1.一种基于过压保护的低干扰臭氧发生器用驱动电路，其特征在于：主要由单向晶闸管VS，振荡芯片U，场效应管MOS，三极管VT1，三极管VT2，变压器T，臭氧管G，放大器P，正极经二极管D1后与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与单向晶闸管VS的N极相连接的电容C1，正极与单向晶闸管VS的控制端相连接、负极与电容C1的负极相连接的电容C2，N极经熔断器FU后与电容C1的负极共同形成电源输入端、P极顺次经电阻R1和电阻R2后与电容C1的负极相连接的稳压二极管D2，正极与振荡芯片U的RE管脚相连接、负极与振荡芯片U的GND管脚相连接的电容C3，正极与电容C3的负极相连接、负极与电容C3的负极相连接的电容C4，正极顺次经电阻R4和电阻R3后与电容C3的正极相连接、负极与电容C4的负极相连接的电容C5，正极与控制芯片U的CONT管脚相连接、负极与电容C5的负极相连接的电容C6，正极与振荡芯片U的OUT管脚相连接、负极经电阻R7后与放大器P的负极相连接的电容C7，正极与电容C7的负极相连接、负极与放大器P的负极相连接的电容C9，正极与放大器P的负极相连接、负极经电阻R6后与电容C9的负极相连接的电容C8，N极经电阻R7后与放大器P的输出端相连接、P极与三极管VT2的基极相连接的二极管D3，一端与振荡芯片U的VCC管脚相连接、另一端经电阻R9后与电容C6的负极相连接的电阻R8，串接在振荡芯片U的VCC管脚和场效应管MOS的漏极之间的电阻R10，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极与三极管VT2的基极相连接的二极管D4，串接三极管VT1的基极和电容C6的负极之间的电阻R11，以及串接在三极管VT1的发射极和电容C6的负极之间的电阻R12组成；所述臭氧管G串接在变压器T的副边电感线圈的同名端和非同名端之间；所述三极管VT2的集电极与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接，其发射极与电容C6的负极相连接，其基极与三极管VT1的发射极相连接；所述三极管VT1的基极与场效应管MOS的源极相连接，基集电极与振荡芯片U的VCC管脚相连接；所述放大器P的输出端分别与场效应管MOS的栅极和电容C8的负极相连接，其正极与其输出端相连接；所述振荡芯片U的RE管脚与其VCC管脚相连接，其DIS管脚与电阻R1和电阻R4的连接点相连接，其TRI管脚和THRE管脚均与电容C5的正极相连接，GND管脚接地，VCC管脚与变压器T的原边电感线圈的同名端相连接；所述单向晶闸管VS的P极与振荡芯片U的RE管脚相连接、其N极与振荡芯片U的GND管脚相连接。
2.根据权利要求1所述的一种基于过压保护的低干扰臭氧发生器用驱动电路，其特征在于：所述振荡芯片U为NE555集成芯片。