= 0.006。软板层40的介电常数的范围为2.56彡ε彡3.84，优选地ε = 3.2其损耗率的范围为0.0016彡loss彡0.0024，优选地，loss = 0.002。在预浸料基板30与蜂窝基板之间应用了胶膜层进行粘接，该胶膜层的介电常数的范围为2.32 < ε <3.48，优选地ε = 2.9，其损耗率的范围为0.0064 ( loss ( 0.0096，优选地，loss = 0.008。
[0062]根据本实用新型的另一方面，提供了一种天线罩，该天线罩包括滤波结构，该滤波结构为前述的超材料带通滤波结构。
[0063]根据本实用新型的又一方面，提供了一种天线系统，该天线系统包括天线罩，该天线罩为前述的天线罩。
[0064]如图5所示，其示出了超材料带通滤波结构的TE波和TM波的CST仿真结果S21效果对比曲线图，即当TE波和TM波同时入射该超材料带通滤波结构时，TE波的透波能量曲线与TM波的透波能量曲线的效果对比。利用本实施例的超材料带通滤波结构，入射的TE波具有两段透波波段，而入射的TM波具有三段透波波段。
[0065]为了能够更加清楚地了解该超材料带通滤波结构分别对应的TE波透波能力以及TM波透波能力，因此分别试验入射的TE波和TM波的CST仿真结果的曲线。
[0066]如图6所示，其为该超材料带通滤波结构的TE波CST仿真结果曲线图。从图6中可以知道，当TE波入射该超材料带通滤波结构时，具有第一波段和第二波段两个透波波段。如图7所示，其为TE波以第一波段为核心的CST仿真结果曲线图，第一波段为3.01GHz至4.51GHz波段。如图8所示，其为TE波以第二波段为核心的CST仿真结果曲线图，第二波段为15.09GHz至15.55GHz波段。在第一波段和第二波段中，TE波的透波能量(即S21曲线所示)均高于-2.77dB，而TE波在1.85GHz以下以及16.11GHz以上的波段范围中，TE波的透波能量均低于_20dB (在第一波段和第二波段的波段范围内，TE波的反射能量均低于透波能量，图6至图8中所示的S11曲线表示TE波的反射能量)。
[0067]如图9所示，其为该超材料带通滤波结构的TM波CST仿真结果曲线图。从图9中可以知道，当TM波入射该超材料带通滤波结构时，具有第三波段、第四波段和第五波段三个透波波段，如图10所示，其为TM波以第三波段为核心的CST仿真结果曲线图，第三波段为2.85GHz至3.21GHz波段。如图11所示，其为TM波以第四波段为核心的CST仿真结果曲线图，第四波段为8.66GHz至9.78GHz波段。如图12所示，其为TM波以第五波段为核心的CST仿真结果曲线图，第五波段为14.53GHz至14.80GHz波段。在第三波段、第四波段以及第五波段的波段范围中，TM波的透波能量(即S' 21曲线所示)均高于-2.77dB，而TM波在2.43GHz以下以及16.23GHz以上的范围的波段中，TM波的透波能量均低于_20dB，并且TM波在3.42GHz至7.44GHz的波段范围以及11.24GHz至14.19GHz的波段范围中，TM波的透波能量均低于_20dB，在第三波段、第四波段以及第五波段的波段范围内，TM波的反射能量均低于透波能量，图9至图12中所示的S' 11曲线表示TM波的反射能量。
[0068]以上所述仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种超材料带通滤波结构，其特征在于，包括: 基板(10)； 至少一层导电几何结构层(20)，所述导电几何结构层(20)设置在所述基板(10)上，所述导电几何结构层(20)包括导电板件(21)和多个导电片(22);其中， 所述导电板件(21)上设置有多个镂空部，每个镂空部包括第一凹字型镂空(211)和第二凹字型镂空(212)，所述第一凹字型镂空(211)的凹口与所述第二凹字型镂空(212)的凹口相互背离地设置，所述镂空部还包括一字型镂空(213)，所述第一凹字型镂空(211)与所述第二凹字型镂空(212)之间通过所述一字型镂空(213)连通，且所述一字型镂空(213)位于所述第一凹字型镂空(211)和所述第二凹字型镂空(212)之间； 所述导电片(22)对应设置在所述镂空部中，所述导电片(22)的轮廓边缘与对应的所述镂空部的边缘之间具有间隔。2.根据权利要求1所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述导电板件(21)为一体结构的板件。3.根据权利要求1所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述多个镂空部呈矩形阵列分布。4.根据权利要求1所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，每个导电片(22)包括: 第一凹字型部，所述第一凹字型部与所述第一凹字型镂空(211)配合并位于所述第一凹字型镂空(211)内； 第二凹字型部，所述第二凹字型部与所述第二凹字型镂空(212)配合并位于所述第二凹字型镂空(212)内； 连接部，所述连接部位于所述一字型镂空(213)内，所述第一凹字型部与所述第二凹字型部之间通过所述连接部相连。