单一材料构成，或者可W由具有 不同磁导率的两种材料构成，从而使得形磁忍元件202的左右两侧的分支具有不同 的磁导率。
[0032] 如图2所示，多个磁忍元件20U202之间通过隔离体203分隔。隔离体203为粘 合剂或空气隙。粘合剂例如可W是环氧树脂。另外，如图4所示，"I"形磁忍元件201可W 仅与**：E"形磁忍元件202的上侧通过隔离体分隔开。并且可W根据应用来控制隔离体的 宽度。
[0033] 通过上述说明的实施例可W获得2相或N相非禪合电感器。下面给出获得多相非 禪合电感器的另一个实施例。
[0034] 图5是示意性示出根据本实用新型的另一个实施例的多相非禪合电感器的结构 的不意图。
[0035] 如图5中所示，本实施例的多相非禪合电感器包括多个磁忍元件501、502。与第 一个实施例相似，多个磁忍元件50U502也依次串接在一起。多个磁忍元件50U502由一 个"I"形磁忍元件501和多个《!]"形磁忍元件502组成。在该多相非禪合电感器中，第一 个磁忍元件为"I"形磁忍元件501并且随后的磁忍元件都为"I*形磁忍元件502。
[0036]在图6中，多个《]*形磁忍元件具体可W为M个形磁忍元件，其中，M为大于 等于2的自然数。在包括M个《：]0形磁忍元件的多相非禪合电感器中，多相非禪合电感器 还包括M个绕组。图6是示出了在磁忍元件上绕制M个绕组的方式的示意图。如图6所示， M个绕组11、L2…Lm分别绕在M个形磁忍元件502的下侧部分上。如图7所示，M个 绕组11、L2…Lm也可W分别绕在"I"形磁忍元件501和第2个至第M个《11?形磁忍元件 502的右侧部分上。图6和7所示的对于绕组的绕制方式仅是示意性的，可W根据应用而使 用不同的绕制方式。
[0037] 与第一个实施例相似，如图5所示，多个磁忍元件50U502之间通过隔离体503分 隔。隔离体203为粘合剂或空气隙。粘合剂例如可W是环氧树脂。另外，如图8所示，"I" 形磁忍元件501可W仅与"DM形磁忍元件502的上侧通过隔离体分隔开。并且可W根据应 用来控制隔离体的宽度。
[0038] 本实用新型提供的多相非禪合电感器可W应用于多相降压变换器、多相升压变换 器、或其它的多相非隔离DC-DC变换器。
[0039]由于本实用新型提供的多相非禪合电感器结构简单，容易根据实际应用来增加或 减少串接的磁忍的数量，因此便于实际应用。另外，如图9所示，W两相为例，与现有的由多 件单个独立的电感器构成的多相设计相比，本实用新型提供的多相非禪合电感器剩去了一 个中屯、磁忍柱，从而能够节省多相非禪合电感器的体积和布局面积、减少材料成本、提高功 率密度、降低磁忍损耗并且提高效率。
[0040] 在前面的说明书中参照特定实施例描述了本实用新型。然而本领域的普通技术人 员理解，在不偏离如权利要求书限定的本实用新型的范围的前提下可W进行各种修改和改 变。
【主权项】
1. 一种多相非耦合电感器，包括多个磁芯元件（20U202)，其特征在于，所述多个磁芯 元件（20U202)依次串接在一起，所述多个磁芯元件由N+1个"I"形磁芯元件（201)和N形磁芯元件（202)组成，其中，以所述N+1个"I"形磁芯元件（201)和所述N个形磁芯元件（202)交替、并且第一个磁芯元件以及最后一个磁芯元件都为"I"形磁 芯元件（201)的方式依次串接所述多个磁芯元件，其中，N为大于等于1的自然数。2. 根据权利要求1所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述形磁芯元件 (202)具有位于上下两侧的四个分支，并且所述多相非耦合电感器还包括2N个绕组，在由形磁芯元件（202)和两个"I"形磁芯元件（201)构成的每个子结构中，2个绕组 分别绕在所述两个"I"形磁芯元件（201)上或分别绕在所述一个形磁芯元件的两个 分支上。3. 根据权利要求1或2所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述形磁芯元件 (202)由具有相同磁导率的单一材料构成或由具有不同磁导率的两种材料构成。4. 根据权利要求1或2所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述多个磁芯元件之间 通过隔离体分隔。5. 根据权利要求4所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述隔离体为粘合剂或空 气隙。6. -种多相非耦合电感器，包括多个磁芯元件（50U502)，其特征在于，所述多个磁芯 元件（50U502)依次串接在一起，所述多个磁芯元件由一个"I"形磁芯元件（501)和多个1形磁芯元件（502)组成，其中，以第一个磁芯元件为"I"形磁芯元件（501)并且随后的 磁芯元件都为形磁芯元件（502)的方式依次串接所述多个磁芯元件。7. 根据权利要求6所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述多个>形磁芯元件 (502)为M个形磁芯元件，其中，所述多相非耦合电感器还包括M个绕组，所述M个绕 组分别绕在所述M个形磁芯元件上，其中M为大于等于2的自然数。8. 根据权利要求6所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述多个形磁芯元件 (502)为M个形磁芯元件，其中，所述多相非耦合电感器还包括M个绕组，所述M个绕 组分别绕在所述一个"I"形磁芯元件和第2个至第M个1形磁芯元件上，其中M为大于 等于2的自然数。9. 根据权利要求6、7或8所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述多个磁芯元件之 间通过隔离体分隔。10. 根据权利要求9所述的多相非耦合电感器，其特征在于，所述隔离体为粘合剂或空 气隙。
【专利摘要】本实用新型提供一种多相非耦合电感器，包括依次串接在一起的多个磁芯元件(201、202)，其由N+1个“|”形磁芯元件(201)和N个形磁芯元件(202)组成，其中，以N+1个“|”形磁芯元件(201)和N个形磁芯元件(202)交替、并且第一个磁芯元件以及最后一个磁芯元件都为“|”形磁芯元件(201)的方式依次串接多个磁芯元件，其中，N为大于等于1的自然数。本实用新型提供的多相非耦合电感器结构简单，能够节省多相非耦合电感器的体积和布局面积、节省材料、提高功率密度、降低磁芯损耗并且提高效率。
【IPC分类】H01F27/24, H01F17/04
【公开号】CN205080958
【申请号】CN201520887099
【发明人】邱爽, 蒋文浩
【申请人】雅达电子国际有限公司
【公开日】2016年3月9日
【申请日】2015年11月9日