专利名称：高电压电源单元的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种向比如光电图像形成设备(如复印机、激光打印机和激光传真机，以及包含多个组合氖管的氖光广告牌)等多个高电压负载提供电能的电源单元。
背景技术：
光电图像形成设备配备有高电压电源。该电压电源是在诸如纸上形成图像的过程所必需的。高电压电源的指定在图像形成处理的各个过程之间是不同的，比如充电过程、传递过程和分离过程。
图像形成处理中的充电是通过引起电晕放电来对光电导体进行充电的过程。用作光电导体的材料示例包括硒、非晶型半导体和有机半导体。应该根据用作光电半导体的材料来选择充电型高电压电源的极性。
图像形成处理中的传递，是在形成潜像之后将附着在光电半导体上的调色剂微粒移动到记录纸上并予固定的过程。这种传递需要与充电中所用电源的极性相反极性的高电压电源。
此外，高电压电源可以用于去除残留在光电半导体上的调色剂微粒的过程，以及将粘合在光电半导体上的记录纸与光电半导体分离的过程。所述分离过程需要具有DC偏置的AC高电压电源，因为这种过程的目的在于使记录纸成为电中性。
图7示出传统高电压电源单元的示例。1表示图像形成设备，2表示CPU，3表示高电压变压器，4表示用于切换高电压变压器3的变压器驱动电路，5表示熔断电阻器，6表示用于控制提供给高电压变压器3的电能的晶体管，7表示电解电容，8表示恒压控制电路，9表示缓冲二极管(snubber diode)，10表示高电压二极管，11表示高电压电容器，12表示泄流电阻器，101表示具有用于检测输出电压的辅助绕组的高电压变压器，14表示用于切换高电压变压器101的变压器驱动电路，15表示熔断电阻器，16表示用于控制提供给高电压变压器101的电能的晶体管，17表示电解电容器，18表示恒压控制电路，19表示缓冲二极管，102表示用于通过高电压变压器101的辅助绕组来检测输出电压的输出电压检测电路，20表示高电压二极管，21表示高电压电容器，22表示泄流电阻器，23和24表示用于输出电压检测的电阻器，25表示AC接地电容器，26表示用于检测负载电流的运算放大器，27表示用于检测负载电流的电阻器，28表示相位补偿电容器，29表示DC电源。30表示用于线流的电阻器，以及31表示负载。
现在将描述在这种高电压电源单元中输出正电压的工作过程。首先，CPU 2输出具有预定频率/占空比的CLK。将CLK发送到变压器驱动电路4，该变压器驱动电路4依次切换高电压变压器3。高电压变压器3使输入到其中的电压上升，以产生具有预定脉冲型波形的高电压。通过高电压二极管10和高电压电容器11对这样产生的具有预定脉冲型波形的高电压进行整流，从而产生正向高电压DC偏置。
然后，CPU 2将与所需高输出电压相对应的电压从D/A端口1输出到恒压控制电路8。通过检测电阻器23和24的分压来检测该输出电压。恒压控制电路8控制晶体管6，以使检测到的输出电压和来自CPU 2的D/A端口1的电压值彼此相等，并且控制输入到高电压变压器3中的电压。
还将来自CPU 2的CLK输入到变压器驱动电路14，以便输出负电压，然后，对高电压变压器101进行切换。然而，设置从D/A端口2输出的电压，从而防止恒压控制电路18的输出的产生，由此防止向变压器101提供电压，并在高电压变压器101中产生高电压输出。
接下来，将描述高电压电源单元中输出负电压的工作过程。CPU 2输出具有预定频率/占空比的CLK。将CLK发送到变压器驱动电路14，该变压器驱动电路14依次切换高电压变压器101。高电压变压器101使输入到其中的电压上升，以产生具有预定脉冲型波形的高电压。通过高电压二极管20和高电压电容器21对如此由变压器101产生的具有预定脉冲型波形的高电压进行整流，从而产生负向高电压DC偏置。将这样产生的高电压偏置经由泄流电阻器12施加到负载31。
然后，CPU 2将与所需高输出电压相对应的电压从D/A端口2输出到恒压控制电路18。通过高电压变压器101的辅助绕组和输出电压检测单元102来检测该输出电压。恒压控制电路18控制晶体管16，以使检测到的输出电压和来自CPU 2的D/A端口2的电压值彼此相等，并且控制输入到高电压变压器101中的电压。
