一种LED的欠压保护电路的制作方法

文档序号:11233584阅读:393来源:国知局

技术领域:

本发明涉及一种电子电路,特别涉及一种led的欠压保护电路。



背景技术:

应急工业灯常常遇到突发停电等情况,需要设置镍氢等可充电电池,因此对过欠压保护具有较高的要求。现有技术的欠压保护电路通常使用较多电容元件,由于电容每一次充放电会带来更大负载,同时电容还会产生寄生电感,从而降低电路的滤波效果,影响电路稳定性。



技术实现要素:

(一)解决的技术问题

为了解决上述问题,本发明提供了一种led的欠压保护电路,避免了电容元件的使用。

(二)技术方案

一种led的欠压保护电路,包括电阻r1~r4、稳压二极管d5、二极管d6、第一三极管q1和第二三极管q2、以及可控硅开关s;所述第一三极管q1的基极分别与所述稳压二极管d5的正端和所述电阻r1的一端连接,所述第一三极管q1的集电极分别与所述稳压二极管d5的负端和所述第二三极管q2的发射极连接,所述第一三极管q1的发射极分别与所述可控硅开关s的门极和所述电阻r2的一端连接;所述第二三极管q2的基极与所述稳压管d6的负端连接,所述第二三极管q2的集电极接负载;所述稳压管d6的正端分别与所述电阻r3和所述电阻r4的一端连接,所述电阻r1~r4的另一端都接地。

进一步的,所述第一三极管q1为npn型三极管,所述第二三极管q2为pnp型三极管。

(三)有益效果

本发明提供了一种led的欠压保护电路,避免了电容元件的使用,提升了电路的稳定性,电路更加简洁,反应更加灵敏。

附图说明:

图1为本发明所涉及的一种led的欠压保护电路原理图。

具体实施方式:

下面结合附图对本发明所涉及的实施例做进一步详细说明。

如图1所示,一种led的欠压保护电路,包括电阻r1~r4、稳压二极管d5、二极管d6、第一三极管q1和第二三极管q2、以及可控硅开关s;第一三极管q1的基极分别与稳压二极管d5的正端和电阻r1的一端连接,第一三极管q1的集电极分别与稳压二极管d5的负端和第二三极管q2的发射极连接,第一三极管q1的发射极分别与可控硅开关s的门极和电阻r2的一端连接;第二三极管q2的基极与稳压管d6的负端连接,第二三极管q2的集电极接负载;稳压管d6的正端分别与电阻r3和电阻r4的一端连接,电阻r1~r4的另一端都接地。第一三极管q1为npn型三极管,第二三极管q2为pnp型三极管。

ac市电经过二极管d1~d4和电容c1组成的桥式整流滤波电路,输出半正弦波直流电压。当输入ac市电正常,第一三极管q1的基极电位较高,故其发射极的电位也较高,可控硅开关s导通,因此第二三极管q2导通,输出端的负载正常工作。当输入ac市电异常时,第一三极管q1的基极电位变低,导致发射极的电位也随着变低,可控硅开关s关断,使第二三极管q2截止,切断了对负载的供电。

本发明提供了一种led的欠压保护电路,避免了电容元件的使用,提升了电路的稳定性,电路更加简洁,反应更加灵敏。

上面所述的实施例仅仅是对本发明的优选实施方式进行描述,并非对本发明的构思和范围进行限定。在不脱离本发明设计构思的前提下,本领域普通人员对本发明的技术方案做出的各种变型和改进,均应落入到本发明的保护范围,本发明请求保护的技术内容,已经全部记载在权利要求书中。



技术特征:

技术总结
本发明提供了一种LED的欠压保护电路,包括电阻R1~R4、稳压二极管D5、二极管D6、第一三极管Q1和第二三极管Q2、以及可控硅开关S;第一三极管Q1的基极分别与稳压二极管D5的正端和电阻R1的一端连接,第一三极管Q1的集电极分别与稳压二极管D5的负端和第二三极管Q2的发射极连接,第一三极管Q1的发射极分别与可控硅开关S的门极和电阻R2的一端连接;第二三极管Q2的基极与稳压管D6的负端连接,第二三极管Q2的集电极接负载;稳压管D6的正端分别与电阻R3和所述电阻R4的一端连接,电阻R1~R4的另一端都接地。本发明避免了电容元件的使用,提升了电路的稳定性,电路更加简洁,反应更加灵敏。

技术研发人员:施卫杰
受保护的技术使用者:湖州灵感电子科技有限公司
技术研发日:2017.06.30
技术公布日:2017.09.08
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