控制至少两个晶体管的方法和包括至少两个晶体管的装置与流程

本公开的实施例涉及至少两个晶体管的有效切换。

技术实现要素：

第一实施例涉及一种包括至少两个晶体管的装置，每个晶体管都包括电流路径和控制端子，

-其中，至少两个晶体管的电流路径并联布置，

-其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点。

第二实施例涉及一种用于控制至少两个晶体管的方法，其中，每个晶体管都包括电流路径和控制端子，其中，至少两个晶体管的电流路径并联布置，其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点，所述方法包括：

-向控制节点施加控制信号以顺次切换至少两个晶体管。

附图说明

参考附图示出并说明实施例。附图用于示出基本原理，使得仅示出用于理解基本原理所必需的方面。附图不是按比例绘制的。在附图中，相同的附图标记表示相似的特征。

图1示出了包括栅极端子、漏极端子和源极端子的示例性部件，其允许顺次切换两个mosfet；

图2示出了包括四个mosfet的示例性部件，该四个mosfet并联布置并且经由被施加于部件的栅极端子的单个控制信号而被顺次控制；

图3示出了mosfet的可视化导通特性，特别是米勒(miller)平台；

图4是基于图1所示的电路的替选电路图，其特别地支持仅激活mosfetm2的动态模式、仅激活mosfetm1的静态模式以及激活mosfetm1和m2两者的静态模式；

图5示出了图4的电路中的电压和电流的信号图，其中，在动态模式下，栅极端子至少部分地利用关断持续时间总计100μs的振荡信号来被控制；

图6示出了图4的电路中的电压和电流的信号图，其中，在动态模式下，栅极端子至少部分地利用关断持续时间总计10μs的振荡信号来被控制。

具体实施方式

存在利用彼此并联布置或连接的mosfet的效应的许多应用。控制mosfet使得不是所有mosfet都同时切换(导通或关断)也是一个动机。可以控制并联布置的mosfet中的至少两个，使得它们一个接一个地顺次切换(导通或关断)。

这允许在导通持续时间或关断持续时间期间控制米勒(miller)平台，并且允许保持mosfet的安全工作区域(soa)。

然而，为了单独地控制mosfet，mosfet的栅极可能必须被不同地控制。

为了单独地控制若干个mosfet，可以生成栅极信号并将其提供给每个mosfet的栅极。这可能需要用于每个mosfet的栅极驱动器、栅极连接、栅极引脚和栅极接合线。然而，附加部件会产生附加空间并且因此导致附加成本和额外的负担。

根据本文提供的示例，可以使用单个栅极信号来控制多于一个的mosfet。因此，特别地，可以经由这样的栅极信号来有效地控制并联布置的若干个mosfet。这种方法使得能够降低电路的总体成本。作为另一优点，可以在壳体和/或集成电路内实现彼此并联布置的若干个mosfet。

图1示出了包括栅极端子101、漏极端子102和源极端子103的示例性部件100。

栅极端子101经由二极管d1连接至mosfetm2的栅极，其中二极管d1的阴极指向mosfetm2的栅极。二极管d2被布置成与二极管d1反并联，即二极管d2的阴极指向栅极端子101。

栅极端子101连接至mosfetm1的栅极。mosfetm1的漏极连接至漏极端子102，并且mosfetm1的源极连接至源极端子103。mosfetm2的漏极连接至漏极端子102，并且mosfetm2的源极连接至源极端子103。

与mosfetm1的栅极处的电位相比，在mosfetm2的栅极处，彼此反并联布置的二极管d1和d2导致总计0.7v的电压差。因此，施加于栅极端子101的电压使得能够控制两级导通：第一级是mosfetm1，并且在增加0.7v之后，导通mosfetm2。