还将来自CPU 2的CLK输入到具有负电压的变压器驱动电路4，以便输出负电压，然而，设置D/A端口1的输出电压，从而防止恒压控制电路8的输出的产生，由此防止向变压器3提供电压，并防止变压器3产生高电压输出(比如参见日本专利待审公开No.2003-209972)。
现在，作为另一背景技术，将描述应用于氖光广告牌上的典型高电压电源单元。这种氖光广告牌包括许多氖管，并且利用氖管倒相变压器使氖管闪烁和变暗。这种类型的氖管倒相变压器必须输出高电压来激发氖或氩，以便使其中装入了氖气或氩气的放电管发光。
图8示出典型的氖管倒相变压器。这种氖管倒相变压器包括晶体管Tr1和Tr2，作为初级侧振荡电路。通过整流电路2将作为AC电压的商用电源1转换为直流。原级线圈3由晶体管Tr1和Tr2以预定的频率来交替切换。按照这种方式，在次级线圈5中产生具有高频率的高电压交流电流。将这样产生的高电压交流电流提供给氖管6的电极(比如参见日本专利待审公开No.平9-35886)。
应用于图像形成设备上的前述传统高电压电源单元需要多个高电压变压器和分别针对各种输出电压型的驱动电路，比如，用于切换输出电压的极性类型的。另外，应用于氖光广告牌上的传统高电压电源单元需要与氖管组相同数目的变压器，因为这种氖光广告牌由分为多个组的许多氖管形成，并且逐组地进行控制，以及在低电压侧对提供给负载的电压波形进行调整。应用于如上所述的图像形成设备或氖光广告牌的传统高电压电源单元具有尺寸和成本增加的问题。
发明内容
于是，本发明的目的在于减小应用于光电图像形成设备和氖光广告牌的高电压电源单元的尺寸和降低成本。
按照本发明，一种高电压电源，它至少包括高电压变压器和用于驱动高电压变压器的驱动电路。并且，所述高电压电源将电能提供给与高电压变压器的次级侧相连的负载。所述高电压电源具有高电压切换电路，用于切换在高电压变压器的次级一侧产生的DC输出电压的极性；以及控制电路，用于根据通过施加DC电流输出电压引起流动的负载电流，控制高电压切换电路的切换。短语“至少”用来表明可以使所需高电压变压器和驱动电路的数量少于以前的数量，并且本发明的高电压电源需要最少数量的高电压变压器和驱动电路。优选地是，一对高电压变压器和驱动电路应该是足够的。短语“(至少)包括高电压变压器和用于驱动高电压变压器的驱动电路”用来表明本发明的高电压电源包括除高电压变压器和驱动电路之外的组件。理想的是，高电压切换电路具有利用宽带隙半导体器件作为开关设备的全桥结构。更为理想的是，高电压切换电路使用以SiC用作基材的宽带隙半导体器件。
按照本发明，控制电路控制高电压切换电路的切换。由此，可以利用比以前更少数量的高电压变压器和驱动电路，切换由高电压切换电路在高电压变压器次级一侧产生的DC输出电压的极性，并将正或负电压提供给负载。另外，可以通过由控制电路对高电压切换电路执行PWM控制，而将高电压变压器次级侧产生的DC输出电压转换为具有矩形波形的AC输出电压。结果，在应用了本发明的图像形成设备或氖光广告牌的电源单元中，可以简化高电压电源部分。因此，可以以低成本紧凑地形成电源单元。
本发明的高电压电源单元适合于用作图像形成设备的电源单元，并且在下面至少一种过程中使用这种高电压电源用于对图像形成设备的光电导体进行充电的充电过程、用于将在光电导体上形成的调色剂图像移动到记录纸上的传递过程，以及使粘合到光电导体上的记录纸成为电中性的分离过程。
另外，当采用在高电压变压器次级侧并联多对高电压切换电路和控制电路的结构中，能够容易地将本发明的高电压电源单元应用于包含许多组合氖管的氖光广告牌。
图1是本发明一种实施例高电压电源单元的电路图；图2是图1所示开关控制电路的电路图；
图3示出用于显示高电压电源单元典型工作过程的各个部分的波形；图4示出用于解释高电压电源单元的典型应用的典型光电图像形成设备的一般结构；图5是表示应用于高电压切换电路的高电压开关的典型宽带隙半导体器件的截面图；图6是表示用作包含多个氖管的氖光广告牌电源单元的高电压电源单元结构的电路方框图；图7是表示典型传统高电压电源单元的电路方框图；图8是表示另一典型传统高电压电源单元的电路方框图。
