[0067]借由上述的该第一辐射单元2来控制高频频段阻抗、共振频率与辐射效应，并利用周期性结构产生低频频段的倍频并控制高频频段频率偏移，且借由该第二辐射单元3来控制低频频段而达到预定的目标阻抗、共振频率、带宽与辐射效应，可有效缩小天线尺寸。
[0068]请参阅图3?图5，其为本实用新型的第二实施例的双层芯片讯号元件结构顶面、底面及图3、4的侧剖视示意图。如图所示:在本实用新型的双层芯片讯号元件结构10的顶面11及底面12的第一辐射单元2及该第二辐射单元3制作完成后，于该顶面11及该底面12上设有一防焊层5，于该顶面11上的防焊层5以覆盖该第一辐射单元2，该底面12上的防焊层5是以该覆盖该第二辐射单元3，仅使该第二辐射单元的第二辐射面31及该第三辐射面32的部分外露，该部分外露的面积形成二电极端31a及32a。
[0069]在该双层芯片讯号元件结构10的顶面11的防焊层5表面上设有一识别层6，该识别层6上具有各式的图案、文字或数字，以识别该双层芯片讯号元件结构10方向或公司商标、产品型号、货号、尺寸。
[0070]请参阅图6及图7，其为本实用新型的第三实施例的双层芯片讯号元件结构与第一种的天线基板电性连结及图6的反射损失曲线示意图。如图所示:将该双层芯片讯号元件结构10与天线基板20电性连结，该双层芯片讯号元件结构10电性连结在一个具有净空区(图中未不)的天线基板20上做说明。
[0071]该天线基板20正面上具有一第一接地金属层201及一裸空部202，该裸空部202上具有一固接端203及一讯号馈入线204，以该双层芯片讯号元件结构10的二电极端31a及32a与该固接端203及该讯号馈入线204与固接端203相对应的一端电性连结。该号馈入线204包含一第一讯号馈入线204a、一第二讯号馈入线204b及一位于该第一讯号馈入线204a与该第二讯号馈入线204b之间的间距204c，以及该第一讯号馈入线204a及该第二讯号馈入线204b与该第一接地金属层201之间的间隙205可通过匹配电路(图中未示)电性连结，以进行阻抗及频率调整。另，该天线基板20的背面具有一第二接地金属层(图中未示)及一净空区(图中未不)。
[0072]在该双层芯片讯号元件结构10与该天线基板20电性连结后，该天线的反射损失曲线下:
[0073]当Δ I在2.4GHZ频段时，该反射损失为_11.170dB。
[0074]当Δ2在2.45GHZ频段时，该反射损失为_21.497dB。
[0075]当Δ3在2.5GHZ频段时，该反射损失为_11.503dB。
[0076]当Δ4在5.15GHZ频段时，该反射损失为_17.484dB。
[0077]当Δ5在5.47GHZ频段时，该反射损失为_13.587dB。
[0078]当Δ6在5.85GHZ频段时，该反射损失为_16.058dB。
[0079]请参阅图8及图9，其为本实用新型的第四实施例的双层芯片讯号元件结构与第二种的天线基板电性连结及图8的反射损失曲线示意图。如图所示:将该双层芯片讯号元件结构10与天线基板30电性连结，该双层芯片讯号元件结构10电性连结在一个具有净空区(图中未示)的天线基板30上做说明。
[0080]该天线基板30正面上具有一第一接地金属层301及一裸空部302，该裸空部302上具有一固接端303及一讯号馈入线304，以该双层芯片讯号元件结构10的二电极端31a及32a与该固接端303及该讯号馈入线304与固接端303相对应的一端电性连结。该号馈入线304包含一第一讯号馈入线304a及一与该第一讯号馈入线304a电性连结的第二讯号馈入线304b，该第二讯号馈入线304b与该第一接地金属层301之间的间隙305。另，该天线基板30的背面具有一第二接地金属层(图中未示)及一净空区(图中未示)。
[0081]在该双层芯片讯号元件结构10与该天线基板30电性连结后，该天线的反射损失曲线下:
[0082]当Δ I在2.4GHZ频段时，该反射损失为_7.2992dB。
[0083]当Δ2在2.45GHZ频段时，该反射损失为_11.724dB。
[0084]当Δ 3在2.5GHZ频段时，该反射损失为-22.564dB。
[0085]当Δ4在5.485GHZ频段时，该反射损失为-33.675dB。
[0086]当Δ 5在5.150GHZ频段时，该反射损失为-8.1785dB。
[0087]当Δ6在5.50GHZ频段时，该反射损失为_31.917dB。
[0088]当Δ7在5.85GHZ频段时，该反射损失为-7.7384dB。
[0089]因此，借由该第一辐射单元2来控制2.45GHZ至5GHZ频段阻抗、共振频率与辐射效应，并利用周期性结构产生2.45GHZ频段的倍频并控制5GHZ频段频率偏移，且借由该第二辐射单元3来控制2.45GHZ频段而达到预定的目标阻抗、共振频率、带宽与辐射效应，可有效缩小天线尺寸。
[0090]上述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并非用来限定本实用新型实施的范围。即凡是依本实用新型权利要求所做的均等变化与修饰，皆为本实用新型专利范围所涵盖。
【主权项】
