一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路的制作方法

文档序号:7360254阅读:221来源:国知局
一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路的制作方法
【专利摘要】一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,包括震荡器、计数器、比较器、延时电路、第一触发器、第二触发器、逻辑及前级驱动电路、电流检测电路、H桥输出级和感性负载。感性负载与H桥输出级的输出端连接;H桥输出级和电流检测电路与比较器的输入端连接;延时电路的输出信号控制震荡器、计数器、第一触发器和第二触发器的复位;计数器的输出信号触发第一触发器和第二触发器,以控制电机线圈电流混合衰减模式下的快衰时间和慢衰时间。逻辑及前级驱动电路的输出信号控制H桥输出级,使得感性负载处于充电或衰减阶段。本发明的混合衰减控制电路提高了电流的控制精度,增加了系统稳定性,降低了PCB印刷电路板的设计难度和设计成本。
【专利说明】—种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路
【技术领域】
[0001 ] 本发明涉及一种混合衰减控制电路,尤其涉及一种电机驱动芯片中的电机线圈电流的混合衰减控制电路。
【背景技术】
[0002]目前的电机特别是步进电机,为了实现斩波恒流驱动,需要对线圈中的电流进行检测,当达到设定的电流时,驱动电路将控制线圈电流进入衰减阶段。目前,控制电流衰减的模式有三种:慢衰减模式、快衰减模式和混合衰减模式。慢衰减模式下,线圈两端电压差基本为0,电流衰减很慢,周期很长,引入较大的可闻噪声;同时在设置电流下降时,线圈中的实际电流常常大于设置值,引起电机角度细分功能失效而不能准确定位。快衰减模式下, 线圈两端电压差为电源电压,即地到电源间的电压,电流衰减很快,衰减和再充电的频率很高,开关损耗很大,并且平均电流值低,电机扭力小。在混合衰减模式(在衰减阶段,一部分时间采用快衰减,余下的时间采用慢衰减)下,通过合理设置总的衰减时间和快、慢衰减时间的比例,可以解决单独使用快衰减模式或慢衰减模式时出现的问题。
[0003]目前,传统的实现混合衰减控制的电路如图1,Vd, CT为芯片管脚,Vrl、Vr2、VREF 为固定电压,可内置,也可外接。CT脚外接电容和电阻。
[0004]当电机线圈开始充电时,开关Ol导通,开关0 2关断,内部电路对CT电容快速充电到Vrl并维持。此时如图2所示,充电阶段的电流路径001:电源VM、功率左上管、线圈、功
率右下管、检流电阻SENSE和地。待线圈电流L达到由VREF和检流电阻的设定值
【权利要求】
1.一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其特征在于,包括逻辑及前级驱动电路、 比较器、延时电路、震荡器、计数器、电流检测电路及H桥输出级、感性负载、第一触发器和第二触发器;所述H桥输出级包括4个功率器件、电源(VM),4个所述功率器件串行连接,并且两两对称,所述电源(VM)连接在2个顶部对称的所述功率器件之间,在2个底部对称的所述功率器件之间的节点(A)处分别连接所述电流检测电路和所述比较器的第一输入端;所述H桥输出级的输出端(OUTA、OUTB)与所述感性负载连接;所述比较器的第二输入端是基准电压(VREF),所述比较器的输出端与所述延时电路的输入端连接;所述延时电路的输出端(CS)分别与所述震荡器、所述计数器、所述第一触发器和所述第二触发器的复位端连接;所述震荡器的输出端与所述计数器的输入端连接;所述计数器的输出端(Tsd)与所述第一触发器的触发端连接;所述计数器的输出端(Toff )与所述第二触发器的触发端连接;所述逻辑及前级驱动电路有2个输入端,4个输出端,所述第一触发器的输出端和所述第二触发器的输出端分别与所述逻辑及前级驱动电路的2个输入端连接,所述逻辑及前级驱动电路的4个输出端分别与所述H桥输出级的4个所述功率器件连接;所述第一触发器和所述第二触发器选用RS触发器。
2.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述H桥输出级的4个所述功率器件采用MOS管或场效应管。
3.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述感性负载包括所述电机的线圈(U。
4.如权利要求3所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述电流检测电路包括检流电阻(SENSE )。
5.如权利要求4所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述电机线 VREF圈电流等于时,所述电机线圈开始进入衰减阶段。`Ksense
6.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述第一触发器、所述第二触发器、所述H桥输出级、所述震荡器、所述计数器、所述逻辑及前级驱动电路、所述比较器和所述延时电路集成在所述电机驱动芯片上。
7.如权利要求1所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述第一触发器、所述第二触发器、所述震荡器、所述计数器、所述逻辑及前级驱动电路、所述比较器和所述延时电路集成在所述电机驱动芯片上,所述H桥输出级位于所述电机驱动芯片外。
8.如权利要求7或8所述的一种电机驱动芯片中的混合衰减控制电路,其中,所述电流检测电路集成在所述电机驱动芯片上,或者位于所述电机驱动芯片外。
【文档编号】H02P8/12GK103607151SQ201310645597
【公开日】2014年2月26日 申请日期:2013年12月3日 优先权日:2013年12月3日
【发明者】夏存宝, 王良坤, 朱铁柱, 张明星, 陈路鹏, 黄武康 申请人:嘉兴中润微电子有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1