具体实施例方式
图1表示本发明一种实施例高电压电源单元的结构。图中的参考标号1表示高电压电源单元，2表示CPU，3表示高电压变压器，4表示用于切换高电压变压器3的变压器驱动电路，5表示熔断电阻器，6表示用于控制提供给高电压变压器3的电能的晶体管，7表示电解电容器，8表示恒压控制电路，9表示缓冲二极管(snubber diode)，10表示高电压二极管，11表示高电压电容器，23和24表示用于检测输出电压的电阻器，26表示用于检测负载电流的运算放大器，27表示公用总线，311-31n表示负载，50表示高电压切换电路，51-54表示高电压开关，51d-54d表示高电压二极管，51s-54s表示高电压开关的控制信号。60表示开关控制电路，81-8n表示负载选择开关。81s-8ns表示负载选择开关的控制信号，以及90表示解码器。
图2是开关控制电路60的方框图。图中参考标号61表示D/A转换器，62表示三角波产生单元，63表示D/A转换器，64表示比较器，65表示延迟电路，66表示与电路，67表示倒相电路，68表示延迟电路，69表示与电路，以及70-73表示E/O转换电路。
现在将描述高电压电源单元的工作过程。直到对高电压电容器11进行充电为止的工作过程，与之前所述的传统高电压电源单元的操作相同。换句话说，CPU 2从输出端口2输出具有预定频率/占空比的CLK，有如图1所示那样。将CLK发送到变压器驱动电路4，变压器驱动电路4依次切换高电压变压器3。高电压变压器3使输入到其中的电压升高，以产生具有预定脉冲型波形的高电压。通过高电压二极管10和高电压电容器11对如此由变压器3产生的具有预定脉冲型波形的高电压实行整流，从而产生正向高电压DC偏置。
然后，CPU 2将与所需要的高输出电压相对应的电压从输出端口1输出到恒压控制电路8。通过检测电阻器23和24的分压，以检测该输出电压。虽然省略了将由电阻器23和24分压的输出电压输入到恒压控制电路8，但是把由CPU 2内对输出信号25s的算术处理产生的控制信号输入到恒压控制电路8。恒压控制电路8控制晶体管6，以使检测到的输出电压等于来自CPU 2的输出端口1的电压值，并且控制输入到高电压变压器3中的电压。
如图2所示，由D/A转换器61将来自CPU 2的输出端口3的输出转换为模拟电压。然后，三角波产生单元62产生具有根据上述模拟电压确定的固定峰值和频率的三角波。CPU 2的输出端口5通常产生与逻辑真相对应的正电压。当CPU 2检测到异常状态时，该输出端口5产生与逻辑假相对应的零电压。
当将正DC电压施加到至少一个负载311-31n时，从CPU 2的输出端口6输出用于一次性开启所有负载选择开关81-8n的信号。然后，从CPU 2的输出端口4输出使D/A转换器63的输出大于三角波产生单元62的正峰值的数字信号。比较器64对三角波产生单元62和D/A转换器63的输出相互比较，然后产生与逻辑真相对应的正电压。“与”电路66的输入端65-1具有与比较器64的输出端相同的值。输入端66-2输出由延迟电路确定的时延之后的正值，而与比较器64的输出端变为正之前的状态无关。如前所述，输出端口5通常输出正值。因此，当比较器64的输出端为正电压时，与电路66在由延迟电路65所提供的时延之后，输出与逻辑真相对应的正电压。设置稍后将有描述的延迟电路65和另一延迟电路68，以防止与电路66和69这两者的输出瞬时为正。
在接收到“与”电路66的输出时，E/O转换电路70和71输出与逻辑真对应的光信号52s和53s，以使开关52和53分别电连续。另一方面，由于倒相电路67，“与”电路69的输入69-1具有与比较器64的输出端不同的逻辑状态。因此，当比较器64的输出端变为正时，“与”电路69的输出同时变为负，并且经由E/O转换器开启开关51和54。
