g)。
[0057]参阅图13与图14，该步骤(a)是于一基板20的一上表面201与一下表面202上各形成一具有一预定图案31的第一光阻层3。各预定图案31具有一覆盖该基板20的上表面201与下表面202的数组，各数组具有多个外观形状310，且各外观形状310沿该第一方向X依序具有彼此连接的一基座部311、两桥接部312与一本体部313。所述外观形状310的本体部313是沿该第一方向X或一与该第一方向X夹一预定角度的第二方向Y彼此间隔排列，且所述外观形状310的基座部311是沿该第一方向X或该第二方向Y彼此连接。
[0058]在本实用新型量产方法的该第一实施例中，该基板20是由该非磁性材料所构成，该预定角度是以90度为例作说明，但不以此为限；各第一光阻层3的所述外观形状310是如图13所示，沿该第一方向X彼此间隔排列，且所述第一光阻层3的预定图案31的所述外观形状310是彼此上下对准；所述外观形状310的本体部313是沿该第二方向Y彼此间隔排列，所述外观形状310的基座部311是沿该第二方向Y彼此连接；各外观形状310的桥接部312的一宽度是沿该第一方向X递减，且各外观形状310的所述桥接部312是沿该第二方向Y彼此间隔设置；形成于该基板20的上表面201与下表面202的第一光阻层3的各外观形状310的各桥接部312于邻近其本体部313处形成有一缺口 3121，且各缺口 3121是自其桥接部312的一周缘沿该第二方向Y凹陷，以令各桥接部312与各本体部313彼此断开。
[0059]参阅图15与图16，该步骤(b)是对该基板20进行蚀刻，以令裸露于所述第一光阻层3的预定图案31的数组外的基板20被移除掉，并从而形成多个基座200、多个对应连接于各基座200的连接部22，及多个如图8所示的主体21。各基座200与各连接部22分别具有一轮廓面203、220。各基座200的轮廓面203包括相反设置的一第一侧缘204及一第二侧缘205，且各连接部22的轮廓面220包括相反设置的一第一端221与一第二端222。各连接部22的第一端221与第二端222是分别对应连接于各基座200的第二侧缘205与各主体21的第一侧缘211，以令各连接部22的轮廓面220是对应衔接于各主体21的轮廓面210与各基座200的轮廓面203。此外，该步骤(b)的各连接部22的第二端222是形成有两凹槽2221，各连接部22的该两凹槽2221的其中一者(见显示于图16的上方凹槽2221)是自其轮廓面220的一顶面区朝其一底面区延伸，且各连接部22的该两凹槽2221的其中另一者(见显示于图16的下方凹槽2221)是自其轮廓面220的底面区向朝其顶面区延伸，且各连接部22的该两凹槽2221是自其轮廓面220沿该第二方向Y凹陷。
[0060]需说明的是，本实用新型量产方法的该第一实施例是以该两第一光阻层3的外观形状310的桥接部312皆具有该缺口 3121为例做说明，但并不限于此。当本实用新型量产方法的该第一实施例是该两第一光阻层3的其中一者的外观形状310的桥接部312具有该缺口 3121时，可令该步骤(b)的各连接部22的第二端222仅形成有单一个凹槽2221，且该步骤(b)的各连接部22的凹槽2221是自其轮廓面220的顶面区及底面区两者其中一者，朝其轮廓面220的顶面区及底面区两者其中另一者延伸。
[0061]此处值得补充说明的是，当构成该基板20的非磁性材料是选自该以硅为主的材料时，为了进一步加强蚀刻时的保护效果，本实用新型量产方法还包含一于该步骤(a)前的步骤(a’ )。该步骤(a’ )是至少于该基板20的上表面201或下表面202上形成一金属保护层(图未示)，且该步骤(a)的光阻层3是形成于该金属保护层上。在本实用新型量产方法的该第一实施例中，该步骤(a’)是于该基板20的上表面201及下表面202上分别形成该金属保护层(图未示)，且该步骤(a)的各光阻层3是形成于各金属保护层(图未示)上。