图3示出了mosfet的可视化导通特性，特别是米勒平台的图。如果mosfet的栅极由电流源充电，则mosfet的栅极-源极电压基本保持在所谓的米勒平台上

其中，

其中，

ids是漏极-源极电流，

vth是mosfet的阈值电压，

w是mosfet的沟道的宽度，

l是mosfet的沟道的长度，

μ是电子迁移率[m²/(vs)]，

cox是氧化物电容，以及

k是单个mosfet器件参数[a/v²]。

因此，在t＝0与t＝t1之间的第一阶段中，mosfet尚未被激活，这是因为mosfet的栅极-源极电容需要被充电直到达到阈值电压vg_miller为止。当达到阈值电压vg_miller时，漏极-源极路径被激活，并且漏极-源极电容放电。这产生也称为米勒平台的平衡。米勒平台存在有限的时间段，即在图3的示例中直到t＝t2为止。

mosfetm1的栅极与mosfetm2的栅极之间的电压降在处于高于阈值电压v阈值的电压处的mosfetm1的栅极处产生电压vg1，并且在处于低于阈值电压v阈值的电压处的mosfetm2的栅极处产生电压vg2，即

vg1>v阈值>vg2。

这导致mosfetm2保持关断而mosfetm1导通。通过进一步增大施加于栅极端子101的电压，mosfetm2的栅极处的电压vg2进一步增大到高于阈值电压v阈值，即

vg1>vg2>v阈值

并且mosfetm2也被导通。

注意，该效应相应地适用于顺次关断mosfetm1和m2，即降低栅极端子101处的电压，

-使得电压vg2低于阈值电压v阈值导致mosfetm2被关断；

-并且进一步使得电压vg1低于阈值电压v阈值导致mosfetm1也被关断。

还应注意，图1所示的示例性布置可以应用于多于两个的mosfet。与mosfetm1相比，反并联的二极管d1和d2在mosfetm2的栅极处提供电压降。反并联的二极管d1和d2是实现这样的电压降的一个示例性布置。可以使用任何其它电压降部件。此外，可以在栅极端子101与相应mosfet(在图1中：m1和/或m2)的栅极之间的路径中设置多于一个的电压降部件。因此，可以如图1所示并联布置k个mosfet，其中，至少k-1个mosfet经由这样的至少一个电压降部件与栅极端子101连接。换句话说，(栅极端子101与相应mosfet的栅极之间的)一个控制路径可以不具有电压降部件，而所有其它k-1个控制路径具有特别为每个控制路径提供不同电压降的电压降部件。

图2示出了包括并联布置的四个mosfet201至204的示例性部件200。如关于图1所示和所说明的，mosfet连接至栅极端子211、漏极端子212和源极端子213。mosfet202至204的每个栅极都经由电压降部件205至207连接至栅极端子211。

电压降部件205可以包括如图1所示的两个反并联二极管。电压降部件206可以包括具有相同取向的两个二极管的串联连接，与此相对，布置了两个二极管的反并联串联连接，从而提供了总计2*0.7v＝1.4v的电压降。相应地，电压降部件207可以包括具有相同取向的三个二极管的串联连接，与此相对，布置了三个二极管的反并联串联连接，从而提供了总计3×0.7v＝2.1v的电压降。

这允许对mosfet201至204进行单独的多级控制。

电压降部件也可以被认为是延迟部件：当电压被提供给延迟部件时，在提供额外的电压量之后，使用该延迟部件的mosfet被导通。如果以预定的增加率提供电压，则这导致取决于由电压降部件确定的实际电压降(即在mosfet的栅极达到其阈值电压v阈值之前由电压降部件“消耗”的电压)的时间延迟。

注意，电压降部件可以使用以下元件中的至少一个：二极管、聚合物二极管、齐纳(zener)二极管、肖特基(schottky)二极管、电阻器或导致电压降的任何电路。

作为另一选项，可以使用各种类型的晶体管来代替mosfet，例如igbt、超级结mosfet(mos门控器件)。注意，栅极也可以称为晶体管的基极，漏极也可以称为(例如，晶体管的)集电极并且源极也可以被称为(例如，晶体管的)发射极。

作为又一选项，用于mosfet的硅上的有源区域可以变化；即mosfetm1和mosfetm2具有不同大小的有源区域。作为一个选项，mosfetm1和m2的有源区域被布置成相互配合的(intermeshed)结构。如果mosfet中的一个具有大的有源区域，则具有小有源区域的mosfet可以使用该大的有源区域以用于散热。这是有利的，因为提供散热可能性使得能够保持具有小有源区域的mosfet的线性模式。

图4示出了基于图1所示电路的替选电路图。图4的布置400包括栅极端子401、漏极端子402和源极端子403，并且其可以用于替代电子开关，例如mosfet。

栅极端子401经由二极管d1连接至mosfetm2的栅极，其中二极管d1的阴极指向mosfetm2的栅极。二极管d2被布置成与二极管d1反并联，即二极管d2的阴极指向栅极端子101。另外，电阻器r1与二极管d1并联布置。