上述工作过程实现从端子11p经开关53到公用总线27的电连续性，以及从地经负载电流检测电路26和开关52到端子11n的电连续性。因此，将正电压提供给公用总线27。在根据信号25s确认公用总线27的电压变为稳定之后，CPU 2从输出端口6输出指定至少一个负载的信号，从而通过经由解码器90输出相应的一个或多个负载选择信号81s-8ns，使指定的一个或多个负载选择开关81-8n电连续。按照该方式，能够相指定的一个或多个负载311-31n提供正DC电压。
当将负DC电压提供给至少一个负载311-31n时，CPU 2从输出端口4输出使D/A转换器63的输出低于三角波产生单元62的负峰值的数字信号。除此之外，在这种情况下的工作过程与提供正电压情况下的工作过程相同。
这种高电压电源单元还可以实现把具有矩形波形的AC电压提供给至少一个负载311-31n的操作。在这样的操作中，CPU 2输出使D/A转换器63的输出具有从三角波产生单元62的负峰值到正峰值范围值的数字信号。在表示波形的图3中显示了这种工作过程的一种示例。在D/A转换器63的输出值大于三角波产生单元62的输出值时，比较器64的输出端为正电压；而在D/A转换器63的输出值小于三角波产生单元62的输出值时，为负电压。
换句话说，所述比较器64的输出在时间上交替具有正值和负值，这由根据来自CPU 2的输出端口3的输出信号所确定的三角波产生单元62的输出频率，以及根据来自CPU 2的输出端口4的输出信号所确定的D/A转换器63的输出值和三角波产生单元62的输出值之间幅度关系所确定的占空比来决定。
在这种情况下，比较器64的输出与提供给负载311-31n的电压之间的关系与前述情况下的相同。除此之外，这种情况下的工作过程与提供正或负电压情况下的工作过程相同。通过按照上述方式从CPU 2中输出控制信号，也能够将具有矩形波形的AC电压提供给负载311-31n。
需要注意的是，在正DC电压、负DC电压或具有矩形波形的AC电压施加到负载311-31n的描述中，示出“至少一个负载311到31n”，这是为了表明将电压仅提供给一个负载的情况，以及将电压提供给负载311-31n之中的两个或多个负载的情况这两者。
现在将描述上述高电压电源单元的典型应用。图4示出典型光电图像形成设备的示例，这种设备主要通过执行充电、潜像形成、显影、传递、分离、固定和电荷移除，来打印图像。
充电是通过5kV高电压DC电源的电晕放电对光电导体充电的过程。按照图4的示例，假定电源的极性为正。根据光电导体的材料、所述设备的结构和其他因素确定DC电源的电压值，这种电压并不局限于上述值。潜像形成过程是利用光来照射充电后的光电导体以移除电荷，从而根据要打印的图像在光电导体上形成电荷图案(静电潜像)的过程。显影过程是使调色剂微粒附着在光电导体表面上所形成的静电潜像上，以获得可见图像的过程。该过程使用了能够提供用于移动调色剂微粒的几百伏的可变电源。传递是将光电导体的表面上形成的调色剂图像移动到记录纸上的过程。该过程需要能够提供与充电过程的极性相反极性且幅度近似与充电过程所提供的幅度相同的电压的高电压DC电源。分离过程是通过具有大约1kHz的高电压AC电源使记录纸变为电中性，以便从光电导体中移除粘合到光电导体上的记录纸的过程。固定过程是通过加热来将调色剂微粒固定到记录纸上的过程，而且它不使用高电压电源。电荷移除过程是移除残留在光电导体上的调色剂微粒的过程。如上所述，在光电方法中，基本上通过执行充电、潜像形成、显影、传递、分离、固定和电荷移除来打印图像。特别地，充电、传递和分离需要高电压电源。
在图4的示例中，按照反时钟方向来旋转光电导体，并且在图4中从左到右上移动记录纸(参见图4中的轮廓箭头)。在前述的每一个过程中，需要彼此同步光导导体的位置和记录纸的位置，以便在记录纸上打印所需的图像。然而，不存在时间约束。因此，比如，若把精确的步进电动机用于旋转光电导体并移动记录纸，则可以通过重复以下操作来形成图像执行充电、传递和分离过程，其中在临时停止光电导体的旋转和记录纸的运动的同时，按照分时的方式使用高电压电源，并且执行一个或多个潜像形成、显影、固定和电荷移除，在旋转光电导体并移动记录纸以将其放置在其下一位置处的同时，根据光电导体和记录纸之间的位置关系确定其是必须的，可以在记录纸上形成图像。
