体；31、透明主体；31_1、上表面；31_2、非导电层覆盖区；31-3、透明主体上部；31-4、侧面；31-5、下表面；4、焊料；5、导电层；51、导电层焊料部；52、导电层侧面部；6、第一电极导线；7、第二电极导线；8、槽；9、台阶；10、支架；11、凹槽结构；12-1、电极端凹槽结构；12-2、焊接端凹槽结构；13、增透膜。
【具体实施方式】
[0026]下面结合附图和【具体实施方式】对本实用新型作进一步详细说明。
[0027]参见图1至图3，该垂直结构红光LED的导电电桥体3，其包括透明主体31，透明主体31为块状六面体，其包括上表面31-1、下表面31-5和四个侧面31-4。在透明主体的表面上设有导电层，其中在四个侧面以及下表面的边缘处设有导电层5，四个侧面和下表面边缘的导电层连成一体，在侧面的导电层为导电层侧面部52，在下表面的导电层为导电层焊料部51，在下表面上形成一个非导电层覆盖区31-2。导电层5为金锡合金或氧化铟锡材料。透明主体31为蓝宝石材料。一般情况下，蓝宝石透明主体为经过减薄后的片体。
[0028]在下表面中间为矩形的非导电层覆盖区31-2，在非导电层覆盖区两侧为下表面边缘的导电层，下表面边缘的导电层为导电层焊料部51，参见图3，导电层焊料部51为矩形。
[0029]透明主体上表面不覆盖导电层。参见图6，在一个实施例中，在非导电层覆盖区表面设有增透膜13。在透明主体的下表面设增透膜有利于红光穿过透明主体，有利于出光，提高出光率。
[0030]在一个实施例中，参见图5，在下表面边缘的导电层为导电层焊料部51，其上设有凹槽结构11。与芯片电极连接的凹槽结构可以使电桥体扣紧电极，减少松脱现象。
[0031]参见图6，与支架电极导线连接电桥体的下表面设凹槽结构，该图中显示，在电桥体的两端的导电层焊料部51均设有凹槽结构，即焊接端凹槽结构12-2和电极端凹槽结构12-1。在支架电极导线连接处同样设置一个凸起的焊料体，这样凸起与凹槽结合，有利于增加它们的连接。
[0032]位于下表面边缘的导电层表面设有焊料4。
[0033]参见图4，芯片I包括上电极2，图中所示的上电极为两个连通的段，也可以为一个整体。图5显示电桥体3与芯片上电极2的连接结构图。凹槽结构11的内壁上为导电层。上电极与凹槽结构连接时，它们之间需要焊料连接，凹槽结构对上电极2有较强的限定作用。
[0034]图7为本实用新型的使用示意图。该红光LED封装器件包括支架10和支架上的槽8，在槽8内封装有芯片I。槽的槽壁上包括台阶9，台阶9上设有延伸到支架外的第一电极导线6。芯片I包括上电极2和下电极(图中未示出)，在槽的底部设有第二电极导线7，下电极固定在槽的底部且与第二电极导线电性连接在一起。
[0035]在上电极2和台阶9上的第一电极导线6之间设将它们电连接在一起的电桥体3。电桥体3固定在上电极2和台阶9上，其上的导电层将上电极2和台阶9上的第一电极导线电性连接在一起。芯片I的高度与台阶9的高度相同，电桥体3置于芯片和台阶上保持水平。
[0036]参见图8，在另一个实施例中，透明主体31的侧面的下部份设有导电层5，透明主体上部31-3的侧面不覆盖导电层。这种结构一般适用于没有减薄的蓝宝石晶圆。蓝宝石的厚度对整个电桥体没有影响，由于导电层的材料会选用贵金属金，所以，部分覆盖透明主体的侧面的方案，在满足电流功率的前提下，可以降低成本和增加出光率。
[0037]上述实施方式仅为本实用新型的优选实施方式，不能以此来限定本实用新型保护的范围，本领域的技术人员在本实用新型的基础上所做的任何非实质性的变化及替换均属于本实用新型所要求保护的范围。
【主权项】
1.一种垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于该电桥体包括透明主体，所述透明主体为块状六面体，其包括上表面、下表面和四个侧面； 在透明主体的表面上设有导电层，其中在所述四个侧面以及下表面的边缘处设有所述导电层，四个侧面和下表面边缘的导电层连成一体，在所述下表面上形成一个非导电层覆盖区O2.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:所述导电层为金锡合金或氧化铟锡材料。3.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:在所述非导电层覆盖区表面设有增透膜。4.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:在所述下表面边缘的导电层为导电层焊料部，其上设有凹槽结构。5.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:所述透明主体为蓝宝石材料或石英玻璃材料。6.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:位于所述下表面边缘的导电层表面设有焊料。7.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:在所述下表面中间为矩形的非导电层覆盖区，在非导电层覆盖区两侧为下表面边缘的导电层，下表面边缘的导电层为导电层焊料部，导电层焊料部为矩形。8.根据权利要求1所述的垂直结构红光LED的导电电桥体，其特征在于:所述透明主体的侧面的下部份设有导电层。
【专利摘要】本实用新型提供一种垂直结构红光LED的导电电桥体，涉及红光LED封装器件芯片的电极导线结构，用于提高器件的稳定性，使器件具有较好的抗振性能。该电桥体包括透明主体，所述透明主体为块状六面体，其包括上表面、下表面和四个侧面；在透明主体的表面上设有导电层，其中在所述四个侧面以及下表面的边缘处设有所述导电层，四个侧面和下表面边缘的导电层连成一体，在所述下表面上形成一个非导电层覆盖区。这种结构代替了焊线结构，且焊接面面积大，不容易松脱，且抗氧化能力强。具有本实用新型结构的器件，其抗振性能好。
【IPC分类】H01L33/62
【公开号】CN204927349
【申请号】CN201520614976
【发明人】卢杨, 张月强
【申请人】福建天电光电有限公司
【公开日】2015年12月30日
【申请日】2015年8月14日