栅极端子401连接至mosfetm1的栅极。mosfetm1的漏极连接至漏极端子402，并且mosfetm1的源极经由电阻器r_m1连接至源极端子403。mosfetm2的漏极连接至漏极端子402，并且mosfetm2的源极经由电阻器r_m2连接至源极端子403。电阻器r_m1和r_m2可以各自具有总计1兆欧姆的电阻。注意，电阻器r_m1和r_m2可以被用于测量电流，但是也可以被省略。

二极管d5被布置在漏极端子402与源极端子403之间，其中二极管d5的阴极指向漏极端子402。二极管d5表示mosfetm1和m2的体二极管。

漏极端子402经由齐纳二极管d4和二极管d3的串联连接而被连接至mosfetm2的栅极，其中齐纳二极管d4的阴极指向漏极端子402，并且二极管d3的阴极指向mosfetm2的栅极。

二极管d1、二极管d2和电阻器r1可以被视为部件404。该部件位于栅极端子401与mosfetm2的栅极之间的路径中，并且允许与mosfetm1不同地控制mosfetm2，mosfetm2也由施加于栅极端子401的信号驱动。

当经由栅极端子401来控制mosfetm1和m2两者时，可以区分动态模式和静态模式。

在动态模式下，mosfetm1可以保持关断，而mosfetm2被(周期性地)导通，这导致没有电流(ids_m1：漏极-源极电流)通过mosfetm1，并且非零的电流ids_m2通过mosfetm2。在这种模式下，接通-关断信号被施加于以下述频率运行的栅极端子401，该频率允许部件404与mosfetm2的内部(栅极-源极)电容相结合以用作电荷泵。施加于栅极401的信号的幅度低于激活mosfetm1的电压；由于由部件404贡献的电荷泵特性，mosfetm2被反复导通和关断(由于施加于栅极端子401的信号的频率而以时钟模式被驱动)，这导致电流ids_m2通过mosfetm2。

在静态模式下，在栅极端子401处施加大于mosfetm1和m2两者的阈值电压的电压，这导致mosfetm1和m2两者被激活。

此外，如果施加于栅极端子401的信号大于用于激活mosfetm1的栅极的阈值并且低于用于激活mosfetm2的栅极的阈值，则存在允许仅导通mosfetm1的静态模式(图4中未示出)。由于部件404两端的电压降，这是可行的。

图5和图6示出了图4的电路中的电压和电流的信号图。示出了以下信号：

-曲线501、601示出了漏极端子402处的电压；

-曲线502、602示出了通过mosfetm1和m2的组合的漏极-源极电流，即ids_m1+ids_m2；

-曲线503、603示出了通过mosfetm2的漏极-源极电流ids_m2；

-曲线504、604示出了通过mosfetm1的漏极-源极电流ids_m1；

-曲线505、605示出了mosfetm1处的栅极-源极电压vgs_m1；以及

-曲线506、606示出了mosfetm2处的栅极-源极电压vgs_m2，其也等于栅极端子401处的电压。

图5示出了总计100μs的关断持续时间507，而图6示出了总计10μs的关断持续时间607。

图5和图6中的x轴表示时间。从0ms开始，用下述振荡信号来控制栅极端子401：

-在图5中，其具有1ms的导通时间和0.1ms的关断时间，以及

-在图6中，其具有1ms的导通时间和0.01ms的关断时间，

其中，导通时间期间的幅度刚好小于用于激活mosfet的阈值电压，即(在该示例中)小于2.17v。

关断时间经由部件404触发对mosfetm2的栅极重新充电。如图5所示，如果时钟信号的关断时间总计100μs，则mosfetm2处的栅极-源极电压vgs_m2505仅被短暂中断，但基本保持在略高于2.17v的阈值电压的电压处，并且允许mosfetm2被激活，从而导致脉动电流ids_m2503。

如图6所示，如果时钟信号的关断时间总计10μs，则mosfetm2处的栅极-源极电压vgs_m2605仅被短暂中断，这允许栅极-源极电压vgs_m2605下降至用于激活mosfetm2的阈值电压以下。因此，每隔一次总计10μs的中断，包含部件404和mosfetm2的栅极-源极电容的电荷泵向mosfetm2的栅极提供足够的电荷以使其激活，这——如图6所示的曲线603——导致电流ids_m2。