通过将电容器11的充电电压设置为5kV，可以将图1和2所示的高电压电源单元应用于该图像形成设备。然而，除了来自DC电源的5kV之外，高电压开关51-54和负载选择开关81-83(负载1、2和3分别对应于前述情况下的充电、传递和分离)应该具有大约8kV的耐受电压，以便在切换操作期间来处理瞬态过电压。而且，高电压开关51-54应该使用能够以大约1kHz的切换频率工作的切换设备。比如，通过串联广泛使用的具有1.2kV耐受电压的7个IGBT形成这些开关。按照这样的方式，可以实现上述光电图像形成设备。如上所述，由于前述高电压电源单元的使用，能够简化图像形成设备中的高电压电源部分，并且能够以低成本来紧凑地形成光电图像形成设备。
优选地是，使用宽带隙半导体器件作为高电压切换电路50中的每一个高电压开关51-54。使用SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)或金刚石作为基材的宽带隙半导体器件具有比使用Si的半导体器件高大约10倍的介电击穿电压，因此被认为是适合于实现具有高耐受电压的器件。在上面列出的基材中，对于SiC，具有高于10kV的耐受电压的半导体器件已经实现。
图5示出具有8kV的额定电压的阳极栅极型SiC GTO芯片131(chip)的截面图。在该GTO芯片131中，在用作发射极的n型SiC衬底150的上表面上，依次形成p型基极层151、n型基极层152、以及p型发射极层153。将阴极154设置在衬底150的下表面上。将阳极155设置在p型发射极层153上。将阳极栅极电极156设置在n型基层152上。
通过使驱动电流从阳极A流到阳极栅极G来导通GTO芯片131。在GTO芯片131导通之后，当在阴极K和阳极A之间流动的电流转移为在阴极K和阳极栅极G之间流动时，GTO芯片131截止。在GTO芯片131中按照以下方式来设置每一层的厚度。例如，衬底150具有大约400微米的厚度，p型基极层151具有大约80微米的厚度，n型基极层152具有大约3微米的厚度，而p型发射极层153具有大约5微米的厚度。在这种情况下，与把阳极栅极电极156设置在p型基极层151上实行阴极栅极驱动的情况相比，通过有如图5所示那样将阳极栅极电极156设置在n型基极层152上来执行阳极-栅极驱动，可以极大地降低GTO闸流管的栅极导通电流和栅极截止电流。因此，可以利用较小的能量实现驱动能量的输出，因此可以实现尺寸和重量的较大减小。
在把两者都具有相同耐受电压的SiC器件和Si器件彼此进行比较时，出于前述的理由，可以将SiC中的场致张弛层的厚度减小到大约1/10。因此，由于载流子行进距离的差别，利用SiC的GTO的切换时间比利用Si的GTO短至少一个数位(digit)。因此，利用SiC的GTO可以处理比利用Si的GTO大约10倍那样高的切换频率。而且，少数载流子在SiC器件中比在Si器件中更短的寿命。因此，可以实现切换率的进一步增加。这意味着利用SiC的GTO可以处理2kHz或更高的切换频率，因为利用Si的GTO通常用于大约200Hz的切换频率。出于相同的理由，通过把利用SiC的pn二极管应用于各个高电压二极管51d-54d，在以反并行连接与高电压开关相连的高电压二极管51d-54d(参见图1)中，可以实现高速操作。
前述的图像形成设备基于使用具有8kV的耐受电压，并且能够处理大约1kHz的切换频率的切换设备。当在该图像形成设备中使用1.2kV级的Si-IGBT时，需要使用串联的许多切换设备。另一方面，当将利用SiC的前述GTO用于每一个高电压开关51-54和负载选择开关81-83，并且将利用SiC的pn二极管用于每一个高电压二极管51d-54d和高电压二极管10时，可以由一系列的半导体器件来实现每一个开关。
