多相非耦合电感器的制造方法
【技术领域】
[0001] 本实用新型设及一种多相非禪合电感器。
【背景技术】
[0002] 在现有的电感器结构中，例如基于环形磁忍的电感器等电感器结构通常不允许将 多个电感器组合到单个部件中。
[0003] 美国专利US7489225B2公开了一种构成了两个独立的电感器的单个部件。如图1 所示，该图示出了构成两个独立的电感器Ll和L2的单个部件。该单个部件由具有中屯、引 线的E形磁忍1006-1008和I形磁忍1014构成。两个电感绕组分别围绕在E形磁忍的基 部上。但是该专利仍然没有给出构成多于两个的电感器时，可简易增加或减少电感器的技 术方案。
[0004] 期望一种构成多相电感器的单个部件，并提供有效增加或减少电感器数量的技术 方案，W能够节省空间、减少材料成本W及降低磁忍损耗。 【实用新型内容】 阳〇化]本实用新型的目的是提供一种多相非禪合电感器，并W叠加方式构建，W解决现 有技术中存在的上述问题。
[0006] 本实用新型的一个方面提供一种多相非禪合电感器，包括多个磁忍元件201、202， 其特征在于，多个磁忍元件201、202依次串接在一起，多个磁忍元件由N+1个"I"形磁忍元 件201和N个"工*形磁忍元件202组成，其中，WN+1个"I"形磁忍元件201和N个《工》 形磁忍元件202交替、并且第一个磁忍元件W及最后一个磁忍元件都为"I"形磁忍元件201 的方式依次串接多个磁忍元件，其中，N为大于等于1的自然数。
[0007] 根据另一个实施例，Wirw形磁忍元件202具有位于上下两侧的四个分支，并且多 相非禪合电感器还包括2N个绕组，在由一个《：E*形磁忍元件202和两个"I"形磁忍元件 201构成的每个子结构中，2个绕组分别绕在两个"I"形磁忍元件201上或分别绕在一个 "IEW形磁忍元件的两个分支上。
[0008] 根据又一个实施例，**：!：?形磁忍元件202由具有相同磁导率的单一材料构成或 由具有不同磁导率的两种材料构成。
[0009] 根据又一个实施例，多个磁忍元件之间通过隔离体分隔。
[0010] 根据又一个实施例，隔离体为粘合剂或空气隙。
[0011] 本实用新型的另一个方面提供另一种多相非禪合电感器，包括多个磁忍元件501、 502,其特征在于，多个磁忍元件50U502依次串接在一起，多个磁忍元件由一个"I"形磁忍 元件501和多个"I!"形磁忍元件502组成，其中，W第一个磁忍元件为"I"形磁忍元件501 并且随后的磁忍元件都为形磁忍元件502的方式依次串接多个磁忍元件。
[0012] 根据一个实施例，多个形磁忍元件502为M个形磁忍元件，其中，多相非 禪合电感器还包括M个绕组，M个绕组分别绕在M个形磁忍元件上，其中M为大于等于 2的自然数。
[0013] 根据另一个实施例，多个K]w形磁忍元件502为M个"Gw形磁忍元件，其中，多相 非禪合电感器还包括M个绕组，M个绕组分别绕在该一个"I"形磁忍元件和第2个至第M个 ?：]"形磁忍元件上，其中M为大于等于2的自然数
[0014] 根据又一个实施例，多个磁忍元件之间通过隔离体分隔。
[0015] 根据另一个实施例，隔离体为粘合剂或空气隙。
[0016] 由于本实用新型提供的多相非禪合电感器结构简单，容易根据实际应用来增加或 减少串接的磁忍的数量，因此便于实际应用。另外，本实用新型提供的多相非禪合电感器能 够节省体积和布局面积、减少材料成本、提高功率密度、降低磁忍损耗并且提高效率。
【附图说明】
[0017]参照下面结合附图对本实用新型的实施例的说明，会更加容易地理解本实用新型 的W上和其它目的、特点和优点。在附图中，相同的或对应的技术特征或部件将采用相同或 对应的附图标记来表示。在附图中不必依照比例绘制出单元的尺寸和相对位置。
[001引图1是示意性示出现有的电感器结构的示意图。
[0019]图2是示意性示出根据本实用新型的一个实施例的多相非禪合电感器的结构的 不意图。
[0020] 图3W每个子结构为例示出了在磁忍元件上绕制绕组的方式的示意图。
[0021] 图4是示意性示出磁忍元件之间的隔离体的设置的示意图。
[0022] 图5是示意性示出根据本实用新型的另一个实施例的多相非禪合电感器的结构 的不意图。
[0023] 图6是示出了在磁忍元件上绕制绕组的方式的示意图。
[0024] 图7是示出了在磁忍元件上绕制绕组的另一方式的示意图。
[00巧]图8是示意性示出磁忍元件之间的隔离体的设置的示意图。
[0026] 图9示意性示出本实用新型的多相非禪合电感器与现有技术之间的结构区别点。
【具体实施方式】
[0027] 下面参照附图来说明本实用新型的实施例。应当注意，为了清楚的目的，附图和说 明中省略了与本实用新型无关的、本领域技术人员已知的部件和处理的表示和描述。
[0028]图2是示意性示出根据本实用新型的一个实施例的多相非禪合电感器的结构的 不意图。 阳0巧]如图2中所示，本实施例的多相非禪合电感器包括多个磁忍元件201、202,多个磁 忍元件201、202依次串接在一起。多个磁忍元件201、202由N+1个"I"形磁忍元件201和 N个《11：?形磁忍元件202组成，其中，N为大于等于1的自然数。"IEW形磁忍元件202 具有位于上下两侧的四个分支。在该多相非禪合电感器中，N+1个"I"形磁忍元件201和 N个《了形磁忍元件202交替布置，并且第一个磁忍元件W及最后一个磁忍元件都为"I" 形磁忍元件201。
[0030] 在图2中的包括N个《工*形磁忍元件202的多相非禪合电感器中，多相非禪合 电感器还包括2N个绕组。图3W每个子结构为例，示出了在磁忍元件上绕制2N个绕组的 方式的示意图。如图3所示，在由一个《11："形磁忍元件202和两个"I"形磁忍元件201 构成的每个子结构中，2N个绕组中的2个绕组11、L2分别绕在两个"I"形磁忍元件201上 (如图3的右图）或分别绕在"IE"形磁忍元件202的两个分支上（如图3的左图）。图 3所示的对于绕组的绕制方式仅是示意性的，可W根据应用而使用不同的绕制方式。
[0031] "了*形磁忍元件202可W由具有相同磁导率的