注意，在mosfetm1、m2关断的情况下，漏极端子402可以连接至提供电池电压电平510、610的电池。

二极管d4是具有允许电流流经齐纳二极管d4、二极管d3和二极管d2的预定义雪崩击穿的齐纳二极管。雪崩击穿的点在图5和图6中被示例性地示出为附图标记511、611。

在时刻508、608处，施加于栅极端子401的信号被改变为具有总计10v的幅度的静止导通状态。在时刻509、609处，施加于栅极端子401的信号被关断(即为0v)。在该静止导通状态期间，mosfetm1和m2被激活，其中曲线505、605示出了与曲线506、606相比降低了0.7v的幅度，其是基于二极管d1两端的电压降。

本文建议的示例可以特别地基于以下解决方案中的至少一个。特别地，可以利用以下特征的组合来达到期望的结果。方法的特征可以与装置、设备或系统的任何一个或多个特征相结合，反之亦然。

提供了一种包括至少两个晶体管的装置，每个晶体管都包括电流路径和控制端子，

-其中，至少两个晶体管的电流路径并联布置，

-其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件被连接至控制节点。

注意，晶体管可以是mos门控器件、包括栅极、集电极和发射极的igbt、或包括基极、集电极和发射极的双极型晶体管、或包括栅极、漏极和源极的mosfet。因此，晶体管的电流路径是以下路径：

-从漏极至源极或从源极至漏极，或者

-从集电极到发射极或从发射极到集电极。

“并联布置的电流路径”意味着晶体管的漏极可以彼此连接并且晶体管的源极可以彼此连接(直接地或者间接地，例如经由电阻器)。还应注意，例如，电阻器可以是至少两个晶体管的电流路径的一部分；在这样的情况下，电流路径可以包括这样的电阻器。电流路径特别地指示流过漏极源极路径或集电极发射极路径(以及可选地另一电子部件，例如所述电阻器)的负载电流。

晶体管的控制端子是晶体管的栅极或基极。

因此，从每个晶体管的控制端子到控制节点的控制路径可以包括至少一个电压降部件，或者其可以不包括任何电压降部件。如果存在将若干个晶体管的控制端子连接至控制节点的若干个控制路径，则一个控制路径可以不具有电压降部件，而其它控制路径可以包括(至少一个)电压降部件。特别地，作为一个选项，每个控制路径导致施加于控制节点的信号与到达相应晶体管的控制端子的信号之间的不同的电压降。这可以通过不同的电压降部件或通过串联布置若干个电压降部件来实现。如所指出的，一个控制路径可能缺少这样的电压降部件，这因而将导致该控制路径(基本上)没有电压降。

对于每个这样的控制路径，电压降部件可以变化，即可以为晶体管的控制端子与控制节点之间的控制路径提供不同的电压降部件。这因而会导致针对每个控制路径的不同量的电压降。

在一个实施例中，至少两个晶体管中的至少一个晶体管的控制端子在没有电压降部件的情况下直接连接至控制节点。

在一个实施例中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点，使得不同的电压降适用于控制节点与至少两个晶体管的控制端子之间的控制路径。

在一个实施例中，电压降部件包括以下部件中的至少一个：

-二极管，

-电阻器，

-肖特基二极管，

-聚合物二极管，

-齐纳二极管，

-至少一个二极管的串联连接。

在一个实施例中，电压降部件包括：

-包括至少一个第一二极管的第一串联连接，其中，至少一个第一二极管以第一取向布置，以及

-包括至少一个第二二极管的第二串联连接，其中，至少一个第二二极管以第二取向布置，

-其中，第一串联连接和第二串联连接并联布置，以及

-其中，第一取向和第二取向彼此反并联。

因此，第一二极管和第二二极管被布置成使得第一二极管的阴极指向与第二二极管的阴极相反的方向。注意，第一二极管的数量和第二二极管的数量可以不同，或者它们可以相同。还应注意，诸如至少一个电阻器的附加元件可以设有第一串联连接和/或第二串联连接中的每一个。