[0062]再参阅图16并配合参阅图17，该步骤(C)是移除所述第一光阻层3。详细地来说，本实用新型量产方法的该第一实施例于移除所述第一光阻层3后，是成形出如图17所示的基座200数组、连接部22数组与主体21数组，且所述基座200是沿该第二方向Y彼此连接，所述主体21是沿该第二方向Y彼此间隔设置。
[0063]参阅图18，该步骤⑷是于各主体21的轮廓面210上形成一第一前驱物层(precursor layer) 4 (图18仅显示单一个主体21与单一个第一前驱物层4为例做说明)。
[0064]参阅图19，该步骤(e)是于所述第一前驱物层4上形成一第二光阻层5，且该第二光阻层5具有多个对应裸露出各第一前驱物层4的一局部区域41的线路图案区51。同样地，图19也仅显示单一个第一前驱物层4的一局部区域41与该第二光阻层5的一线路图案区51为例做说明。
[0065]再参阅图19并配合参阅图20，该步骤(f)是于各第一前驱物层4上镀制一第一金属层6，以于各第一前驱物层4的该局部区域41上形成一如图8所示的第一线圈23。同样地，图19与图20也仅显示单一个第一前驱物层4与单一个第一金属层6为例做说明。此处需进一步说明的是，若该非磁性材料是该金属材料时；例如，铜(Cu)，于实施步骤(d)的第一前驱物层4形成步骤前，尚需预先在各主体21镀覆上一电性绝缘层(insulator)，以防止该步骤(f)所形成的第一线圈23因直接接触该金属材料而产生短路的问题。
[0066]较佳地，该步骤(d)的各第一前驱物层4是一含有铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)或铜等催化性金属源的活性材料层(active layer)，或一含有络(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、妈(W)或钼(Mo)的导电性晶种层(conductive seed layer)。需补充说明的是，当该步骤(d)的各第一前驱物层4是一导电性晶种层时，该步骤(f)的各第一金属层6是以电镀法形成于各第一前驱物层4的该局部区域41 ;当该步骤(d)的各第一前驱物层4是该活性材料层时，该步骤(f)的各第一金属层6是以化学镀法形成于各第一前驱物层4的该局部区域41上。在本实用新型量产方法的该第一实施例中，该步骤(d)的各第一前驱物层4是该导电性晶种层，且该步骤(f)是以电镀法于各第一前驱物层4的该局部区域41上形成各第一线圈23。
[0067]需进一步说明的是，为了令本实用新型高频电感器2能通过表面黏着技术(surface-mount technology ；SMT)接着于一电路板(图未示)，于该步骤(f)后，依序还可包含一步骤(jl)、一步骤(j2)及一步骤(j3)。该步骤(jl)是形成一前驱物层(图未示)于各第一线圈23与各主体21上。该步骤(j2)是形成一光阻层(图未示)于该步骤(jl)的所述前驱物层上，且该步骤(j2)的光阻层具有多对端电极图案区(图未示)。各对端电极图案区是分别位于各主体21的左侧面区2103与右侧面区2104，以局部裸露出各主体21的左侧面区2103与右侧面区2014。该步骤(j3)是于各前驱物层上镀覆一金属层，从而于各前驱物层上对应形成各对端电极(图未示)。
[0068]参阅图21并配合参阅图19与图20，该步骤(h)是移除该第二光阻层5与各第一前驱物层4的被该第二光阻层5的各线路图案区51所覆盖的一剩余区域，从而在各主体21上留下各第一线圈23。值得一提的是，为了保护该第一线圈23免于受外部因素干扰而造成短路或断路，还能在完成步骤(h)后，形成一绝缘保护层(图未示)于各主体21与各第一线圈23上。
[0069]参阅图22，该步骤(g)是于所述连接部22处由上而下或由下而上地分别施予一外力，使各连接部22的第二端222自各主体21的第一侧缘211断裂，从而令各主体21自各连接部22脱离以量产出如图8所示的高频电感器2。在本实用新型量产方法的该第一实施例中，是于该步骤(g)前完成该步骤(h)为例作说明，然而该步骤(h)也可于该步骤(g)后执行，并不以本实施例为限。经前述量产方法的详细说明可知，位于各第一光阻层3的外观形状310的桥接部312处的缺口