一种植入导电球结构的小功率整流元器件的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种植入导电球结构的小功率整流元器件，包括塑封环氧树脂，塑封环氧树脂内设置有引线框架A和位于引线框架A下方的引线框架B；引线框架A的下表面焊接有芯片且芯片的正极朝下，引线框架B的上表面且对应芯片的位置设置有导电球，导电球与芯片的正极点接触以形成电流通路。本实用新型植入导电球，使得导电路径更短，焊接更可靠，具有更好的导电和导热性能，提升了产品的品质；且不再使用昂贵的金丝，大大降低了原材料成本；植入的导电球与芯片是点接触，因此可生产尺寸很小的芯片，植球工艺简单、成熟，对比金属丝线焊接，其生产效率可提升8倍左右。
【专利说明】
一种植入导电球结构的小功率整流元器件
技术领域
[0001]本实用新型涉及一种植入导电球结构的小功率整流元器件，属于半导体器件技术领域。
【背景技术】
[0002]小功率的二极管和整流桥半导体元器件，如:S0D123、S0D323、MB、和ABS等，芯片正极和引脚间一般有以下三种焊接连接方式:1、金属丝线焊接连接，如图2所示;2、引线框架叠加焊接的连接方式，如图1所示，其中和芯片正极接触的引线框架，通常有一个被挤压形成的凸台平面或被折弯形成的弯折平面，平面投影形状一般为规则四边形或圆形;3、跳片(Clip)焊接连接方式，跳片上也有一个和芯片正极接触的平面部分，其形成方法和引线框架叠加连接方式类似。
[0003]金属丝线焊接工艺，如S0D123和S0D523等。对小功率二极管或整流元器件来说，芯片尺寸一般小于30milX30mil，一般使用的是直径Imil以下的金丝焊线。虽然，近年来出现了铜丝线和银丝线，但是目前的生产工艺能力还不能提供Imil以下的铜丝线和银丝线。并且金是一种稀有贵金属，采用金丝线的焊接工艺，不仅生产原材料成本较高，而且生产工艺的效率也相对较低。
[0004]引线框架叠加和跳片焊接工艺，如:S0D123、MB、UMB等，由于引线框架冲压制造工艺的局限性，和芯片正极接触的平面(凸台平面或弯折平面)，其长和宽或直径尺寸不能小于0.3mm，否则，加工难度非常大，品质很不稳定，因此，采用引线框架叠加和跳片焊接工艺的生产企业，无法生产出高品质高良率30milX30mil以下小尺寸芯片的产品。30milX30mil的芯片，其正极有效焊接区域的长和宽非常接近0.3mm，如果与芯片正极接触的平面的长和宽或直径为0.3mm，那么与芯片接触的引线框架平面很容易接触到芯片边缘的保护层，严重影响半导体元器件的品质。对比金属丝线焊接工艺，虽然引线框架叠加和跳片焊接工艺生产设备比较简单，生产效率较高，但很难生产小尺寸芯片的二极管和整流桥半导体器件，这就是小功率二极管几乎都采用金属丝焊接工艺的原因。
【实用新型内容】
[0005]本实用新型为了克服以上技术的不足，提供了一种植入导电球结构的小功率整流元器件，本实用新型所述小功率整流元器件是指整流元器件的芯片尺寸小于等于30mil X30milo
[0006]本实用新型克服其技术问题所采用的技术方案是:
[0007]—种植入导电球结构的小功率整流元器件，包括塑封环氧树脂，塑封环氧树脂内设置有引线框架A和位于引线框架A下方的引线框架B;引线框架A的下表面焊接有芯片且芯片的正极朝下，引线框架B的上表面且对应芯片的位置设置有导电球，导电球与芯片的正极点接触以形成电流通路。
[0008]优选的，所述引线框架B的上表面通过设置一球冠状凹坑或通孔以固定导电球。
[0009]本实用新型的有益效果是:
[0010]1、本实用新型通过导电球实现芯片正极与引线框架的连接，突破了支架冲压凸点尺寸的限制，支架冲压凸点的长和宽或直径的最小尺寸为0.3_左右，如再要生产更小尺寸的凸点，工艺将很不稳定，加工难度非常大，尺寸和品质也很难保证。
[0011]2、对比金属丝线焊接，本实用新型植入导电球，使得导电路径更短，焊接更可靠，具有更好的导电和导热性能，提升了产品的品质;且不再使用昂贵的金丝，大大降低了原材料成本。
[0012]3、本实用新型植入的导电球与芯片是点接触，因此可生产尺寸很小的芯片，植球工艺简单、成熟，对比金属丝线焊接，其生产效率可提升8倍左右。
【附图说明】
[0013]图1是现有技术中采用引线框架叠加焊接工艺制造的整流元器件的结构示意图。
[0014]图2是现有技术中采用金属丝线焊接工艺制造的整流元器件的结构示意图。
[0015]图3是本实用新型采用植球焊接工艺制造的整流元器件的结构示意图。
[0016]图4是本实用新型将导电球固定于凹坑内的结构示意图。
[0017]图中，1、引线框架A，2、引线框架B，3、塑封环氧树脂，4、芯片，5、焊料，6、凸点，7、金属丝线，8、导电球，22、凹坑或通孔。
【具体实施方式】
[0018]为了便于本领域人员更好的理解本实用新型，下面结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明，下述仅是示例性的不限定本实用新型的保护范围。
[0019]如图3所示，本实用新型植入导电球结构的小功率整流元器件，包括塑封环氧树脂3，塑封环氧树脂3内设置有引线框架A I和位于引线框架A下方的引线框架B 2;引线框架AI的下表面通过焊料5焊接有芯片4且芯片的正极朝下，引线框架B 2的上表面且对应芯片的位置设置一球冠状凹坑或通孔22，如图4所示，凹坑或通孔22内沾涂上焊料5或助焊剂以固定导电球8，所述导电球8与芯片4的正极点接触以形成电流通路。
[0020]以上仅描述了本实用新型的基本原理和优选实施方式，本领域人员可以根据上述描述作出许多变化和改进，这些变化和改进应该属于本实用新型的保护范围。
【主权项】
1.一种植入导电球结构的小功率整流元器件，其特征在于，包括塑封环氧树脂(3)，塑封环氧树脂(3)内设置有引线框架A(I)和位于引线框架A(I)下方的引线框架B(2);引线框架A(I)的下表面焊接有芯片(4)且芯片的正极朝下，引线框架B(2)的上表面且对应芯片的位置设置有导电球(8)，导电球(8)与芯片(4)的正极点接触以形成电流通路。2.根据权利要求1所述的整流元器件，其特征在于，所述引线框架B(2)的上表面通过设置一球冠状凹坑或通孔(22)以固定导电球(8)。
【文档编号】H01L23/495GK205680678SQ201620576003
【公开日】2016年11月9日
【申请日】2016年6月14日 公开号201620576003.4, CN 201620576003, CN 205680678 U, CN 205680678U, CN-U-205680678, CN201620576003, CN201620576003.4, CN205680678 U, CN205680678U
【发明人】孔凡伟, 朱坤恒, 段花山
【申请人】山东晶导微电子有限公司