1.一种功率因数改善电路，能切换动作模式，其特征在于，具备：
第1输入端子和第2输入端子，其用于输入输入电压；
第1输出端子和第2输出端子；
线圈；
开关电路，其与上述线圈协作，对上述输入电压进行升压，生成升压电压；
第1电容器，其一端连接到上述第1输出端子，另一端连接到中间节点；以及
第2电容器，其一端连接到上述中间节点，另一端连接到上述第2输出端子，
在第1动作模式中，当上述第1输入端子的电位高于上述第2输入端子的电位时，将上述升压电压施加到上述第1电容器的两端而使得一端的电位高于另一端的电位，
在第1动作模式中，当上述第1输入端子的电位低于上述第2输入端子的电位时，将上述升压电压施加到上述第2电容器的两端而使得一端的电位高于另一端的电位，
在第2动作模式中，将上述升压电压施加到串联连接的上述第1电容器和上述第2电容器的两端而使得上述第1电容器的一端的电位高于上述第2电容器的另一端的电位。
2.根据权利要求1所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述开关电路是双向开关，包含：
第1晶体管，其连接到第1节点与连接节点之间；以及
第2晶体管，其连接到上述连接节点与第2节点之间，
上述功率因数改善电路还具备：
模式切换电路，其一端连接到上述第2节点，另一端连接到上述中间节点，在第1动作模式中为导通状态，在第2动作模式中为截止状态；
第1整流元件，其连接到上述第1节点与上述第1电容器的一端之间而使得电流从上述第1节点侧流过来；
第2整流元件，其连接到上述第1节点与上述第2电容器的另一端之间而使得电流流向上述第1节点侧；
第3整流元件，其连接到上述第2节点与上述第1电容器的一端之间而使得电流从上述第2节点侧流过来；以及
第4整流元件，其连接到上述第2节点与上述第2电容器的另一端之间而使得电流流向上述第2节点侧，
上述线圈连接到上述第1输入端子与上述第1节点之间以及上述第2输入端子与上述第2节点之间中的至少一方。
3.根据权利要求2所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有连接到上述第1节点的源极端子和连接到上述连接节点的漏极端子的MOSFET或者HEMT，
上述第2晶体管是具有连接到上述连接节点的漏极端子和连接到上述第2节点的源极端子的MOSFET或者HEMT。
4.根据权利要求2所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有连接到上述第1节点的发射极端子和连接到上述连接节点的集电极端子的IGBT或者双极晶体管，
上述第2晶体管是具有连接到上述连接节点的集电极端子和连接到上述第2节点的发射极端子的IGBT或者双极晶体管。
5.根据权利要求2所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有连接到上述第1节点的漏极端子和连接到上述连接节点的源极端子的MOSFET或者HEMT，
上述第2晶体管是具有连接到上述连接节点的源极端子和连接到上述第2节点的漏极端子的MOSFET或者HEMT。
6.根据权利要求2所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有连接到上述第1节点的集电极端子和连接到上述连接节点的发射极端子的IGBT或者双极晶体管，
上述第2晶体管是具有连接到上述连接节点的发射极端子和连接到上述第2节点的集电极端子的IGBT或者双极晶体管。
7.根据权利要求2～6中的任一项所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第3整流元件是具有连接到上述第1电容器的一端的漏极端子和连接到上述第2节点的源极端子的MOSFET，
上述第4整流元件是具有连接到上述第2节点的漏极端子和连接到上述第2电容器的另一端的源极端子的MOSFET。
8.根据权利要求2～7中的任一项所述的功率因数改善电路，其特征在于，还具备：
第3电容器，其连接到上述第2节点与上述第1电容器的一端之间，与上述第3整流元件并联连接；以及
第4电容器，其连接到上述第2节点与上述第2电容器的另一端之间，与上述第4整流元件并联连接，
从上述第1节点经由上述第3电容器到达上述第2节点的配线路径比从上述第1节点经由上述第3整流元件到达上述第2节点的配线路径短，
从上述第2节点经由上述第4电容器到达上述第1节点的配线路径比从上述第2节点经由上述第4整流元件到达上述第1节点的配线路径短。
9.根据权利要求1所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述开关电路包含：
第1晶体管，其连接到第1节点与第2节点之间；以及
第2晶体管，其连接到上述第2节点与第3节点之间，
上述功率因数改善电路还具备：
模式切换电路，其一端连接到上述第2节点，另一端连接到上述中间节点，在第1动作模式中为导通状态，在第2动作模式中为截止状态；
第1整流元件，其连接到上述第1节点与上述第1电容器的一端之间而使得电流从上述第1节点侧流过来；
第2整流元件，其连接到上述第3节点与上述第2电容器的另一端之间而使得电流流向上述第3节点侧；
第3整流元件，其连接到上述第1节点与第4节点之间而使得电流流向上述第1节点侧；以及
第4整流元件，其连接到上述第3节点与上述第4节点之间而使得电流从上述第3节点侧流过来，
上述线圈连接到上述第2输入端子与上述第2节点之间以及上述第1输入端子与上述第4节点之间中的至少一方。
10.根据权利要求9所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有连接到上述第1节点的漏极端子和连接到上述第2节点的源极端子的MOSFET或者HEMT，
上述第2晶体管是具有连接到上述第2节点的漏极端子和连接到上述第3节点的源极端子的MOSFET或者HEMT。
11.根据权利要求9所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有连接到上述第1节点的集电极端子和连接到上述第2节点的发射极端子的IGBT或者双极晶体管，