在一个实施例中，电压降部件还包括：

-至少一个电阻器，其与第一串联连接和第二串联连接并联布置。

因此，至少一个电阻器可以被布置在(至少一个)电压降部件内。至少一个电阻器可以与第一串联连接和第二串联连接并联布置。

在一个特定实施例中，电压降部件包括彼此并联且与至少一个电阻器并联布置的两个反并联二极管。每个二极管可以由用于不同电压降部件的多于两个的二极管代替。

在一个实施例中，装置还包括用于经由控制节点驱动至少两个晶体管的驱动电路，

-其中，在动态模式下，振荡信号被施加于控制节点，以及

-其中，在静态模式下，静态信号被施加于控制节点。

振荡信号可以是任何类型的时钟信号。其可以在两个状态之间振荡，或者其可以包括许多状态，例如重复图案或波形。振荡信号可以具有接近用于激活晶体管的阈值电压的幅度。因此，经由电压降部件连接至控制节点的晶体管可能由于电压降部件和晶体管电容的电荷泵特性而被激活，这允许振荡信号在其控制端子处增加负载，使得晶体管(暂时)被激活。

相同的振荡信号可以被施加于在没有任何中间电压降部件的情况下连接至控制节点的晶体管的控制端子。当振荡信号的幅度低于晶体管的激活电压并且当不存在利用任何电荷泵特性的电压降部件时，该晶体管保持关断。

因此，在动态模式下，经由电压降部件连接至控制节点的晶体管(暂时)被激活，而在没有电压降部件的情况下连接至控制节点的晶体管保持关断。

然而，在静态模式(稳态)下，由于电压降部件两端的电压降，在没有电压降部件的情况下连接至控制节点的晶体管可以被导通，而经由电压降部件连接至控制节点的晶体管保持关断。

同样在静态模式下，施加于控制节点的电压可以高到足以激活在没有电压降部件的情况下连接至控制节点的晶体管以及经由电压降部件连接至控制节点的晶体管。

以上是一个示例性用例：该示例中的电压降部件被用于提供电压降，并且其用作电荷泵(这取决于工作模式，即施加于控制节点的信号的类型)。注意，可以设置不会贡献显著的电压降和/或不会被设计成显著的电荷泵的一部分的电压降部件。这可能取决于电路的尺寸。在这种背景下，“没有电压降部件”意味着至一个晶体管的一条路径具有如上所述贡献电压降/电荷泵特性的电压降部件，而至另一晶体管的另一路径与该压降/电荷泵特性不同。另一路径可以包括具有不同阈值和/或不同电荷泵特性的某电压降部件，但是其将被不同地控制(例如，利用施加于控制节点的振荡信号或稳态信号的不同幅度和/或频率)。这允许经由一个控制节点分别控制晶体管。施加于该控制节点的信号允许分别地或共同地激活晶体管中的任一个。

作为另一选项，经由一个控制节点来控制多于两个的晶体管。在这样的场景中，可以经由施加于公共控制节点的信号来激活(和禁用)多组晶体管。

在一个实施例中，在动态模式下，至少一个电压降部件连同使其控制端子经由电压降部件连接至控制节点的晶体管的电容一起充当电荷泵，以至少暂时激活该晶体管。

在一个实施例中，装置被布置在单个管芯上作为集成电路，和/或被布置在单个壳体中。

另外，建议了一种用于控制至少两个晶体管的方法，其中，每个晶体管都包括电流路径和控制端子，其中，至少两个晶体管的电流路径并联布置，其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点，方法包括：

-向控制节点施加控制信号以顺次切换至少两个晶体管。

控制信号可以是施加于控制节点的电压，以一个接一个地顺次导通或关断晶体管。因此，电压可以增大或减小。基于至少一个电压降部件，至少两个晶体管之间的导通阈值(以及关断阈值)被偏移，使得施加于控制节点的不同量的电压允许经由该(单个)控制节点进行晶体管的多级导通(和关断)。

