1.一种逆变器装置，利用与功率半导体模块接合的冷却器的冷却面和逆变器框体将包含所述功率半导体模块以及逆变器电路模块的逆变器电路封闭，该逆变器电路模块包含无源元器件，其特征在于，
所述冷却器的冷却面上形成密闭绝热层，且该密闭绝热层的厚度设为最大对流抑制距离以下。
2.如权利要求1所述的逆变器装置，其特征在于，所述密闭绝热层为空气层。
3.如权利要求1或2所述的逆变器装置，其特征在于，所述密闭绝热层中的多个所述密闭绝热层配置有多层。
4.如权利要求1至3的任一项所述的逆变器装置，其特征在于，所述密闭绝热层形成为覆盖所述功率半导体模块。
5.如权利要求1至4的任一项所述的逆变器装置，其特征在于，以封闭方式形成所述密闭绝热层的部件的材料具有能弯曲的厚度或材质。
6.如权利要求1至5的任一项所述的逆变器装置，其特征在于，以封闭方式形成所述密闭绝热层的部件的材料为树脂。
7.如权利要求1至5的任一项所述的逆变器装置，其特征在于，以封闭方式形成所述密闭绝热层的部件的材料为铝，且表面进行了耐酸铝处理。
8.如权利要求1至7的任一项所述的逆变器装置，其特征在于，以封闭方式形成所述密闭绝热层的部件的材料以及形成所述逆变器框体的材料的表面辐射率为0.8以上。
9.如权利要求1至8的任一项所述的逆变器装置，其特征在于，所述功率半导体模块内的功率半导体元件为宽带隙半导体元件。