一种基于场效应管的新型h桥电路的制作方法
【专利摘要】本实用新型公开了一种基于场效应管的新型H桥电路，包括P沟道场效应管Q1和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4；Q1和Q2构成左桥臂，Q3和Q4构成右桥臂；Q1和Q3的S极均连接到电源正端；Q1和Q2的D极对接，Q3和Q4的D极对接；Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地；Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端；Q2的G极通过第一电容(C1)接地；Q4的G极通过第二电容(C2)接地。该基于场效应管的新型H桥电路设计巧妙，能有效防止场效应管损坏，工作时可靠性高。
【专利说明】一种基于场效应管的新型H桥电路
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种基于场效应管的新型H桥电路。
【背景技术】
[0002]采用半导体三极管构成的H桥电路如图(I)所示。如果用场效应管代替三极管构成的H桥电路是一种低电压、低成本直流电机驱动电路，这种电路在转换时常常出现同侧桥臂先导通、后截止的现象会导致场效应管损坏，影响H桥寿命。因此有必要设计一种新型基于场效应管的H桥电路。
实用新型内容
[0003]本实用新型所要解决的技术问题是提供一种基于场效应管的新型H桥电路，该基于场效应管的新型H桥电路设计巧妙，能有效防止场效应管损坏，工作时可靠性高。
[0004]实用新 型的技术解决方案如下:
[0005]一种基于场效应管的新型H桥电路，包括P沟道场效应管Ql和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4 ；Q1和Q2构成左桥臂，Q3和Q4构成右桥臂；Q1和Q3的S极均连接到电源正端；Q1和Q2的D极对接，Q3和Q4的D极对接；Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地；Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端；其特征在于:
[0006]Q2的G极通过第一电容(Cl)接地；Q4的G极通过第二电容(C2)接地。
[0007]在所述的两个输出端之间还并接有两条续流支路；
[0008]其中一条续流支路由第一电阻(R6)和第一二极管(Dl)串联而成；另一条续流支路由第二电阻(R7)和第二二极管(D2)串联而成；
[0009]第一二极管(Dl)的负极和第二二极管(D2)均接Q4的D极。【即第一二极管(Dl)的负极和第二二极管(D2)接线方向相反】
[0010]第一电容(Cl)和第二电容(C2)均为0.1微法。
[0011]有益效果:
[0012]本实用新型的基于场效应管的新型H桥电路，通过在下场效应管栅极并联电容，从而增大下场效应管栅极时间常数，达到MOS管截止快、导通慢的目的，提高H桥场效应管使用寿命。
[0013]另外，还在所述的两个输出端之间还并接有两条基于二极管和限流电阻的续流支路，避免马达的反电动势的危害，保护直流电机和其他器件的正常工作，经实践证明，本方案安全有效，可靠性高。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为现有的H桥电路的原理图；
[0015]图2为基于场效应管的新型H桥电路的原理图。【具体实施方式】
[0016]以下将结合附图和具体实施例对本实用新型做进一步详细说明:
[0017]实施例1:
[0018]如图2，一种基于场效应管的新型H桥电路，包括P沟道场效应管Ql和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4 ；Q1和Q2构成左桥臂，Q3和Q4构成右桥臂；Q1和Q3的S极均连接到电源正端；Q1和Q2的D极对接，Q3和Q4的D极对接；Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地；Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端；其特征在于:
[0019]Q2的G极通过第一电容(Cl)接地；Q4的G极通过第二电容(C2)接地。
[0020]在所述的两个输出端之间还并接有两条续流支路；
[0021]其中一条续流支路由第一电阻(R6)和第一二极管(Dl)串联而成；另一条续流支路由第二电阻(R7)和第二二极管(D2)串联而成；
[0022]第一二极管(Dl)的负极和第二二极管(D2)均接Q4的D极。【即第一二极管(Dl)的负极和第二二极管(D2)接线方向相反】；
[0023]第一电容 (Cl)和第二电容(C2)均为0.1微法。
[0024]Jl为直流电机接口，可外接直流电机。4个三极管为外围的辅助电路，不属于基于场效应管的新型H桥电路，特此说明。
【权利要求】
1.一种基于场效应管的新型H桥电路，包括P沟道场效应管Ql和Q3以及N沟道型场效应管Q2和Q4 ；Q1和Q2构成左桥臂，Q3和Q4构成右桥臂；Q1和Q3的S极均连接到电源正端；Q1和Q2的D极对接，Q3和Q4的D极对接；Q2和Q4的S极均通过下拉电阻接地；Q2的D极和Q4的D极分别为新型H桥电路的两个输出端；其特征在于: Q2的G极通过第一电容接地；Q4的G极通过第二电容接地。
2.根据权利要求1所述的基于场效应管的新型H桥电路，其特征在于，在所述的两个输出端之间还并接有两条续流支路； 其中一条续流支路由第一电阻和第一二极管串联而成；另一条续流支路由第二电阻和第二二极管串联而成； 第一二极管的负极和第二二极管均接Q4的D极。
3.根据权利要求1或2所述的基于场效应管的新型H桥电路，其特征在于，第一电容和第二电容均为0.1微法。
【文档编号】H02P7/28GK203708158SQ201320881422
【公开日】2014年7月9日 申请日期:2013年12月30日 优先权日:2013年12月30日
【发明者】刘卫, 李跃飞, 侯小毛 申请人:湖南信息科学职业学院