1.一种双层芯片讯号元件结构，其特征在于，其包括有: 一基体，其上具有一顶面及一底面； 一第一辐射单元，设于该基体的顶面上，该第一辐射单元上具有二相对称方形的第一福射面，二个该第一福射面间电性连结有二相对称的第一福射线，二相对称的第二福射线及二相对称的第三辐射线，且以二个该第三辐射线电性连结该第一辐射线及该第二辐射线； 一第二辐射单元，设于该基体的底面； 一导电体，埋设于该基体内部，以该导电体的一端电性连结该第一辐射单元，该导电体的另一端电性连结该第二辐射单元。2.如权利要求1所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，每个该第一辐射线具有一第一 U形线段及一 S形线段，该第一 U形线段一端与该S形线段一端电性连结，该S形线段另一端与该第一辐射面电性连结。3.如权利要求2所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，每个该第二辐射线具有一第二 U形线段及一字形线段，二个该一字形线段的一端与二个该第二 U形线段的一端电性连结，二个该一字形线段另一端相互电性连结并与二个该第二 U形线段的另一端相对应。4.如权利要求3所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，每个该第三辐射线具有位于该第一辐射线及该第二辐射线之间的第三U形线段，每个该第三U形线段的一端电性连结有一直线段，另一端电性连结有L形线段，该直线段与对应的该第一 U形线段电性连结，该L形线段与对应的该第二 U形线段电性连结。5.如权利要求4所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，该双层芯片讯号元件结构的顶面及底面的第一辐射单元及第二辐射单元上均设有一防焊层，该第二辐射单元具有一方形的第二辐射面及一方形的第三辐射面，该底面上的防焊层使该第二辐射单元的第二辐射面及该第三辐射面的部分外露，该部分外露的面积形成二电极端。6.如权利要求5所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，该防焊层表面上设有一识别层。7.如权利要求1所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，该第二辐射面的面积大于该第三辐射面的面积。8.如权利要求5所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，该导电体是由复数个导电柱组成，这些导电柱埋设于该基体内部，以这些导电柱的一端与二个该第一辐射面电性连结，这些导电柱的另一端与该第二辐射面及该第三辐射面电性连结。9.如权利要求1所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，更包含有一天线基板，该天线基板与该双层芯片讯号元件结构电性连结，该天线基板正面上具有一第一接地金属层及一裸空部，该裸空部上具有一固接端及一讯号馈入线，以该第二辐射单元与该固接端及该讯号馈入线与固接端相对应的一端电性连结，该号馈入线包含一第一讯号馈入线、一第二讯号馈入线及一位于该第一讯号馈入线与该第二讯号馈入线之间的间距，以及该第一讯号馈入线及该第二讯号馈入线与该第一接地金属层之间具有一间隙，以一匹配电路电性连结该第二讯号馈入线与该第一接地金属层；另，该天线基板的背面具有一第二接地金属层及一净空区。10.如权利要求1所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，更包含有一天线基板，该天线基板与该双层芯片讯号元件结构电性连结，该天线基板正面上具有一第一接地金属层及一裸空部，该裸空部上具有一固接端及一讯号馈入线，以该第二辐射单元与该固接端及该讯号馈入线与固接端相对应的一端电性连结，该号馈入线包含一第一讯号馈入线及一与该第一讯号馈入线电性链接的第二讯号馈入线，该第二讯号馈入线与该第一接地金属层之间具有一间隙；另，该天线基板的背面具有一第二接地金属层及一净空区。11.如权利要求1所述的双层芯片讯号元件结构，其特征在于，该基体为方形体的玻璃纤维材质。
【专利摘要】本实用新型公开了一种双层芯片讯号元件结构，至少包括有：一基体、一第一辐射单元、一第二辐射单元及一导电体。该基体上具有一顶面及一底面。该第一辐射单元设于该基体的顶面上。该第二辐射单元设于该基体的底面。该导电体以埋设于该基体内部并电性连结该第一辐射单元及该第二辐射单元。以该第一辐射单元来控制2.45GHZ频段的倍频并控制5GHZ频段阻抗、共振频率与辐射效应，并利用周期性结构产生2.45GHZ频段的倍频并控制5GHZ频段频率偏移，且借由该第二辐射单元来控制2.45GHZ频段而达到预定的目标阻抗、共振频率、带宽与辐射效应，可有效缩小天线尺寸。
【IPC分类】H01Q1/38, H01Q1/48
【公开号】CN205335423
【申请号】CN201521039221
【发明人】廖文照, 蔡为闳
【申请人】昌泽科技有限公司
【公开日】2016年6月22日
【申请日】2015年12月15日