上述第2晶体管是具有连接到上述第2节点的集电极端子和连接到上述第3节点的发射极端子的IGBT或者双极晶体管。
12.根据权利要求1～11中的任一项所述的功率因数改善电路，
还具备控制电路，上述控制电路在上述输入电压低于第1阈值时将动作模式切换为第1动作模式，在上述输入电压高于上述第2阈值时将动作模式切换为第2动作模式。
13.根据权利要求1～12中的任一项所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述模式切换电路是包含源极端子相互连接的第1MOSFET和第2MOSFET的双向开关，
上述第1MOSFET的漏极端子连接到上述第2节点，
上述第2MOSFET的漏极端子连接到上述中间节点。
14.根据权利要求1～12中的任一项所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述模式切换电路是包含漏极端子相互连接的第1MOSFET和第2MOSFET的双向开关，
上述第1MOSFET的源极端子连接到上述第2节点，
上述第2MOSFET的源极端子连接到上述中间节点。
15.一种电源装置，其特征在于，具备：
权利要求1～14中的任一项所述的功率因数改善电路；以及
DC/DC转换器。
16.一种功率因数改善电路，其特征在于，具备：
第1输入端子和第2输入端子；
第1输出端子和第2输出端子；
线圈；
双向开关，其包含反向串联连接的第1晶体管和第2晶体管，一端连接到第1节点，另一端连接到第2节点；
第1电容器，其一端连接到上述第1输出端子，另一端连接到上述第2节点；
第2电容器，其一端连接到上述第2节点，另一端连接到上述第2输出端子；
第1整流元件，其连接到上述第1节点与上述第1电容器的一端之间而使得电流从上述第1节点侧流过来；以及
第2整流元件，其连接到上述第1节点与上述第2电容器的另一端之间而使得电流流向上述第1节点侧，
在上述第1输入端子和上述第2输入端子之间具有经由上述线圈和上述双向开关的电流路径，
上述线圈连接到上述第1输入端子与上述第1节点之间以及上述第2节点与上述第2输入端子之间中的至少一方。
17.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有漏极端子和连接到上述第2节点的源极端子的MOSFET或者HEMT，
上述第2晶体管是具有连接到上述第1晶体管的漏极端子的漏极端子和连接到上述第1节点的源极端子的MOSFET或者HEMT。
18.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有源极端子和连接到上述第1节点的漏极端子的MOSFET或者HEMT，
上述第2晶体管是具有连接到上述第1晶体管的源极端子的源 极端子和连接到上述第2节点的漏极端子的MOSFET或者HEMT。
19.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有集电极端子和连接到上述第2节点的发射极端子的IGBT或者双极晶体管，
上述第2晶体管是具有连接到上述第1晶体管的集电极端子的集电极端子和连接到上述第1节点的发射极端子的IGBT或者双极晶体管。
20.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述第1晶体管是具有发射极端子和连接到上述第1节点的集电极端子的IGBT或者双极晶体管，
上述第2晶体管是具有连接到上述第1晶体管的发射极端子的发射极端子和连接到上述第2节点的集电极端子的IGBT或者双极晶体管。
21.根据权利要求17～20中的任一项所述的功率因数改善电路，其特征在于，
在上述第1输入端子的电位高于上述第2输入端子的电位时，上述第1晶体管启动，在上述第1输入端子的电位低于上述第2输入端子的电位时，上述第2晶体管启动。
22.根据权利要求21所述的功率因数改善电路，其特征在于，
在上述第1输入端子的电位高于上述第2输入端子的电位时，将上述第2晶体管控制为导通状态，在上述第1输入端子的电位低于上述第2输入端子的电位时，将上述第1晶体管控制为导通状态。
23.根据权利要求17～20中的任一项所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述双向开关还包含与上述第1晶体管及第2晶体管反向并联连接的整流元件。
24.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述线圈连接到上述第1输入端子与上述第1节点之间。
25.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述线圈连接到上述第2节点与上述第2输入端子之间。
26.根据权利要求16所述的功率因数改善电路，其特征在于，
上述线圈连接到上述第1输入端子与上述第1节点之间并且连接到上述第2节点与上述第2输入端子之间。
27.一种功率因数改善电路，其特征在于，具备：
第1输入端子和第2输入端子；
第1输出端子和第2输出端子；
线圈；
第1双向开关，其包含反向串联连接的第1晶体管和第2晶体管，一端连接到第1节点，另一端连接到第2节点；
第1电容器，其一端连接到上述第1输出端子，另一端连接到第3节点；
第2电容器，其一端连接到上述第3节点，另一端连接到上述第2输出端子；
第2双向开关，其连接到上述第2节点与上述第3节点之间；
第1整流元件，其连接到上述第1节点与上述第1电容器的一端之间而使得电流从上述第1节点侧流过来；
第2整流元件，其连接到上述第1节点与上述第2电容器的另一端之间而使得电流流向上述第1节点侧；
第3整流元件，其连接到上述第2节点与上述第1电容器的一端之间而使得电流从上述第2节点侧流过来；以及
第4整流元件，其连接到上述第2节点与上述第2电容器的另一端之间而使得电流流向上述第2节点侧，
在上述第1输入端子和上述第2输入端子之间具有经由上述线圈和上述第1双向开关的电流路径，
上述线圈连接到上述第1输入端子与上述第1节点之间以及上述第2节点与上述第2输入端子之间中的至少一方。
28.一种电源装置，其特征在于，具备：
权利要求16～27中的任一项所述的功率因数改善电路；以及
DC/DC转换器。