5.根据权利要求4所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述导电片(22)的几何中心与对应的所述镂空部的几何中心重合。6.根据权利要求5所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述导电片(22)的轮廓边缘与对应的所述镂空部的边缘之间的距离为L，0.2mm < L < 0.5_。7.根据权利要求1至6中任一项所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述至少一层导电几何结构层(20)为结构相同的两层，两层所述导电几何结构层(20)沿垂直于所述导电几何结构层(20)的方向间隔设置，其中一层所述导电几何结构层(20)的各所述导电片(22)的投影与另一层所述导电几何结构层(20)的对应位置的所述导电片(22)的投影至少部分重合。8.根据权利要求7所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，其中一层所述导电几何结构层(20)的各所述导电片(22)的投影与另一层所述导电几何结构层(20)的对应的所述导电片(22)的投影相重合。9.根据权利要求7所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述基板(10)为蜂窝基板，所述蜂窝基板设置在两层所述导电几何结构层(20)之间。10.根据权利要求9所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述基板(10)的厚度为H，4.5mm < Η < 10.0mm。11.根据权利要求9所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述超材料带通滤波结构还包括预浸料基板(30)，所述导电几何结构层(20)与所述基板(10)之间设置有预浸料基板(30)，以将所述导电几何结构层(20)与基板(10)隔离开。12.根据权利要求9所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述超材料带通滤波结构还包括多块预浸料基板(30)，各所述导电几何结构层(20)夹设在两块所述预浸料基板(30)之间以与所述基板(10)隔离开。13.根据权利要求12所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，远离所述蜂窝基板的所述预浸料基板(30)的厚度比靠近所述蜂窝基板的所述预浸料基板(30)的厚度厚。14.根据权利要求12所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述超材料带通滤波结构还包括软板层(40)，所述软板层(40)设置在所述导电几何结构层(20)与所述预浸料基板(30)之间，且所述导电几何结构层(20)与所述软板层(40)相贴合。15.根据权利要求12所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述超材料带通滤波结构还包括多个软板层(40)，每层所述导电几何结构层(20)夹设在两个所述软板层(40)之间以与所述预浸料基板(30)隔离开。16.根据权利要求15所述的超材料带通滤波结构，其特征在于，所述基板(10)与相邻的所述预浸料基板(30)之间相粘接，和/或所述预浸料基板(30)与相邻的所述软板层(40)之间相粘接，和/或所述导电几何结构层(20)与相邻的所述软板层(40)之间相粘接。17.一种天线罩，包括滤波结构，其特征在于，所述滤波结构为权利要求1至16中任一项所述的超材料带通滤波结构。18.—种天线系统，包括天线罩，其特征在于，所述天线罩为权利要求17所述的天线罩。
【专利摘要】本实用新型提供了一种超材料带通滤波结构、天线罩及天线系统。该超材料带通滤波结构包括：基板和设置在基板上的至少一层导电几何结构层，导电几何结构层包括导电板件和多个导电片；导电板件上的每个镂空部包括第一凹字型镂空和第二凹字型镂空，第一凹字型镂空的凹口与第二凹字型镂空的凹口相互背离地设置，第一凹字型镂空与第二凹字型镂空之间通过一字型镂空连通，且一字型镂空位于第一凹字型镂空和第二凹字型镂空之间；导电片对应设置在镂空部中，导电片的轮廓边缘与对应的镂空部的边缘之间具有间隔。应用本实用新型的技术方案可以解决现有技术中滤波结构对天线的工作频段外的电磁波抑制效果不好且TE波和TM波的可透波波段单一的问题。
【IPC分类】H01P1/20, H01Q1/42
【公开号】CN205050968
【申请号】CN201520764657
【发明人】不公告发明人
【申请人】深圳光启高等理工研究院
【公开日】2016年2月24日
【申请日】2015年9月29日