注意，关于以上装置描述的特征也可以应用于方法。

在一个实施例中，控制信号是施加于控制节点的电压，其中，控制信号是随时间变化以顺次切换至少两个晶体管的多级电压信号。

在一个实施例中，电压降部件包括：

-包括至少一个第一二极管的第一串联连接，其中，至少一个第一二极管以第一取向布置，以及

-包括至少一个第二二极管的第二串联连接，其中，至少一个第二二极管以第二取向布置，

-至少一个电阻器，

-其中，第一串联连接和第二串联连接以及至少一个电阻器并联布置，以及

-其中，第一取向和第二取向彼此反并联。

在一个实施例中，方法还包括：

-在动态模式下，向控制节点施加振荡信号，以及

-在静态模式下，向控制节点施加静态信号。

在一个实施例中，在动态模式下，至少一个电压降部件连同使其控制端子经由电压降部件连接至控制节点的晶体管的电容一起充当电荷泵，以至少暂时激活该晶体管。

以下示例展示了本公开的一个或更多个方面，并且可以以任何方式进行组合。

示例1.一种包括至少两个晶体管的装置，每个晶体管都包括电流路径和控制端子，

-其中，至少两个晶体管的电流路径并联布置，

-其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点。

示例2.根据示例1的装置，其中，至少两个晶体管中至少之一的控制端子在没有电压降部件的情况下直接连接至控制节点。

示例3.根据示例1或2中任一项或其组合的装置，其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点，使得不同的电压降适用于控制节点与至少两个晶体管的控制端子之间的控制路径。

示例4.根据示例1至3中任一项或其组合的装置，其中，电压降部件包括以下部件中的至少一个：

-二极管，

-电阻器，

-肖特基二极管，

-聚合物二极管，

-齐纳二极管，

-至少一个二极管的串联连接。

示例5.根据示例1至4中任一项或其组合的装置，其中，电压降部件包括：

-包括至少一个第一二极管的第一串联连接，其中，至少一个第一二极管以第一取向布置，以及

-包括至少一个第二二极管的第二串联连接，其中，至少一个第二二极管以第二取向布置，

-其中，第一串联连接和第二串联连接并联布置，以及

-其中，第一取向和第二取向彼此反并联。

示例6.根据示例5的装置，其中，电压降部件还包括：

-至少一个电阻器，其与第一串联连接和第二串联连接并联布置。

示例7.根据示例1至6中任一项或其组合的装置，包括用于经由控制节点驱动至少两个晶体管的驱动电路，

-其中，在动态模式下，向控制节点施加振荡信号，以及

-其中，在静态模式下，向控制节点施加静态信号。

示例8.根据示例1至7中任一项或其组合的装置，其中，在动态模式下，至少一个电压降部件连同使其控制端子经由电压降部件连接至控制节点的晶体管的电容一起充当电荷泵，以至少暂时激活该晶体管。

示例9.根据示例1至8中任一项或其组合的装置，其中，装置被布置在单个管芯上作为集成电路，和/或被布置在单个壳体中。

示例10.一种用于控制至少两个晶体管的方法，其中，每个晶体管都包括电流路径和控制端子，其中，至少两个晶体管的电流路径并联布置，其中，至少两个晶体管的控制端子经由至少一个电压降部件连接至控制节点，方法包括：

-向控制节点施加控制信号以顺次切换至少两个晶体管。

示例11.根据示例10的方法，其中，控制信号是施加于控制节点的电压，其中，控制信号是随时间变化以顺次切换至少两个晶体管的多级电压信号。

示例12.根据示例10或11中任一项或其组合的方法，其中，电压降部件包括：

-包括至少一个第一二极管的第一串联连接，其中，至少一个第一二极管以第一取向布置，以及

-包括至少一个第二二极管的第二串联连接，其中，至少一个第二二极管以第二取向布置，

-至少一个电阻器，

-其中，第一串联连接和第二串联连接以及至少一个电阻器并联布置，以及

-其中，第一取向和第二取向彼此反并联。

示例13.根据示例10至12中任一项或其组合的方法，包括：

-在动态模式下，向控制节点施加振荡信号，以及

-在静态模式下，向控制节点施加静态信号。

示例14.根据示例13的方法，其中，在动态模式下，至少一个电压降部件连同使其控制端子经由电压降部件连接至控制节点的晶体管的电容一起充当电荷泵，以至少暂时激活该晶体管。

虽然已经公开了各种示例性实施例，但是对于本领域技术人员显而易见的是，可以进行各种改变和修改，这些改变和修改将在不脱离本发明的精神和范围的情况下实现本发明的一些优点。对于本领域技术人员明显的是，可以适当地替换执行相同功能的其它部件。应该指出，即使在没有明确提及的情况下，参考特定附图说明的特征也可以与其它附图的特征相结合。此外，本发明的方法可以在使用适当的处理器指令的所有软件实现中被实现，或者在利用硬件逻辑和软件逻辑的组合达到相同结果的混合实现中被实现。对本发明构思的这样的修改旨在被所附权利要求所覆盖。