如上所述，把利用SiC的半导体器件用在高电压电源单元中的每一个高电压开关和负载选择开关，能够简化电路并提高可靠性。因此，可以更有效地实现本发明的目的，即减小高电压电源单元的尺寸和成本。而且，由于高速切换的特征，可以实现高速图像形成，即可以增加打印机的打印速度。
图1和2所示的高电压电源单元1可以通过利用矩形AC电压产生功能来执行PWM控制，根据来自CPU 2的输出端口4的指示值来输出正弦电压波形和给定电压波形。这些电压波形包含由于高电压开关51-5n的切换所引起的高频率。然而，可以通过在负载选择开关和与其相关的负载(比如在负载选择开关81和负载311之间)插入低通滤波器，易于采取应对高频的措施。因此，高电压电源单元1可以应用于需要对输出电压的连续控制的负载。
现在将描述将高电压电源单元应用于氖光广告牌的示例。在有如图6所示的示例中，将DC电源用作电容器11，本发明的高电压电源单元111-11n在DC电源的负载侧并联，独立地控制闪烁和亮度变暗，并且将高电压电能提供给与氖管组相对应的负载311-31n。当然，存在有限数量的CPU2的输入和输出端口。然而，能够容易地采取应对限制的措施，例如执行分时处理或提供缓冲电路。如上所述，由于使用高电压电源单元111-11n，能够简化氖光广告牌中的高电压电源部分，并以低成本来紧凑地形成氖光广告牌。
另外，所述氖管的发光通常需要高达大约10kV的电压，因此，高电压电源单元111-11n中的每一个高电压开关和每一个二极管应该具有能够处理这样的高电压的耐受电压。此外，可以通过PWM控制来容易地执行亮度减少。然而，理想的是，为了提高精度，应该获得更高的切换频率。出于这两个原因，通过将前述SiC半导体器件用于高电压电源单元中的每一个高电压开关和每一个二极管，可以更为有效地实现本发明的目的。
本发明并不局限于前述的实施例，而是可以按照各种方式改型和应用。例如，使用SiC的半导体切换设备并不局限于GTO，而可以是IGBT、npn晶体管、MOSFET等。类似地，可以通过利用SiC的肖特基二极管来形成对于高电压开关以反并行连接相连的高电压二极管。另外，可以将利用GaN等的另一种宽带隙半导体器件用于开关设备和二极管。
权利要求
1.一种高电压电源，至少包括高电压变压器和用于驱动高电压变压器的驱动电路，并将电能提供给与高电压变压器的次级侧相连的负载，还包括高电压切换电路，用于切换在高电压变压器的次级一侧产生的DC输出电压的极性；以及控制电路，用于根据通过施加DC电流输出电压引起流动的负载电流，控制高电压切换电路的切换。
2.根据权利要求1所述的高电压电源，其特征在于，将多对高电压切换电路和控制电路并联在高电压变压器的次级侧。
3.根据权利要求1或2所述的高电压电源，其特征在于，通过由控制电路对高电压切换电路实行PWM控制，将在高电压变压器的次级侧产生的DC输出电压转换为具有矩形波形的AC输出电压。
4.根据权利要求1到3任一项所述的高电压电源，其特征在于，所述高电压切换电路具有利用宽带隙半导体器件作为切换设备的全桥结构。
5.根据权利要求4所述的高电压电源，其特征在于，所述宽带隙半导体器件包含SiC，作为基材。
6.根据权利要求1到5任一项所述的高电压电源，其特征在于，所述负载是图像形成设备，并在下面至少一种过程中中使用高电压电源用于对图像形成设备的光电导体进行充电的充电过程、用于将在光电导体上形成的调色剂图像移动到记录纸上的传递过程，以及使粘合到光电导体上的记录纸成为电中性的分离过程。
全文摘要
应用于光电图像形成设备和氖光广告牌上的高电压电源单元需要减小尺寸和降低成本。所述高电压电源至少包括高电压变压器和用于驱动高电压变压器的驱动电路，并将电能提供给与高电压变压器的次级侧相连的负载。所述高电压电源还包括高电压切换电路，用于切换在高电压变压器的次级侧产生的DC输出电压的极性；以及控制电路，用于根据通过施加DC电流输出电压引起流动的负载电流，控制高电压切换电路的切换。
文档编号H02M3/335GK1898851SQ20048003835
公开日2007年1月17日 申请日期2004年12月8日 优先权日2003年12月22日
发明者羽田野伸彦, 菅原良孝 申请人:关西电力株式会社