用于铝电解电容器的贯通铝箔的制作方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及铝箔生产技术领域，具体地说是一种用于铝电解电容器的贯通铝箔。
【背景技术】
[0002]电解电容器是电子产品中不可缺少的元器件之一。随着电子技术的迅猛发展，电子整机的组装密度和集成化程度进一步增大，铝电解电容器作为关键的、不可集成的分立元件，正向着小体积、大容量、低成本、高频低阻抗方向发展。铝电解电容器具有性能优良、大容量、价格低廉、易于加工、使用便捷等特点，因此广泛应用于信息电子设备、仪器、机电、家电等电子整机产品中。而作为生产铝电解电容器的关键材料——铝箔的国内外生产技术近年来也取得了突飞猛进的发展，产品性能不断提高。
[0003]国内电解电容器用铝箔产业，虽然在前10年得到国家“863”高新技术计划、“973”计划、电子信息创业基金及地方政府科技计划的支持，也取得了丰硕的成果。如高压阳极用铝箔的立方织构含量可稳定控制在95以上，已达国际先进水平。但这只是解决了电容器产业发展中的部分关键技术难点的研究和开发。具有高立方织构的高压阳极用铝箔并不能完全满足用户的需求，还需对铝箔的表面状态、加工质量及微量元素的分布和存在状态进行深入的研究，才能解决高压阳极用铝箔对腐蚀工艺体系的适应性问题。
[0004]因此该类产品的综合性能和对腐蚀工艺的适应性明显不能满足目前铝电解电容器生产的需要。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型的目的是克服上述现有技术中存在的不足，解决目前存在的技术缺陷，本实用新型公开了一种用于铝电解电容器的贯通铝箔。
[0006]本实用新型所采用的技术方案是:
[0007]用于铝电解电容器的贯通铝箔，所述铝箔包括夹心层和三氧化二铝层，所述夹心层两侧贴合有三氧化二铝层，所述铝箔的厚度为lOOum，所述铝箔具有多个从箔表面贯通至背面的贯通孔。
[0008]进一步的，所述贯通孔的孔径为3?5um。
[0009]进一步的，所述贯通孔的密度为5%?8%，此密度贯通孔的铝箔运用到铝电解电容器上，电解质传导好，同时有具体有很高的比容。
[0010]本实用新型的有益效果是，
[0011]本实用新型公开的一种用于铝电解电容器的贯通铝箔，
[0012]应用于铝电解电容器，铝箔为阳极箔，铝箔具有贯通孔，电解质传导好，散热性能好，耐纹波特性比现有铝箔好，提高了铝电解电容器的容量。
[0013]下面结合附图对本实用新型作进一步详细描述。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的结构示意图；
[0015]图中，1、三氧化二铝层2、夹心层3、贯通孔。
【具体实施方式】
[0016]为了加深对本实用新型的理解，下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步详细的说明。以下实施例仅用于更加清楚地说明本实用新型的技术方案，而不能以此来限制本实用新型的保护范围。
[0017]如图1所示，用于铝电解电容器的贯通铝箔，铝箔包括夹心层2和三氧化二铝层1，夹心层2两侧贴合有三氧化二铝层1，铝箔的厚度为lOOum，铝箔具有多个从箔表面贯通至背面的贯通孔3，贯通孔3的孔径为3?5um，贯通孔3的密度为5%?8%。
[0018]本实用新型的贯通铝箔为化成阳极箔，用于铝电解电容器，三氧化二铝层为耐压绝缘层，实现电荷的移动储存，铝箔具有贯通孔，电解质传导好，散热性能好，耐纹波特性比现有铝箔好，提高了铝电解电容器的容量。
[0019]要说明的是，以上所述实施例是对本实用新型技术方案的说明而非限制，所属技术领域普通技术人员的等同替换或者根据现有技术而做的其他修改，只要没超出本实用新型技术方案的思路和范围，均应包含在本实用新型所要求的权利范围之内。
【主权项】
1.用于铝电解电容器的贯通铝箔，其特征在于:所述铝箔包括夹心层和三氧化二铝层，所述夹心层两侧贴合有三氧化二铝层，所述铝箔的厚度为lOOum，所述铝箔具有多个从箔表面贯通至背面的贯通孔。2.根据权利要求1所述的用于铝电解电容器的贯通铝箔，其特征在于:所述贯通孔的孔径为3?5um。3.根据权利要求1或2所述的用于铝电解电容器的贯通铝箔，其特征在于:所述贯通孔的密度为5%?8%。
【专利摘要】本实用新型公开了一种用于铝电解电容器的贯通铝箔，包括夹心层和三氧化二铝层，夹心层两侧贴合有三氧化二铝层，铝箔的厚度为100um，铝箔具有多个从箔表面贯通至背面的贯通孔，贯通孔的孔径为3～5um，贯通孔的密度为5％～8％。本实用新型公开的一种用于铝电解电容器的贯通铝箔，应用于铝电解电容器，铝箔具有贯通孔，电解质传导好，散热性能好，耐纹波特性比现有铝箔好，提高了铝电解电容器的容量。
【IPC分类】H01G9/045, H01G9/048, B32B3/24, B32B9/04, B32B15/04
【公开号】CN204966290
【申请号】CN201520566539
【发明人】陈正军, 叶盛松, 陆美
【申请人】南通三鑫电子科技股份有限公司
【公开日】2016年1月13日
【申请日】2015年7月30日