1.一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于，包括电源变换电路(1)、储能电路(2)、隔离式高频变换输出电路(3)、信号控制器(4)、电极(5)和电源(6)，所述电源(6)的输出端与电源变换电路(1)连接，该电源变换电路(1)依次通过储能电路(2)、隔离式高频变换输出电路(3)与电极(5)连接，所述信号控制器(4)分别与储能电路(2)、隔离式高频变换输出电路(3)的控制输入端连接，所述信号控制器(4)从而控制隔离式高频变换输出电路(3)的脉冲输出信号使电极(5)进行放电。
2.根据权利要求1所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于，所述电源变换电路(1)为一路，或为两路以上并行连接，所述隔离式高频变换输出电路(3)为一路，或为两路以上并行连接，通过一路或两路以上的电源变换电路(1)与一路或两路以上的储能电路(2)进行连接，所述储能电路(2)与一路或两路以上的隔离式高频变换输出电路(3)进行连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于，所述电源变换电路(1)包括脉宽调制电路(100)、升压电路(101)、滤波电路(102)和整流电路(103)，电源6)通过所述脉宽调制电路(100)的信号输出端与升压电路(101)的控制端连接，该升压电路(101)的输出端依次通过所述滤波电路(103)、整流电路(102)与储能电路(2)连接, 所述电源(6)还与所述升压电路(101)、滤波电路(102)的输入端连接。
4.根据权利要求3所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于, 所述脉宽调制电路(100)包括PWM控制器(IC1)、电阻R1、电阻R2、电阻R3、可调电阻R4、电阻R5、电容C1和电容C2，所述升压电路(101)包括场效应Q1、场效应Q2和升压变压器T1，所述储能电路(2)包括电容C3和电容C4，所述整流电路(102)包括二极管D1和二极管D2，所述电阻R1的一端与PWM控制器(IC1)的振荡放电输出端(DIS)连接，所述电阻R2的一端与PWM控制器(IC1)的振荡定时电阻输入端(RT)连接，电容C1的一端与PWM控制器(IC1)的振荡定时电容输入端(CT)连接,所述电阻R1的另一端、电阻R2的另一端和电容C1的另一端都与地连接，所述电阻R3的一端、可调电阻R4的一端、可调电阻R4的中心抽头都与PWM控制器(IC1)反相误差输入端(INV)连接，可调电阻R4的另一端与地连接，所述PWM控制器(IC1)的第一互补输出端(OUTA)与场效应管Q1的栅极连接，PWM控制器(IC1)的第二互补输出端(OUTB)与场效应管Q2的栅极连接，所述场效应管Q1的漏极与升压变压器T1原边抽头的一端连接，该场效应管Q1的源极分别与PWM控制器(IC1)的外部关断信号输入端(SD)、电阻R5的一端、场效应管Q2的源极连接，所述电阻R5的另一端与地连接，所述场效应管Q2的漏极与升压变压器T1原边抽头的另一端连接，升压变压器T1的中心抽头分别与所述电源(6)的输入端、滤波电路(103)连接，所述升压变压器T1副边抽头的一端分别与二极管D1的阳极、二极管D2的阴极连接，所述升压变压器T1副边抽头的另一端分别与电容C3的负极、电容C4的正极连接，所述电容C3的正极分别与电阻R3的另一端、二极管D1的阴极、隔离式高频变换输出电路(3)的输入端连接，所述电容C4的负极与地连接, 所述PWM控制器(IC1)的电容输入端(SS)与信号控制器(4)的输入/输出控制端(I/O)口连接。
5.根据权利要求4所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于,所述电源(6)为0～36V的直流电压，频率为30～100kHz。
6.根据权利要求4所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于,所述PWM控制器(IC1)输出的频率为50kHz的方波脉冲信号，该PWM控制器(IC1)采用的型号为SG3525芯片。
7.根据权利要求4所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于, 所述电容C3、电容C4的容值不低于2200μF,耐压值不低于450V。
8.根据权利要求1或4所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于,所述隔离式高频变换输出电路(3)包括高速脉宽调制控制器(IC2)、第一数字隔离驱动器(IC3)、第二数字隔离驱动器(IC4)、第一功率放大器(QA)、第二功率放大器(QB)、第三功率放大器(QC)、第四功率放大器(QD)和隔离变压器T2, 所述第一数字隔离驱动器(IC3)的使能端(EN1)、第二数字隔离驱动器(IC4)的使能端(EN2)分别与信号控制器(4)的输入/输出控制端(I/O)口连接，所述高速脉宽调制控制器(IC2)的第一输互补输出端(OUTA1)与第一数字隔离驱动器(IC3)的第一输入端(VIA1)、第二数字隔离驱动器(IC4)的第二输入端(VIB2)连接，所述高速脉宽调制控制器(IC2)的第二互补输出端(OUTB2)与第一数字隔离驱动器(IC3)的第二输入端(VIB2)、第二数字隔离驱动器(IC4)的第一输入端(VIA2)连接；
所述第一功率放大器(QA)的漏极、第三功率放大器(QC)的漏极与所述储能电路(2)的输出端连接，第一功率放大器(QA)栅极与第一数字隔离驱动器(IC3)的第一驱动输出端(VOA1)连接，第一功率放大器(QA)的源极与地连接,第二功率放大器(QB)的栅极与第一数字隔离驱动器(IC3)的第二驱动输出端(VOB1)连接，第二功率放大器(QB)的源极与地连接，第三功率放大器(QC)的栅极与第二数字隔离驱动器(IC4)的第一驱动输出端(VOA2)连接，所述第四功率放大器(QD)的栅极与第二数字隔离驱动器(IC4)的第二驱动输出端(VOB2)连接, 所述第四功率放大器(QD)的源极与地连接，所述第一功率放大器(QA)的源极、第二功率放大器(QB)的漏极与隔离变压器T2原边的一抽头连接，所述第三功率放大器(QC)的源极、第四功率放大器(QD)的漏极与隔离变压器T2原边的另一抽头连接，所述隔离变压器T2副边的一抽头与电极(5)的正极连接，所述隔离变压器T2副边的另一抽头与电极(5)的负极连接。
9.根据权利要求8所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于,所述第一数字隔离驱动器(IC3)、第二数字隔离驱动器(IC4)采用型号为Si82390芯片，所述高速脉宽调制控制器(IC2)采用的型号为UC3825控制芯片，所述第一功率放大器(QA)、第二功率放大器(QB)、第三功率放大器(QC)、第四功率放大器(QD)采用碳化硅功率MOSFET管或IGBT功率管，该碳化硅功率MOSFET管或IGBT功率管的击穿电压为1200V。
10.根据权利要求8所述的一种高频不可逆电穿孔仪，其特征在于,所述碳化硅功率MOSFET管采用的型号为C2M0025D120功率管。