r>[0030]实施例3
[0031]如图1所示，在钠钙玻璃基板上采用磁控溅射沉积500nm的金属钼电极层;接着在钼电极层上形成1.Sum厚的具有黄铜矿结构的铜铟镓二硫光吸收层;在光吸收层上采用化学浴(CBD)方法沉积15nm的CdS膜层作为第一缓冲层;在第一缓冲层上采用溅射沉积30nm的ZnS膜层作为第二缓冲层;在第二缓冲层上采用溅射沉积60nm的电阻率为10 Qcm的掺杂铝的氧化锌膜层;接着采用磁控溅射沉积700nmAZ0膜层作为透明导电层。
[0032]实施例4
[0033]如图1所示，在不锈钢薄基板上溅射沉积10nm的氮氧化硅膜层;接着在氮氧化硅膜层上采用磁控溅射沉积500nm的金属钼电极层;接着在钼电极层上形成1.9um厚的具有黄铜矿结构的铜铟镓二硫光吸收层;在光吸收层上采用化学浴(CBD)方法沉积15nm的CdS膜层作为第一缓冲层;在第一缓冲层上采用溅射沉积30nm的硫砸化锌膜层作为第二缓冲层;在第二缓冲层上采用溅射沉积SOnm的电阻率为12 Ω cm的掺杂铝的氧化锌膜层;接着采用磁控派射沉积900nmAZ0膜层作为透明导电层。
[0034]实施例5
[0035]如图1所示，在钠钙玻璃基板上采用磁控溅射沉积500nm的金属钼电极层;接着在钼电极层上形成2.0um厚的具有黄铜矿结构的铜铟镓二砸光吸收层;在光吸收层上采用化学浴(CBD)方法沉积20nm的In2Se3膜层作为第一缓冲层；在第一缓冲层上采用溅射沉积30nm硫砸化锌膜层作为第二缓冲层；在第二缓冲层上采用溅射沉积50nm的本征氧化锌膜层;接着采用磁控溅射沉积600nmAZ0膜层作为透明导电层。
[0036]实施例6
[0037]如图1所示，在钠钙玻璃基板上采用磁控溅射沉积500nm的金属钼电极层;接着在钼电极层上形成2.0um厚的具有黄铜矿结构的铜铟镓二砸光吸收层;在光吸收层上采用化学浴(CBD)方法沉积15nm的硫砸化铟膜层作为第一缓冲层;在第一缓冲层上采用溅射沉积30nm硫化锌膜层作为第二缓冲层;在第二缓冲层上采用溅射沉积50nm的本征氧化锌膜层；接着采用磁控溅射沉积600nmAZ0膜层作为透明导电层。
[0038]实施例7
[0039]如图1所示，在钠钙玻璃基板上采用磁控溅射沉积600nm的金属钼电极层;接着在钼电极层上形成1.9um厚的具有黄铜矿结构的铜铟镓二砸光吸收层;在光吸收层上采用化学浴(CBD)方法沉积20nm的ZnSe膜层作为第一缓冲层;在第一缓冲层上采用溅射沉积40nm锌镁氧化物膜层作为第二缓冲层;在第二缓冲层上采用溅射沉积50nm的本征氧化锌膜层；接着采用磁控溅射沉积SOOnmAZO膜层作为透明导电层。
[0040]实施例8
[0041]如图1所示，在钠钙玻璃基板上采用磁控溅射沉积600nm的金属钼电极层;接着在钼电极层上形成1.9um厚的具有黄铜矿结构的铜铟镓二砸光吸收层;在光吸收层上采用化学浴(CBD)方法沉积15nm的InS膜层作为第一缓冲层;在第一缓冲层上采用溅射沉积35nm硫化镉镁膜层作为第二缓冲层;在第二缓冲层上采用溅射沉积50nm的本征氧化锌膜层;接着采用磁控派射沉积800nmAZ0膜层作为透明导电层。
[0042]上面结合附图对本实用新型进行了示例性描述，显然本实用新型具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本实用新型的方法构思和技术方案进行的各种非实质性的改进，或未经改进将本实用新型的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本实用新型的保护范围之内。
【主权项】
1.一种CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，包括衬底，覆盖衬底表面的背电极层，覆盖背电极层的具有黄铜矿结构的光吸收层，覆盖光吸收层的第一缓冲层，覆盖第一缓冲层的第二缓冲层，覆盖第二缓冲层的透明导电层;所述第一缓冲层的带隙比第二缓冲层的带隙小。2.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一缓冲层为至少包括一层;所述第二缓冲层至少包括一层。3.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述第一缓冲层为砸化铟、硫砸化铟、硫化铟、砸化锌、硫砸化锌、硫化镉、硫化镉锌、硫化镉镁中的至少一种;所述第二缓冲层为硫砸化铟、硫化铟、硫化镉、硫化镉锌、硫化镉镁、砸化锌、硫砸化锌、硫化锌、氧化锌、锌镁氧化物中的至少一种。4.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述衬底为玻璃、聚酰亚胺、铝薄板、钛薄板或薄的不锈钢板中的一种。5.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述背电极层为钼层、钛层、铬层、铜层、AZO膜层、ITO膜层、GZO膜层、石墨烯膜层中的至少一种。6.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述光吸收层为铜铟镓砸、铜铟镓砸硫、铜铟镓硫、铜铟砸、铜铟硫、铜铟招砸、铜铟招硫、铜铟招砸硫、铜锌锡硫、铜锌锡硫砸中的至少一种;所述光吸收层为P型半导体层，在所述光吸收层的表面可形成一 η型半导体层，所述η型半导体层含有铜、铟、镓、砸、锌和/或硫，所述η型半导体层中还可含有铝和/或镉。7.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述透明导电层选用氧化铟掺锡、氧化锌掺铝、氧化锌掺镓、氧化锌掺硼、氧化锌掺铟、氧化锡掺氟、氧化锡掺锑、氧化锡掺碘、石墨烯、锡酸镉、银基透明导电膜中的至少一种。8.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括在透明导电层上沉积的减反射膜层。9.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括在衬底与背电极层之间插入的一层阻挡衬底元素扩散的阻挡层。10.根据权利要求1所述的CIGS基薄膜太阳能电池，其特征在于，还包括在第二缓冲层与透明导电层之间插入的一层高电阻率膜层，所述高电阻率膜层为氧化锌膜层、掺杂氧化锌膜层中的至少一种，所述掺杂氧化锌膜层为氧化锌掺杂有硼、铝、镓或铟中的至少一种元素。
【专利摘要】本实用新型提供了本实用新型公开了一种CIGS基薄膜太阳能电池，其包括衬底、背电极层、光吸收层、第一缓冲层、第二缓冲层、透明导电层，所述第一缓冲层和第二缓冲层具有不同的禁带宽度。本实用新型通过在光吸收层与透明导电层之间形成第一缓冲层和第二缓冲层可使它们之间产生合适的带隙，可减少载流子在界面处的复合，从而提高薄膜太阳能电池的性能。
【IPC分类】H01L31/032, H01L31/0749
【公开号】CN205335276
【申请号】CN201620109463
【发明人】李艺明, 邓国云
【申请人】厦门神科太阳能有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2016年2月3日