1.一种自升压的双电机驱动装置，包括电源接口(1)、电源保护电路(2)、滤波电路(3)、PWM信号接线端子(4)、全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)、全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)、电荷泵升压电路Ⅰ(7)、电荷泵升压电路Ⅱ(8)、MOS管H桥Ⅰ(9)、MOS管H桥Ⅱ(10)、电机接口Ⅰ(11)及电机接口Ⅱ(12)；
所述全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)与所述全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)均采用A4957芯片，所述PWM信号接线端子(4)与所述A4957芯片的第8引脚与第10引脚连接，所述电荷泵升压电路Ⅰ(7)与电荷泵升压电路Ⅱ(8)均由电容串接在所述A4957的第4引脚与第5引脚之间形成；
所述电源保护电路(2)连接在所述电源接口(1)与滤波电路(3)之间，所述滤波电路(3)与所述全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)及全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)连接，所述全桥MOSFET驱动器Ⅰ(5)与所述MOS管H桥Ⅰ(9)连接，所述MOS管H桥Ⅰ(9)与所述电机接口Ⅰ(11)连接，所述全桥MOSFET驱动器Ⅱ(6)与所述MOS管H桥Ⅱ(10)连接，所述MOS管H桥Ⅱ(10)与电机接口Ⅱ(12)连接。
2.根据权利要求1所述的一种自升压的双电机驱动装置，其特征在于，所述MOS管H桥Ⅰ(9)包括芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3与芯片Q4，MOS管H桥Ⅱ(10)包括芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7与芯片Q8，所述芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3、芯片Q4、芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7与芯片Q8均采用AON6504芯片，所述芯片Q1、芯片Q2、芯片Q3及芯片Q4分别通过电阻与所述A4957的第20引脚、第24引脚、第2引脚及第18引脚连接，所述芯片Q5、芯片Q6、芯片Q7及芯片Q8分别通过电阻与所述A4957的第20引脚、第24引脚、第2引脚及第18引脚连接。
3.根据权利要求2所述的一种自升压的双电机驱动装置，其特征在于，所述电源保护电路(2)为阴极与所述A4957的第3引脚相连的二极管1N5819，所述滤波电路(3)由连接在所述二极管1N5819两级之间的两个电容组成。
4.根据权利要求3所述的一种自升压的双电机驱动装置，其特征在于，所述电源接口(1)包括主电源接口与逻辑电源接口，所述主电源接口通过一个反向的二极管接入所述A4957的第3引脚，所述逻辑电源接口与所述A4957 的第12引脚连接。